華虹宏力半導(dǎo)體獲半導(dǎo)體器件專利
據(jù)天眼查資料，上海華虹宏力半導(dǎo)體近日獲批一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體器件”的專利，其編號(hào)為CN113192948B，發(fā)布日期為2024年4月5日，申請(qǐng)時(shí)間為2021年4月27日。
該發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，包含底座，又劃分為第一和第二園區(qū)，一個(gè)位于另兩個(gè)鄰側(cè)之間；兩個(gè)子漏區(qū)，坐落于底座的第一園區(qū)；虛擬結(jié)構(gòu)，位于兩子漏區(qū)間的底座上；源區(qū)，位于底座的第二園區(qū)；柵極結(jié)構(gòu)，位于第一和第二園區(qū)之間的底座上。此發(fā)明通過虛擬結(jié)構(gòu)提升器件的ESD性能，無需現(xiàn)有技術(shù)的SAB光罩或引入新工藝流程，可直接在制造過程中同步構(gòu)建虛擬結(jié)構(gòu)，從而降低器件的生產(chǎn)成本。
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