據(jù)報(bào)道，SK海力士明年將分配約10萬億韓元用于設(shè)施投資，與今年相比增長約50%。此舉是對“半導(dǎo)體寒冬”的積極應(yīng)對，旨在保持在包括高帶寬存儲器（HBM）在內(nèi)的先進(jìn)半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。

據(jù)電子行業(yè)人士11月9日消息，SK海力士決定在2024年撥出約10萬億韓元用于資本支出(CAPEX)。這比今年預(yù)計(jì)的設(shè)施投資增加了約3萬億至4萬億韓元6萬億至7萬億韓元。

該計(jì)劃的重點(diǎn)是投資擴(kuò)大設(shè)施，以滿足人工智能（AI）時(shí)代不斷增長的需求。我們將集中精力擴(kuò)建 HBM 相關(guān)設(shè)施，增加對 HBM 生產(chǎn)關(guān)鍵組成部分硅通孔 (TSV) 技術(shù)的投資。此外，資金還將用于DDR5和LPDDR5等高附加值DRAM的生產(chǎn)設(shè)施。另一方面，據(jù)透露，預(yù)計(jì)明年上半年之前仍將面臨赤字的NAND閃存領(lǐng)域的投資將被最小化。

SK 海力士對 HBM 的關(guān)注繼續(xù)其勝利的步伐，并實(shí)現(xiàn)了全面售空。在 10 月 26 日的第三季度財(cái)報(bào)電話會議上，SK 海力士 DRAM 營銷副總裁 Park Myoung-soo 表示：“明年第四代 HBM3 產(chǎn)品和第五代 HBM3E 產(chǎn)品的供應(yīng)量都在增加?！币淹耆劭?。與客戶和合作伙伴就 2025 年 HBM 產(chǎn)量進(jìn)行生產(chǎn)和供應(yīng)的討論也在進(jìn)行中?！?SK海力士相關(guān)人士表示，明年的設(shè)施投資計(jì)劃尚未最終確定。

SK海力士明年計(jì)劃的設(shè)施投資為10萬億韓元（76.2億美元），超出了市場預(yù)期。證券界最初預(yù)測“SK海力士明年的投資額將與今年類似，約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經(jīng)濟(jì)挑戰(zhàn)，觀察人士預(yù)計(jì)嚴(yán)格的管理措施將延續(xù)到明年。由于存儲半導(dǎo)體價(jià)格大幅下跌，SK海力士預(yù)計(jì)今年赤字將超過8萬億韓元。

然而，面對尖端半導(dǎo)體HBM產(chǎn)品的稀缺，SK海力士決定明年比今年大幅增加投資。HBM 已顯示出完全售罄的跡象，不僅是明年的產(chǎn)量，而且是 2025 年的預(yù)期產(chǎn)量。

為了擴(kuò)大HBM的產(chǎn)能，SK海力士正在大幅增加對TSV技術(shù)的投資。TSV 是 HBM 生產(chǎn)中使用的一項(xiàng)技術(shù)，涉及創(chuàng)建孔以垂直連接堆疊的 DRAM。半導(dǎo)體設(shè)施也在擴(kuò)建，重點(diǎn)關(guān)注先進(jìn) DRAM，例如 10 納米第四代 (1a) 和第五代 (1b)。

SK海力士相信，它可以利用內(nèi)部現(xiàn)金資源輕松應(yīng)對這項(xiàng)投資。截至9月底，該公司的現(xiàn)金和現(xiàn)金等價(jià)物高達(dá)8.53萬億韓元（65億美元）。9月底的負(fù)債率為84.8%，處于適度水平。此外，如果需要，還有進(jìn)一步借款的空間。

現(xiàn)金流表現(xiàn)也出現(xiàn)改善。盡管今年第三季度出現(xiàn)經(jīng)營虧損，SK海力士報(bào)告同期的息稅折舊攤銷前利潤（EBITDA）為1.54萬億韓元（11.7億美元）。EBITDA是反映實(shí)際現(xiàn)金流量的指標(biāo)，不包括折舊費(fèi)用，僅在紙面上核算。

隨著DRAM價(jià)格的反彈，預(yù)計(jì)SK海力士明年將扭虧為盈。根據(jù)市場研究公司TrendForce的數(shù)據(jù)，10月份DRAM固定合約價(jià)格環(huán)比上漲15.4%，達(dá)到1.50美元。這標(biāo)志著DRAM價(jià)格自2021年7月以來兩年零三個(gè)月以來首次出現(xiàn)上漲趨勢。SK海力士明年?duì)I業(yè)利潤的共識預(yù)計(jì)為8.44萬億韓元。