一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

800V碳化硅汽車繼續(xù)火爆!華為、理想等7大廠商將建10+萬超充樁

行家說三代半 ? 來源:行家說三代半 ? 2024-03-05 11:25 ? 次閱讀

春節(jié)過后,800V碳化硅汽車繼續(xù)火爆,新增了15款車型,同時也迎來了一波降價潮——先有極氪007降至20萬級,昨天小鵬汽車G6全系降至18萬級;照目前趨勢,后續(xù)或有更多的碳化硅車型跟上降價大潮,市場需求也會隨之上升。

相應的,800V充電樁的研發(fā)與建設也就變得尤為關鍵。近日,國內外又有7起SiC超充樁研發(fā)應用案例,涉及企業(yè)包括華為、理想及能效電氣等,詳情請往下看。

Wattsaving能效電氣:

發(fā)布SiC超充樁新品

3月2日,Wattsaving能效電氣新品發(fā)布會在深圳舉行,會上發(fā)布了多款充電樁新品,其中兩款直流充電產品搭載了SiC模塊

●能效電氣U60快充樁是一款60kW一體式液冷單槍直流充電樁,產品占地僅0.086平方米,采用業(yè)界首創(chuàng)”模塊-槍線“共鏈路液冷技術,搭載了新一代碳化硅液冷超充模塊,在碳化硅技術的加持下,功率更高,效率更高,壽命也更長。

●能效電氣還推出了首款超大功率直流充電產品——S600全液冷超充,同樣采用了能效電氣自研的60kW SiC液冷超充模塊,實現了最大600A電流輸出,最大600kW輸出功率,充電5分鐘,可續(xù)航300公里。

能效電氣成立于2016年,是寶馬、比亞迪、日產、蔚來、小鵬、極氪、吉利等知名車企的充電樁定點供應商,目前已累計出貨充電樁超100萬臺。

華為:

將建10萬根超充樁

2月28日,據“深圳新聞網”消息,2024華為中國數字能源伙伴大會已于27日成功舉行。會上,華為聯合車企及伙伴成立了超充聯盟,旨在進一步推動超充樁的快速全面普及,并重點提及了SiC技術。

48340bf4-da13-11ee-a297-92fbcf53809c.png

華為董事、華為數字能源總裁侯金龍表示,以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代功率半導體技術已經成熟,電動汽車全面走向高壓。1秒1公里、5分鐘充電200公里、加油式的充電體驗已經成為現實。華為數字能源將攜手超充聯盟在全國340多個城市和主要公路建設10萬根以上的華為全液冷超充樁。

去年4月,華為數字能源首次發(fā)布“新一代全液冷超充架構”的充電網絡解決方案,采用單樁單槍設計,液冷超充主機功率為720kW,單路最大輸出功率為600kW,最快實現“一秒一公里”,同時支持200-1000V充電范圍,可以兼容特斯拉、蔚來、理想等各種已有車型和規(guī)劃車型,適用于高速公路服務區(qū)、城市公共交通、園區(qū)光儲充三大場景。

理想汽車:

推進5C超充站建設

2月26日,理想汽車公布了截止2024年2月25日的最新充電樁運營數據:在全國投入使用 344 座,布局城市 114 個,并宣布今年將全方位推進 5C 超充樁和充電網絡布局。

值得一提的是,3月1日最新發(fā)布的純電MPV車型MEGA基于800V+SiC平臺打造,每公里能耗成本僅7.6分錢(家充);具備5C超充能力,充電12分鐘續(xù)航500公里,有望大規(guī)模替代燃油車。

理想汽車據此規(guī)劃,將在 2024 年底建成 700 座以上 5C 超級充電站、1300 +座城市超級充電站,計劃在 2025 年覆蓋 90% 國家級高速主線。

早在2023年,理想汽車就聚焦于800V SiC超充純電解決方案,并在2023上海車展上正式發(fā)布——該 800V 超充方案包括了基于碳化硅技術打造的800V高壓電驅系統(tǒng),新一代SiC功率模塊結合了電機控制器的多部件集成設計,使得電機控制器體積壓縮到4L以內,功率密度高達62kW/L,減小了電驅系統(tǒng)的體積和重量,進一步優(yōu)化整車的空間和能耗。

