上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司取得專利
據(jù)悉，上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司近期成功獲得了“一種嵌入式存儲(chǔ)器參數(shù)測(cè)試分類篩選方法”的專利權(quán)，該專利公開(kāi)號(hào)為CN112820340B，生效日期為2024年4月16日，申請(qǐng)時(shí)間為2021年2月5日。
這項(xiàng)專利技術(shù)主要包括四個(gè)步驟：首先，確定存儲(chǔ)器電參數(shù)的調(diào)整范圍；其次，進(jìn)行晶圓測(cè)試獲取實(shí)際測(cè)量的電參數(shù)；接著，將這些數(shù)據(jù)記錄在日志文件中；最后，對(duì)日志文件中的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，生成測(cè)試晶圓圖譜。此方法通過(guò)記錄每顆晶圓的電參數(shù)調(diào)整值，能夠有效地排除異常芯片，提供可靠的風(fēng)險(xiǎn)預(yù)警機(jī)制，從而提升芯片的可靠性水平。
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