晶圓蝕刻后的清洗是半導體制造中的關鍵步驟,旨在去除蝕刻殘留物(如光刻膠、蝕刻產物、污染物等),同時避免對晶圓表面或結構造成損傷。以下是常見的
發(fā)表于 07-15 14:59
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晶圓經切割后,表面常附著大量由聚合物、光致抗蝕劑及蝕刻雜質等組成的顆粒物,這些物質會對后續(xù)工序中芯片的幾何特征與電性能產生不良影響。顆粒物與晶圓表面的粘附力主要來自范德華力的物理吸附作用,因此業(yè)界主要采用物理或化學方法對顆粒物進
發(fā)表于 06-13 09:57
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表面與清洗設備(如夾具、刷子、兆聲波噴嘴)或化學液膜接觸時,因材料電子親和力差異(如半導體硅與金屬夾具的功函數(shù)不同),發(fā)生電荷轉移。例如,晶圓
發(fā)表于 05-28 13:38
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晶圓制備是材料科學、熱力學與精密控制的綜合體現(xiàn),每一環(huán)節(jié)均凝聚著工程技術的極致追求。而晶圓清洗本質是半導體工業(yè)與污染物持續(xù)博弈的縮影,每一次
發(fā)表于 05-07 15:12
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晶圓擴散前的清洗是半導體制造中的關鍵步驟,旨在去除表面污染物(如顆粒、有機物、金屬離子等),確保擴散工藝的均勻性和器件性能。以下是晶圓擴散
發(fā)表于 04-22 09:01
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晶圓高溫清洗蝕刻工藝是半導體制造過程中的關鍵環(huán)節(jié),對于確保芯片的性能和質量至關重要。為此,在目前市場需求的增長情況下,我們來給大家介紹一下詳情。 一、工藝原理 清洗原理 高溫
發(fā)表于 04-15 10:01
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晶圓浸泡式清洗方法是半導體制造過程中的一種重要清洗技術,它旨在通過將晶圓浸泡在特定的化學溶液中,
發(fā)表于 04-14 15:18
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晶圓濕法清洗工作臺是一個復雜的工藝,那我們下面就來看看具體的工藝流程。不得不說的是,既然是復雜的工藝每個流程都很重要,為此我們需要仔細謹慎,這樣才能獲得最高品質的產品或者達到最佳效果。 晶
發(fā)表于 04-01 11:16
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本文介紹了晶圓清洗的污染源來源、清洗技術和優(yōu)化。
發(fā)表于 03-18 16:43
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都說晶圓清洗機是用于晶圓清洗的,既然說是全自動的。我們更加好奇的點一定是如何自動實現(xiàn)
發(fā)表于 01-10 10:09
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8寸晶圓的清洗工藝是半導體制造過程中至關重要的環(huán)節(jié),它直接關系到芯片的良率和性能。那么直接揭曉關于8寸晶圓的
發(fā)表于 01-07 16:12
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如果你想知道8寸晶圓清洗槽尺寸,那么這個問題還是需要研究一下才能做出答案的。畢竟,我們知道一個慣例就是8寸晶圓
發(fā)表于 01-07 16:08
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晶圓單面拋光的裝置及方法主要涉及半導體設備技術領域,以下是對其詳細的介紹:
一、晶圓單面拋光
發(fā)表于 12-12 10:06
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GaAs晶圓作為常用的一類晶圓,在半導體功率芯片和光電子芯片都有廣泛應用。而如何處理好該類晶
發(fā)表于 10-30 10:46
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以下是關于碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料,具有比硅(Si)更高的熱導率、電子遷移率和擊
發(fā)表于 08-08 10:13
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