SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位,這些成就的背后皆源于SK
發(fā)表于 06-18 15:31
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SK 海力士近日正式公布了截至2024年12月31日的2024財年及第四季度財務(wù)報告,數(shù)據(jù)顯示,該公司在過去一年中取得了令人矚目的業(yè)績。 2024年全年,SK 海力士營收達(dá)到了6619
發(fā)表于 02-08 16:22
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與測試)市場,這將標(biāo)志著其在AI芯片產(chǎn)業(yè)鏈上的布局進(jìn)一步向下延伸。此舉不僅有助于SK海力士擴(kuò)大整體利潤規(guī)模,更能在一定程度上緩解下游外部先進(jìn)封裝
發(fā)表于 12-25 14:24
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在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力
發(fā)表于 11-13 14:35
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限的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的產(chǎn)品線,如人工智能用存儲器及先進(jìn)DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這一決策可能與其重點(diǎn)發(fā)展高端存儲技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)。近日,該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品,該產(chǎn)品在容量和層數(shù)上均達(dá)到了業(yè)界最
發(fā)表于 11-07 11:37
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近日,韓國SK集團(tuán)會長透露了一項(xiàng)重要信息,即英偉達(dá)公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項(xiàng)特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個
發(fā)表于 11-05 10:52
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SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段,批量生產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了
發(fā)表于 09-26 14:24
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據(jù)知名市場分析機(jī)構(gòu)Omdia最新發(fā)布的報告,韓國芯片巨頭SK海力士在第三季度展現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長勢頭,其銷售額有望達(dá)到驚人的128億美元,這一數(shù)字不僅刷新了公司歷史記錄,更助力SK
發(fā)表于 09-19 16:58
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在最近的FMS 2024峰會上,SK 海力士憑借其創(chuàng)新實(shí)力,率先向業(yè)界展示了尚未正式發(fā)布規(guī)范的UFS 4.1通用閃存新品,再次引領(lǐng)存儲技術(shù)的前沿。此次展示不僅彰顯了SK 海力士在存儲技
發(fā)表于 08-10 16:52
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近日,SK海力士與美國商務(wù)部共同宣布了一項(xiàng)重大合作進(jìn)展,雙方已正式簽署了一份具有前瞻性的初步備忘錄。根據(jù)協(xié)議內(nèi)容,SK海力士計劃在美國建設(shè)的先進(jìn)
發(fā)表于 08-08 09:58
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韓國存儲芯片巨頭SK海力士近日發(fā)布了其截至2024年6月30日的2024財年第二季度財務(wù)報告,這份報告展現(xiàn)出了公司在復(fù)雜市場環(huán)境下的強(qiáng)勁韌性與增長潛力。盡管全球股市,尤其是美股科技板塊遭遇劇烈波動,導(dǎo)致
發(fā)表于 08-05 11:25
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據(jù)最新消息,SK海力士正醞釀一項(xiàng)重要財務(wù)戰(zhàn)略,考慮推動其NAND與SSD業(yè)務(wù)子公司Solidigm在美國進(jìn)行首次公開募股(IPO)。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過收購
發(fā)表于 07-30 17:35
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全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商SK海力士宣布了一項(xiàng)重大投資決策,計劃投資約9.4萬億韓元(折合美元約68億)在韓國龍仁市興建其國內(nèi)首座專注于AI芯片生產(chǎn)的超級工廠。此項(xiàng)目標(biāo)志著
發(fā)表于 07-29 11:28
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全球知名的內(nèi)存芯片制造商SK海力士于周五宣布了一項(xiàng)重大投資決策,計劃斥資約9.4萬億韓元(折合美元約為68億)在韓國龍仁市興建其國內(nèi)首座芯片制造基地。這一舉措標(biāo)志著
發(fā)表于 07-27 13:48
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SK 海力士,作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商,近期在環(huán)保領(lǐng)域邁出了重要一步,宣布在其芯片生產(chǎn)的關(guān)鍵清洗工藝中,將采用更為環(huán)保的氣體——氟氣(F2)來替代傳統(tǒng)的三氟化氮(NF3)。這一舉措不僅彰顯了
發(fā)表于 07-26 15:44
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