12月14日消息,據(jù)日媒報(bào)道,晶圓代工廠Rapidus其董事長(zhǎng)東哲郎表示,他相信日本能夠在超先進(jìn)晶圓制造技術(shù)競(jìng)賽上,迎頭趕上領(lǐng)先者臺(tái)積電與英特爾等,從此縮短多達(dá) 20 年的落后差距。
東哲郎表示,Rapidus北海道建廠計(jì)劃一定會(huì)成功,并且大約在 2027~2028 年期間,相關(guān)制程技術(shù)將發(fā)生改變。因?yàn)?,新興的晶體管架構(gòu) GAA (全環(huán)繞柵極排列)將取代目前主流的 FinFET 架構(gòu),推動(dòng)半導(dǎo)體制造的進(jìn)步,可以生產(chǎn)2nm及以下先進(jìn)制程的芯片。
東哲郎強(qiáng)調(diào),半導(dǎo)體市場(chǎng)正朝著具有特定功能的產(chǎn)品,而不是以通用型芯片的方向來(lái)發(fā)展,Rapidus希望能夠在這個(gè)過(guò)渡期搶進(jìn)市場(chǎng)當(dāng)中,并能夠得到日本半導(dǎo)體設(shè)備和化學(xué)品相關(guān)公司的全力支持。東哲郎指出,日本必須不惜一切代價(jià)創(chuàng)造一個(gè)能夠誕生尖端技術(shù)的平臺(tái),這將成為日本年輕一代的新希望之光。
當(dāng)前,日本政府正在向 Rapidus 提供數(shù)千億日元的資金援助,以使得能在日本北海道千歲市設(shè)立先進(jìn)制程晶圓廠。該晶圓廠預(yù)計(jì)研發(fā)及生產(chǎn) 2nm及其以下先進(jìn)制程,預(yù)計(jì)最快將在 2025 年建立第一條原型產(chǎn)線。同時(shí)該公司也與 IBM、ASML 等開展深度合作,Rapidus也已經(jīng)派遣 100 名工程師到 IBM 學(xué)習(xí) 2 奈米芯片生產(chǎn)全環(huán)柵 (GAA) 晶體管技術(shù)。
-
英特爾
+關(guān)注
關(guān)注
61文章
10197瀏覽量
174762 -
臺(tái)積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5757瀏覽量
169883 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
10020瀏覽量
141800 -
Rapidus
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
43瀏覽量
256
原文標(biāo)題:日本新秀Rapidus:能追上臺(tái)積電與英特爾!
文章出處:【微信號(hào):CSF211ic,微信公眾號(hào):中國(guó)半導(dǎo)體論壇】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
全球芯片產(chǎn)業(yè)進(jìn)入2納米競(jìng)爭(zhēng)階段:臺(tái)積電率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)!

博通與臺(tái)積電或有意瓜分英特爾
英特爾代工或引入多家外部股東
英特爾18A與臺(tái)積電N2工藝各有千秋
博通與臺(tái)積電或考慮接手英特爾業(yè)務(wù)
博通臺(tái)積電或聯(lián)手瓜分英特爾
美推動(dòng)英特爾拆分制造部門與臺(tái)積電合資
英特爾或與臺(tái)積電合作,計(jì)劃轉(zhuǎn)讓晶圓廠運(yùn)營(yíng)權(quán)
大膽的博通、激進(jìn)的Rapidus!
半導(dǎo)體三巨頭格局生變:英特爾與三星面臨挑戰(zhàn),臺(tái)積電獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷

評(píng)論