一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

國內(nèi)或增6個SiC項目,最高30萬片!

行家說三代半 ? 來源:行家說三代半 ? 2023-12-19 12:40 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近日,國內(nèi)又有多個碳化硅項目簽約,詳情請往下看:

誠譜檢測:

簽訂首個SiC生產(chǎn)項目

12月7日,據(jù)“玉林統(tǒng)戰(zhàn)”官微消息,廣西玉林博白縣舉行了玉商回歸活動周,當天集中簽約18個項目,總投資額約10億元,其中包括一個碳化硅單晶項目。

據(jù)誠譜檢測公司透露,他們與玉林市博白縣政府正式簽訂了碳化硅及單晶硅生產(chǎn)工藝研發(fā)項目。

公開信息顯示,誠譜檢測成立于2020年6月,注冊資本為1000萬元,主要從事地質(zhì)類、礦床與礦產(chǎn)類、石油地質(zhì)類礦物組分、成分與結(jié)構(gòu)分析與檢測服務(wù)。

截至目前,這是該公司首次涉足及投入SiC生產(chǎn)研發(fā)項目。

捷芯半導體

新建2萬片6英寸SiC外延片項目

12月5日,據(jù)慈溪市人民政府網(wǎng)消息,捷芯半導體“年產(chǎn)2萬片6英寸碳化硅外延片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目開始啟動,并入選寧波資本引才工程。

企查查顯示,寧波捷芯半導體材料有限公司成立于2021年03月,注冊資本為2000萬,主要從事碳化硅晶體生長工藝的研發(fā)生產(chǎn)。

卓遠半導體:

新建碳化硅長晶項目,獲得2400萬元投資

12月5日,據(jù)“中化投(江蘇)產(chǎn)投”官微信息,卓遠半導體中化投(江蘇)產(chǎn)投、亭湖區(qū)投促中心進行會見交流,未來三方將加強合作共建,確保碳化硅長晶產(chǎn)業(yè)化項目在亭湖區(qū)產(chǎn)業(yè)園落地。

據(jù)官網(wǎng)資料,卓遠半導體此前新建研發(fā)及產(chǎn)業(yè)基地落地如皋高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū),占地約46畝,總投入2.5億元。

公開信息顯示,卓遠半導體成立于2018年,注冊資本為2700萬元,從事于寬禁帶半導體晶體裝備及其材料的研發(fā)生產(chǎn)與制造,不斷推出SiC晶體工藝及解決方案,目前SiC產(chǎn)品覆蓋整條產(chǎn)業(yè)鏈:長晶設(shè)備、晶錠、襯底片、外延、功率器件/模塊。

值得注意的是,12月4日,卓遠半導體宣布獲得2400萬元的戰(zhàn)略投資,投資方為凱得粵豪

據(jù)官微消息,未來3至5年,卓遠半導體將持續(xù)切入碳化硅分立器件、碳化硅IGBT模塊等后道工序業(yè)務(wù),打造全產(chǎn)業(yè)鏈模式,此外,該公司現(xiàn)已明確上市進度安排,正在積極籌備中。

科友半導體:

籌建30萬片SiC項目

12月1日,據(jù)哈爾濱新區(qū)報消息,科友半導體技術(shù)總監(jiān)張勝濤獲得2023年“龍江工匠”榮譽稱號。

此外,黑龍江日報報道稱,2023年4月,科友半導體8英寸碳化硅中試線正式貫通每7天即可生長出一塊8英寸15~20毫米厚的碳化硅晶體。此外,該公司第三代半導體產(chǎn)學研聚集區(qū)二期工程正在籌劃中,建成后將實現(xiàn)年產(chǎn)碳化硅襯底30萬片。

力冠微電子:

SiC設(shè)備新廠區(qū)、新投資落地

11月29日,據(jù)力冠微電子官網(wǎng)透露,力冠微電子新產(chǎn)區(qū)已經(jīng)開業(yè),此外,該公司與山東新動能基金、江蘇毅達資本進行了資本簽約,具體金額未透露。

力冠微電子相關(guān)負責人表示,新產(chǎn)區(qū)及新投資的加入,一方面能幫助公司繼續(xù)以高水準研發(fā)半導體設(shè)備產(chǎn)品,并加快項目建設(shè)進度,推進成果轉(zhuǎn)化,另一方面能提供資金保障,吸引科研人才聚集,促進當?shù)匕雽w產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)更高質(zhì)量發(fā)展。

