近日，日本市場研究公司富士經(jīng)濟發(fā)布了一份備受關(guān)注的行業(yè)研究報告《功率器件晶圓市場的最新趨勢和技術(shù)趨勢》。

該報告深入分析了功率半導體市場的發(fā)展趨勢，并預(yù)測2024年功率半導體市場將比上年增長23.4%，市場規(guī)模將達到2813億日元。預(yù)計到2035年，這一市場規(guī)模將進一步擴大至10,763億日元，較2023年水平激增4.7倍。

報告指出，功率半導體市場的增長主要得益于汽車電動化趨勢的推動。隨著新能源汽車的普及，SiC(碳化硅)裸片因其優(yōu)異的性能成為了市場的主要驅(qū)動力。

目前，SiC裸片主要以6英寸為主，但預(yù)計在未來幾年中，隨著技術(shù)的進步和市場需求的增長，8英寸晶圓市場將從2025年開始逐步崛起，預(yù)計至2035年，8英寸SiC裸晶圓將占據(jù)整個SiC裸晶圓市場的13.3%。

此外，報告還提到了其他關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展趨勢。一方面，為了滿足功率半導體日益增長的需求，晶圓直徑的擴大成為了行業(yè)內(nèi)的共識。

除了傳統(tǒng)的硅晶圓逐步向300mm過渡外，SiC裸晶圓市場也預(yù)計將在未來幾年內(nèi)實現(xiàn)8英寸(200mm)晶圓的規(guī)?；a(chǎn)。另一方面，用于功率半導體的新型材料，如6英寸(150毫米)GaN(氮化鎵)晶圓和氧化鎵晶圓，也在積極開發(fā)中，這些材料的引入將進一步推動功率半導體市場的發(fā)展。

隨著汽車電動化、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的不斷發(fā)展，功率半導體市場的增長潛力巨大。同時，新型材料和技術(shù)的不斷涌現(xiàn)，也將為行業(yè)帶來更多的發(fā)展機遇和挑戰(zhàn)。未來，功率半導體市場將繼續(xù)保持高速增長態(tài)勢，成為推動全球電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要力量。