在開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色的NextPower 100V MOSFET
在許多開關(guān)應(yīng)用中，設(shè)計(jì)人員面臨著平衡高效率和低尖峰電壓的挑戰(zhàn)，要達(dá)到該平衡，最顯而易見的方法是在電路板上使用額外的元器件，但這會(huì)增加成本和復(fù)雜性。在本演示中，我們將展示典型的40V DC/DC轉(zhuǎn)換器從而介紹NextPower 80和100V MOSFET的開關(guān)和效率性能。
本演示使用NextPower 80V和100V 功率MOSFET產(chǎn)品組合中的100V 4.3mohm器件，采用增強(qiáng)的LFPAK56E封裝。我們廣泛的產(chǎn)品組合采用堅(jiān)固且具備高電氣性能的LFPAK56封裝。80和100V MOSFET，是我們的最新硅晶圓技術(shù)，非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用，包括ACDC、DCDC和電機(jī)控制。
審核編輯：劉清
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
148文章
7824瀏覽量
217385 -
dcdc轉(zhuǎn)換器
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
219瀏覽量
39483
原文標(biāo)題：Demo展示 | 在開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色的NextPower 100V MOSFET
文章出處：【微信號：Nexperia_China，微信公眾號：安世半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
聚能芯半導(dǎo)體禾潤一級代理HT7886開關(guān)限流降壓變換器
、集成化的發(fā)展趨勢。?
PWM 調(diào)光控制輸入：該變換器支持 PWM 調(diào)光控制輸入，在 LED 應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出色。通過 PWM 調(diào)光，能夠?qū)崿F(xiàn)對 LED 亮度的精確調(diào)節(jié)，滿足不同場景下對 LED 照明
發(fā)表于 04-22 16:17
DCDC降壓型100V耐壓芯片 SL3041，輸出可調(diào) 3A電流，替換LM2576HV
在電源管理芯片的領(lǐng)域中，滿足高電壓輸入、靈活輸出以及強(qiáng)大電流驅(qū)動(dòng)的需求至關(guān)重要。當(dāng)您的項(xiàng)目需要一款能在復(fù)雜電源環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)作的芯片時(shí)，DCDC 降壓型 100V 耐壓芯片 SL3041，憑借其出色
發(fā)表于 02-26 16:46
PSMN8R9-100BSE N溝道100V,10 mOhm,標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN8R9-100BSE N溝道100V,10 mOhm,標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 02-14 15:44
?0次下載
PSMN2R3-100SSE N溝道100V、2.3 mOhm MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2R3-100SSE N溝道100V、2.3 mOhm MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 02-14 15:42
?0次下載
高通Q1業(yè)績創(chuàng)歷史新高，手機(jī)與汽車芯片表現(xiàn)搶眼
移動(dòng)芯片大廠高通（Qualcomm）公司于近日公布了其2025會(huì)計(jì)年度第一季（截至2024年12月29日）的財(cái)報(bào)，業(yè)績表現(xiàn)出色，創(chuàng)下歷史同期新高。
SiC MOSFET的參數(shù)特性
碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料（WBG）的一種，具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討SiC MOSFET的主要參數(shù)特
瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET，助力多領(lǐng)域應(yīng)用
近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場焦點(diǎn)。
Nexperia推出CCPAK1212封裝MOSFET，性能再升級
電機(jī)控制、電源管理、可再生能源系統(tǒng)以及高耗電應(yīng)用等領(lǐng)域的嚴(yán)格要求。 CCPAK1212封裝采用了獨(dú)特的銅夾片設(shè)計(jì)，能夠承載更高的電流，同時(shí)寄生電感更低，熱性能更加出色。這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)使得這些MOSFET在高功率應(yīng)用
100V N通道功率MOSFET SMT10T01AHTL概述
SMT10T01AHTL是一款100V的N-通道功率MOSFET，主要應(yīng)用在電信和工業(yè)中的DC/DC轉(zhuǎn)換器上，以及汽車電子領(lǐng)域的電池管理系統(tǒng)上。
LM-RD-58PNGOIE2BAMA導(dǎo)波雷達(dá)料位控制器控制哪些設(shè)備最好
導(dǎo)波雷達(dá)料位控制器在多個(gè)領(lǐng)域的設(shè)備控制中都有著廣泛的應(yīng)用，特別是在需要高精度、非接觸式測量的場合中表現(xiàn)出色。
創(chuàng)直線導(dǎo)軌模組在傳感器產(chǎn)品檢測設(shè)備的應(yīng)用案例分享
飛創(chuàng)直線模組在傳感器檢測設(shè)備中表現(xiàn)出色，其高精度、高負(fù)載、高速度等特點(diǎn)提高了檢測精度和效率，降低了成本，支持傳感器產(chǎn)業(yè)發(fā)展，適用于多領(lǐng)域傳感器檢測。
Toshiba東芝TPN3R704PL MOSFET硅N溝道MOS產(chǎn)品規(guī)格書
最大限度地減少功耗，這對于對電源敏感的應(yīng)用（如DC-DC轉(zhuǎn)換器）至關(guān)重要。低漏源導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))： TPH3R704PC 的典型導(dǎo)通電阻僅為2.9 m?（VGS = 10V）。較低的電阻意味著在導(dǎo)通期間能量損失更少，使得該M
發(fā)表于 09-14 09:11
?0次下載
Nexperia擴(kuò)展NextPower MOSFET產(chǎn)品線，助力高效能應(yīng)用
聚焦于80V和100V MOSFET產(chǎn)品，通過引入多款采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化5x6mm與8x8mm封裝尺寸的新型LFPAK器件，進(jìn)一步豐富了市場選擇。
Nexperia擴(kuò)展NextPower系列MOSFET陣容,引領(lǐng)高效低噪新紀(jì)元
2024年8月7日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商N(yùn)experia宣布，其NextPower 80V及100V MOSFET產(chǎn)品線再次迎來重大擴(kuò)充，成功推出了采用標(biāo)準(zhǔn)化5x6mm及8x
強(qiáng)茂推出最新的60V、100V和150V車規(guī)級MOSFET
強(qiáng)茂推出最新的60V、100V和150V車規(guī)級MOSFET，此系列專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供優(yōu)異性能和效率。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論