新品
用于2kV碳化硅MOSFET模塊的
數(shù)字驅(qū)動(dòng)評(píng)估板
評(píng)估板EVAL-FFXMR20KM1HDR可以幫助客戶快速啟動(dòng)基于2kV碳化硅MOSFET樣機(jī)的特性測(cè)試。評(píng)估板使用EiceDRIVER 1ED38x0Mc12M數(shù)字驅(qū)動(dòng)電路,參數(shù)可以通過I2C-BUS靈活設(shè)置。電路板可以在不改變硬件設(shè)計(jì)的前提下針對(duì)不同用于優(yōu)化設(shè)計(jì)。電路有27個(gè)配置寄存器,通過I2C接口設(shè)置。這些配置選項(xiàng)可以調(diào)整多個(gè)閾值和時(shí)序參數(shù),以優(yōu)化驅(qū)動(dòng)保護(hù)特性。
產(chǎn)品型號(hào):
EVAL-FFXMR20KM1HDR
所用器件:
柵極驅(qū)動(dòng)器:1ED38x0Mc12M
產(chǎn)品特點(diǎn)
用于62mm,2kV CoolSiC溝槽柵MOSFET模塊的半橋驅(qū)動(dòng)板
驅(qū)動(dòng)有獨(dú)立的拉電流和灌電流管腳,便于優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)
驅(qū)動(dòng)IC 1ED3890MC12M或1ED3890MU12M X3系列數(shù)字電路,帶I2C總線,用于參數(shù)調(diào)整
硬件欠壓鎖定(UVLO)保護(hù)
應(yīng)用價(jià)值
兩級(jí)關(guān)斷(TLTO),可調(diào)節(jié)斜率、第二級(jí)電壓平臺(tái)時(shí)間和電壓值
驅(qū)動(dòng)負(fù)電壓調(diào)節(jié)范圍為-5V至0V
可以調(diào)節(jié)正電壓,在高開關(guān)頻率下降低總損耗
電路板設(shè)計(jì)降低電路板發(fā)熱
與2kV的新型碳化硅62毫米半橋模塊配套
可以實(shí)現(xiàn)-5V至+18V范圍正負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)
客戶可用EiceDRIVER軟件工具,設(shè)計(jì)方便
集成了TLTO、DESAT檢測(cè)、軟特性UVLO、米勒箝位等功能
應(yīng)用領(lǐng)域
直流-直流轉(zhuǎn)換器
太陽能應(yīng)用
不間斷電源系統(tǒng)
固態(tài)變壓器
框圖
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
150文章
8600瀏覽量
220389 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
3065瀏覽量
50456 -
數(shù)字驅(qū)動(dòng)器
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
2瀏覽量
2387
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案
SiC碳化硅MOSFET時(shí)代的驅(qū)動(dòng)供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片

碳化硅MOSFET全橋模塊在出口型高端逆變焊機(jī)中的應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢(shì)

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

SiC碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的限制源于柵氧可靠性與器件性能之間的權(quán)衡

基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

基于國(guó)產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負(fù)壓驅(qū)動(dòng)供電與米勒鉗位解決方案

超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動(dòng)的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案

40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用
什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?
了解用于碳化硅MOSFET的短路保護(hù)方法

評(píng)論