晶圓蝕刻后的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟,旨在去除蝕刻殘留物(如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等),同時(shí)避免對(duì)晶圓表面或結(jié)構(gòu)造成損傷。以下是常見的
發(fā)表于 07-15 14:59
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(如半導(dǎo)體晶圓、光伏硅片、金屬零件等),通常以“槽”為單位裝載。適用場(chǎng)景:適合大批量生產(chǎn),尤其是對(duì)清潔度要求一致且工藝相同的產(chǎn)品(如集成電路封裝前的引腳清洗、汽車零
發(fā)表于 06-30 16:47
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晶圓表面清洗過程中產(chǎn)生靜電力的原因主要與材料特性、工藝環(huán)境和設(shè)備操作等因素相關(guān),以下是系統(tǒng)性分析: 1. 靜電力產(chǎn)生的核心機(jī)制 摩擦起電(Triboelectric Effect) 接觸分離:
發(fā)表于 05-28 13:38
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晶圓制備是材料科學(xué)、熱力學(xué)與精密控制的綜合體現(xiàn),每一環(huán)節(jié)均凝聚著工程技術(shù)的極致追求。而晶圓清洗本質(zhì)是半導(dǎo)體工業(yè)與污染物持續(xù)博弈的縮影,每一次
發(fā)表于 05-07 15:12
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晶圓擴(kuò)散前的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟,旨在去除表面污染物(如顆粒、有機(jī)物、金屬離子等),確保擴(kuò)散工藝的均勻性和器件性能。以下是晶圓擴(kuò)散
發(fā)表于 04-22 09:01
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晶圓高溫清洗蝕刻工藝是半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),對(duì)于確保芯片的性能和質(zhì)量至關(guān)重要。為此,在目前市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)情況下,我們來給大家介紹一下詳情。 一、工藝原理 清洗原理 高溫
發(fā)表于 04-15 10:01
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晶圓浸泡式清洗方法是半導(dǎo)體制造過程中的一種重要清洗技術(shù),它旨在通過將晶圓浸泡在特定的化學(xué)溶液中,
發(fā)表于 04-14 15:18
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晶圓濕法清洗工作臺(tái)是一個(gè)復(fù)雜的工藝,那我們下面就來看看具體的工藝流程。不得不說的是,既然是復(fù)雜的工藝每個(gè)流程都很重要,為此我們需要仔細(xì)謹(jǐn)慎,這樣才能獲得最高品質(zhì)的產(chǎn)品或者達(dá)到最佳效果。 晶
發(fā)表于 04-01 11:16
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本文介紹了晶圓清洗的污染源來源、清洗技術(shù)和優(yōu)化。
發(fā)表于 03-18 16:43
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或許,大家會(huì)說,晶圓知道是什么,清洗機(jī)也懂。當(dāng)單晶圓與清洗機(jī)放一起了,大家好奇的是到底什么是單晶圓
發(fā)表于 03-07 09:24
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大家元宵節(jié)快樂!
半導(dǎo)體新人,想尋求一家紙箱供應(yīng)商。
用于我司成品晶圓發(fā)貨,主要是6寸和8寸晶
發(fā)表于 02-12 18:04
的。 全自動(dòng)晶圓清洗機(jī)工作流程一覽 裝載晶圓: 將待清洗的晶
發(fā)表于 01-10 10:09
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8寸晶圓的清洗工藝是半導(dǎo)體制造過程中至關(guān)重要的環(huán)節(jié),它直接關(guān)系到芯片的良率和性能。那么直接揭曉關(guān)于8
發(fā)表于 01-07 16:12
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GaAs晶圓作為常用的一類晶圓,在半導(dǎo)體功率芯片和光電子芯片都有廣泛應(yīng)用。而如何處理好該類晶圓的
發(fā)表于 10-30 10:46
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近日,日本礙子株式會(huì)(NGK,下文簡(jiǎn)稱日本礙子)在其官網(wǎng)宣布,已成功制備出直徑為8英寸的SiC晶圓,并表示公司將于本月低在美國(guó)ICSCRM 2024展示
發(fā)表于 09-21 11:04
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評(píng)論