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SK海力士將采用臺積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-04-23 16:41 ? 次閱讀
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據(jù)韓國媒體The Elec報道,預(yù)計SK海力士將在HBM4內(nèi)存基礎(chǔ)裸片部分采用臺積電7nm制程。值得注意的是,臺積電7nm系列產(chǎn)能正逐步轉(zhuǎn)向6nm生產(chǎn)模式,因此韓媒所提“7nm系”可理解為該生產(chǎn)線。

HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議,首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。

SK海力士以往使用存儲半導(dǎo)體工藝制作HBM產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片,但在HBM4項目中,臺積電將運用先進邏輯工藝為其代工,以實現(xiàn)更多功能及更高效率,滿足客戶對定制化HBM的需求。

SK海力士計劃在2026年前實現(xiàn)HBM4內(nèi)存量產(chǎn)。然而,TrendForce集邦咨詢?nèi)ツ?1月曾預(yù)測HBM4基礎(chǔ)裸片將基于12nm工藝。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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