官網(wǎng)資料顯示,力冠微電子成立于2013年,專注于半導體工藝設(shè)備的研、產(chǎn)、銷一體化及技術(shù)服務(wù),第三代半導體設(shè)備包括SiC籽晶粘接/高溫氧化設(shè)/高溫退火設(shè)備、MPCVD設(shè)備、HVPE單晶生長設(shè)備、PVT單晶生長設(shè)備等,被廣泛用于集成電路、功率半導體、5G芯片等新型電子器件制造領(lǐng)域。

易成新材、中宜創(chuàng)芯:

SiC材料中試基地通過驗收

12月13日,據(jù)“易成新材”官微消息,易成新材中宜創(chuàng)芯公司聯(lián)合申報的平頂山市碳化硅材料中試基地已順利通過現(xiàn)場驗收。

官方透露,該基地實驗室總面積為8000平方米,擁有碳化硅粉體相關(guān)中試設(shè)備、分析檢測設(shè)備70臺/套,設(shè)備原值9000余萬元?,F(xiàn)已開展陶瓷精粉碳化硅、磨料級粉體碳化硅、電子級碳化硅粉體、電子級碳化硅晶體材料等產(chǎn)品中試服務(wù)工作。

未來,該基地將加大開展對外中試服務(wù)力度,打造產(chǎn)學研一體化平臺,建立高端人才引進、培養(yǎng)、使用機制,致力于培育孵化碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)上下游科技型中小企業(yè),推動科技成果向現(xiàn)實生產(chǎn)力轉(zhuǎn)化,助推當?shù)靥蓟璋雽w產(chǎn)業(yè)向全球產(chǎn)業(yè)鏈中高端邁進。

審核編輯:黃飛

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3227

    瀏覽量

    65332
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3067

    瀏覽量

    50517
  • 半導體設(shè)備
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    396

    瀏覽量

    16033

原文標題:或增6個SiC項目,最高30萬片!

文章出處:【微信號:SiC_GaN,微信公眾號:行家說三代半】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    臺積電先進制程漲價,最高30%!

    %,最高可能提高30%。 ? 今年1月初臺積電也傳出過漲價消息,將針對3nm、5nm等先進制程技術(shù)進行價格調(diào)整,漲幅預計在3%到8%之間,特別是AI相關(guān)高性能計算產(chǎn)品的訂單漲幅可能達到8%到10%。此外,臺積電還計劃對CoWoS先進封裝服務(wù)進行漲價,漲幅預計在10%到20
    發(fā)表于 05-22 01:09 ?1049次閱讀

    麥科信MOIP光隔離探頭解決碳化硅(SiC項目問題

    。 傳統(tǒng)差分探頭的CMRR在高頻很低,而SiC器件開關(guān)產(chǎn)生的高頻干擾,足以讓真實信號淹沒在噪聲中。我們測出來的波形要么糊成一,要么直接被噪聲淹沒,團隊里好幾個同事都快被逼瘋了。 后來公司采購了這個麥科信
    發(fā)表于 04-15 14:14

    除了安森美CREE等還有哪些在美國境內(nèi)流SiC碳化硅器件品牌

    根據(jù)搜索結(jié)果,除了安森美(onsemi)、CREE(Wolfspeed)和Microchip之外,以下品牌在美國境內(nèi)涉及碳化硅(SiC)器件流代工合作,X-FAB作為美國境內(nèi)的SiC
    的頭像 發(fā)表于 04-14 05:58 ?252次閱讀

    SiC外延的化學機械清洗方法

    引言 碳化硅(SiC)作為一種高性能的半導體材料,因其卓越的物理和化學性質(zhì),在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而,在SiC外延的制造過程中,表面污染物的存在會嚴重影響
    的頭像 發(fā)表于 02-11 14:39 ?414次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b>外延<b class='flag-5'>片</b>的化學機械清洗方法

    有效抑制SiC外延掉落物缺陷生成的方法

    影響外延質(zhì)量和器件性能的關(guān)鍵因素。這些缺陷不僅會降低外延的良品率,還可能對后續(xù)器件的可靠性產(chǎn)生嚴重影響。因此,有效抑制SiC外延掉落物缺陷的生成,對于提升Si
    的頭像 發(fā)表于 02-10 09:35 ?401次閱讀
    有效抑制<b class='flag-5'>SiC</b>外延<b class='flag-5'>片</b>掉落物缺陷生成的方法