英飛凌提供CoolSiC技術

助力elnfochips開發(fā)充電樁

2月26日,據外媒消息,英飛凌日前與艾睿電子及其工程服務公司 elnfochips達成新合作,將提供CoolSiC技術助力elnfochips開發(fā)電動汽車充電樁。

據悉,作為合作的一部分,艾睿電子開發(fā)了一款 30kW 直流快速充電樁參考平臺,采用了英飛凌的1200V CoolSiC Easy 電源模塊以及硬件設計、嵌入式固件、雙向支持和能量計量功能。

目前,該SiC充電平臺已在美國加利福尼亞州電力電子展會上演示,雙方將深化后續(xù)合作,加快合作產品上市時間。

芬蘭電源廠商Kempower:

下一代充電樁將采用SiC

2月19日,據外媒消息,芬蘭充電基礎設施供應商 Kempower 公司宣布,旗下全部產品組合將推出采用SiC技術的下一代充電樁平臺。

據悉,Kempower近日獲得了1000萬歐元(約7800萬人民幣)的資助,旨在促進重型電動汽車的發(fā)展;他們已與 Milence(由特拉通集團、沃爾沃集團和戴姆勒卡車股份公司組建的合資企業(yè))簽訂了合同,為其提供重型汽車SiC直流充電解決方案。

Kempower 表示,他們已在歐洲和北美為SiC充電站建立了強大的供應鏈。為其擴大規(guī)模,實現大批量生產提供保障。Kempower計劃在 2024 年第一季度開始向客戶交付新一代SiC充電樁技術,北美市場將于 2024 年第二季度跟進。

英飛源:

V2G充電樁采用SiC技術

2月1日,英飛源官微介紹,截至2023年12月底,英飛源V2G充電產品出貨已超3000套,部署在全國各地超1000個站點,市場占有率超80%。值得一提的是,英飛源的V2G充電產品所搭載的V2G模塊采用了全SiC設計,實現了更高的充電效率。

據介紹,英飛源開展V2G產品研發(fā)始于2016年,并在同年推出了20kW充電模塊REG75050,該模塊是當前應用最成熟的雙向電能變換模塊,開創(chuàng)性的采用全SiC設計,能量轉換效率高,較常規(guī)充電模塊效率高1.5%以上。

據此,英飛源還推出了15kW-120kW全功率系列V2G充電系統(tǒng)產品,繼續(xù)沿用SiC設計,堅定了英飛源發(fā)展的方向。

SETEC Power:

推出SiC直流充電樁

近日,SETEC Power官網宣布,他們成功開發(fā)了11kW/22kW/43kW 直流充電樁,并搭載了SiC技術。

據介紹,該系列直流充電樁具備雙向充電V2G技術,可實現內部太陽能系統(tǒng)供電;汽車也可以用作移動儲能設備或作為電網的緩沖器。

基于SiC技術,11kW 充電產品具備功率高、效率高、成本效益高等優(yōu)點,并且實現緊湊減重,甚至一個人也可以輕松安裝。




審核編輯:劉清

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    31

    文章

    3110

    瀏覽量

    64173
  • 功率半導體
    +關注

    關注

    23

    文章

    1256

    瀏覽量

    43722
  • 充電樁
    +關注

    關注

    151

    文章

    2588

    瀏覽量

    86278
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    2977

    瀏覽量

    49934
  • 小鵬汽車
    +關注

    關注

    4

    文章

    561

    瀏覽量

    15208
  • 超充
    +關注

    關注

    0

    文章

    99

    瀏覽量

    217

原文標題:加速采用SiC!華為、理想等7大廠商將建10+萬超充樁

文章出處:【微信號:SiC_GaN,微信公眾號:行家說三代半】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    國產碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流中的應用

    國產碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流中的應用
    發(fā)表于 04-02 11:40 ?0次下載

    為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現硅到碳化硅的過渡?

    碳化硅具備多項技術優(yōu)勢(圖1),這使其在電動汽車、數據中心,以及直流快、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器能源基礎設施領域嶄露頭角,成為眾多應用中的新興首選技術。 表1 硅器件(Si)與
    發(fā)表于 03-12 11:31 ?516次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>碳化硅</b>Cascode JFET 可以輕松實現硅到<b class='flag-5'>碳化硅</b>的過渡?

    結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析

    隨著BASiC基本半導體企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口結MOSFET,不少客戶已經開始動手用國產SiC碳化硅M
    的頭像 發(fā)表于 03-01 08:53 ?378次閱讀
    <b class='flag-5'>超</b>結MOSFET升級至650<b class='flag-5'>V</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的根本驅動力分析

    理想汽車碳化硅電驅工廠早已接入DeepSeek

    在新能源汽車行業(yè),800V高壓平臺正在成為下一代純電技術的核心戰(zhàn)場。而決定這場戰(zhàn)役勝負的關鍵之一,藏在約一粒綠豆大小的碳化硅(SiC)芯片里。
    的頭像 發(fā)表于 02-24 15:06 ?382次閱讀

    理想汽車自研碳化硅芯片及電驅動總成量產下線

    近日,理想汽車宣布了一項重要的技術突破與量產成果。其自主研發(fā)的碳化硅功率芯片已經順利完成裝機,標志著理想汽車在半導體核心技術的自主研發(fā)上取得
    的頭像 發(fā)表于 02-14 13:51 ?810次閱讀

    碳化硅在半導體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導體中扮演著至關重要的角色,其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導體中的主要作用及優(yōu)勢: 一、碳化硅的物理特性
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?864次閱讀

    為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

    650V SiC碳化硅MOSFET全面取代結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
    的頭像 發(fā)表于 01-23 16:27 ?592次閱讀
    為什么650<b class='flag-5'>V</b> SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET全面取代<b class='flag-5'>超</b>結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 結MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 結MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導體40mR/650V SiC
    發(fā)表于 01-22 10:43

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
    發(fā)表于 01-04 12:37

    什么是米勒鉗位?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位?

    《什么是米勒鉗位?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位?》后反響熱烈,很多朋友留言詢問課件資料。今天,我們將這期視頻的圖文講義奉上,方便大家更詳盡地了解在驅動碳化硅MOSFET時采用米勒鉗位功能
    發(fā)表于 01-04 12:30

    碳化硅在新能源領域的應用 碳化硅汽車工業(yè)中的應用

    碳化硅在新能源領域的應用 1. 太陽能光伏 碳化硅材料在太陽能光伏領域主要應用于制造高性能的太陽能電池。由于其高熱導率和良好的化學穩(wěn)定性,碳化硅可以作為太陽能電池的基底材料,提高電池的效率和壽命
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:31 ?877次閱讀

    碳化硅SiC材料應用 碳化硅SiC的優(yōu)勢與性能

    碳化硅SiC材料應用 1. 半導體領域 碳化硅是制造高性能半導體器件的理想材料,尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應用中。SiC基半導體器件包括肖特基二極管、MOSFETs、JFETs和功率模塊
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:28 ?1638次閱讀

    低功耗碳化硅 MOSFET 的發(fā)展 | 氮化硼高導熱絕緣片

    一、前言隨著電動汽車的發(fā)展,汽車功率器件芯片也正在尋求能夠有效處理更高工作電壓和溫度的組件。此時碳化硅MOSFET成為牽引逆變器電動汽車
    的頭像 發(fā)表于 09-24 08:02 ?712次閱讀
    低功耗<b class='flag-5'>碳化硅</b> MOSFET 的發(fā)展 | 氮化硼高導熱絕緣片

    800V技術升級,SiC器件如何賦能?

    電源及第三代半導體材料的應用問題表達了自己的看法。 隨著環(huán)保意識的提升和油電切換戰(zhàn)略的推進,電動汽車市場迎來蓬勃發(fā)展。然而,充電速度和續(xù)航里程仍是制約其普及的關鍵因素。為解決這些問題,800V
    的頭像 發(fā)表于 06-06 11:03 ?617次閱讀
    <b class='flag-5'>800V</b><b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>充</b>技術升級,SiC器件如何賦能?