    30kW SiC隔離型直流-直流轉(zhuǎn)換器評估板

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30kW SiC隔離型直流-直流轉(zhuǎn)換器評估板.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 01-22 16:10 ?0次下載
    <b class='flag-5'>30</b>kW <b class='flag-5'>SiC</b>隔離型直流-直流轉(zhuǎn)換器評估板

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅M
    發(fā)表于 01-22 10:43

    MR30分布式 IO 模塊:硅晶行業(yè)電池機的智能 “心臟”

    硅晶產(chǎn)業(yè)作為全球能源和電子領(lǐng)域的基石,其生產(chǎn)規(guī)模龐大且工藝復雜。從硅料的提純、拉晶,到硅片的切割、電池的制造,每一環(huán)節(jié)都要求高精度與高穩(wěn)定性。在電池生產(chǎn)環(huán)節(jié),導機承擔著硅片傳輸
    的頭像 發(fā)表于 12-13 14:00 ?472次閱讀

    總投資30億!京東方青島基地配套項目即將投產(chǎn),生產(chǎn)SMT等

    項目坐落于青島開發(fā)區(qū)王臺區(qū)的青島市新型顯示產(chǎn)業(yè)園內(nèi),由福建達集團有限公司投資建設(shè),總投資額達30億元人民幣。該項目主要建設(shè)一
    的頭像 發(fā)表于 12-05 15:06 ?736次閱讀

    超31!約102億!兩大半導體公司,合建SiC項目

    達705億日元(折合人民幣約34億元)。據(jù)悉,在此次合作中,電裝將負責生產(chǎn)SiC襯底,而富士電機將負責制造SiC功率器件,并將擴建所需設(shè)施。項目預計產(chǎn)能為每年31
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:22 ?630次閱讀

    三菱電機提供SiC MOSFET裸樣品

    樣品。這是三菱電機首款標準規(guī)格的SiC-MOSFET功率半導體芯片,將助力公司應(yīng)對xEV逆變器的多樣化需求,并推動xEV的日益普及。這款用于xEV的新型SiC-MOSFET裸結(jié)合了
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:43 ?1636次閱讀

    中國臺灣與遼寧新增SiC襯底工廠,年產(chǎn)能合計達7.2

    近日,中國臺灣和遼寧省分別傳來好消息,兩家新的SiC(碳化硅)襯底工廠正式落成正在積極推進中,合計年產(chǎn)能將達到7.2。   在中國臺灣,
    的頭像 發(fā)表于 10-25 11:20 ?913次閱讀

    8英寸襯底+全SiC模塊,羅姆助力SiC普及浪潮

    的發(fā)展,SiC在電動汽車領(lǐng)域的普及進度驚人,從過去30以上車型,已經(jīng)滲透至12左右的車型上。 ? SiC能夠在電動汽車領(lǐng)域快速普及,關(guān)鍵
    的頭像 發(fā)表于 10-24 09:04 ?5658次閱讀
    8英寸襯底+全<b class='flag-5'>SiC</b>模塊,羅姆助力<b class='flag-5'>SiC</b>普及浪潮

    方正微電子:2025年車規(guī)SiC MOS年產(chǎn)能將達16.8

    10月16日,方正微電子宣布,作為第三代半導體領(lǐng)域的IDM(集成設(shè)備制造)企業(yè),公司現(xiàn)擁有兩生產(chǎn)基地(fab)。其中,F(xiàn)ab1已實現(xiàn)每月90006英寸SiC(碳化硅)晶圓的產(chǎn)能,預
    的頭像 發(fā)表于 10-16 15:27 ?2594次閱讀

    三安半導體SiC項目二期加速推進,M6B設(shè)備正式搬入

    近日,三安半導體隆重舉行了芯片二廠M6B設(shè)備的入場儀式,這一里程碑事件標志著三安SiC項目二期工程即將全面貫通,開啟了8英寸SiC芯片產(chǎn)業(yè)化的新紀元。該
    的頭像 發(fā)表于 07-25 17:28 ?1063次閱讀