SK海力士創(chuàng)新下一代HBM，融入計(jì)算與通信功能
SK海力士正引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入新時(shí)代，開發(fā)了一種融合計(jì)算與通信功能的下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。這一創(chuàng)新戰(zhàn)略旨在鞏固其在HBM市場中的領(lǐng)先地位，同時(shí)進(jìn)一步拉大與后來者的差距。
據(jù)業(yè)界專家透露，SK海力士計(jì)劃為HBM賦予更多新功能，如計(jì)算、緩存以及網(wǎng)絡(luò)內(nèi)存等。這些新增功能將使得HBM不僅作為高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)拿浇?，還能承擔(dān)更多的計(jì)算與數(shù)據(jù)處理任務(wù)，從而大大提高整體系統(tǒng)的性能和效率。
為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，SK海力士已經(jīng)開始積極獲取半導(dǎo)體IP。IP作為半導(dǎo)體芯片內(nèi)執(zhí)行特定功能的基本電路單元，是打造高性能芯片的關(guān)鍵。SK海力士將通過整合多種IP來構(gòu)建其下一代HBM芯片，確保其在技術(shù)和性能上領(lǐng)先市場。
這一創(chuàng)新舉措無疑將加劇HBM市場的競爭，但SK海力士的領(lǐng)先地位和技術(shù)實(shí)力無疑將使其在這一市場中保持領(lǐng)先地位。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
335文章
28883瀏覽量
237466 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
994瀏覽量
39595 -
HBM
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
411瀏覽量
15229
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
SK海力士HBM技術(shù)的發(fā)展歷史
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位，這些成就的
SK海力士加速16Hi HBM3E內(nèi)存量產(chǎn)準(zhǔn)備
近日，SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的全面生產(chǎn)測試已經(jīng)正式啟動，為明年初的
SK海力士發(fā)布HBM3e 16hi產(chǎn)品
在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中，SK hynix（SK海力士）透露了一項(xiàng)令人矚目的新產(chǎn)品計(jì)劃。據(jù)悉，該公司正在積極開發(fā)
SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
在近日舉行的SK AI峰會上，韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這
SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品
的領(lǐng)先地位，更為未來的高性能計(jì)算市場帶來了全新的可能性。 SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)表示，盡管業(yè)界普遍認(rèn)為16層HBM市場將從
英偉達(dá)加速Rubin平臺AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲器
日，英偉達(dá)（NVIDIA）的主要高帶寬存儲器（HBM）供應(yīng)商南韓SK集團(tuán)會長崔泰源透露，英偉達(dá)執(zhí)行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個(gè)月交付用于英偉達(dá)下
英偉達(dá)向SK海力士提出提前供應(yīng)HBM4芯片要求
近日，韓國SK集團(tuán)會長透露了一項(xiàng)重要信息，即英偉達(dá)公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項(xiàng)特殊的要求。黃仁勛希望
英偉達(dá)加速推進(jìn)HBM4需求,SK海力士等存儲巨頭競爭加劇
韓國大型財(cái)團(tuán)SK集團(tuán)的董事長崔泰源在周一的采訪中透露，英偉達(dá)的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團(tuán)旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求，希望其能
SK海力士HBM生產(chǎn)效率驚人,或引領(lǐng)存儲器市場格局轉(zhuǎn)變
在9月25日（當(dāng)?shù)貢r(shí)間）于美國加利福尼亞州圣克拉拉會議中心舉行的一場半導(dǎo)體行業(yè)盛會上，SK海力士發(fā)布的一項(xiàng)關(guān)于其高帶寬內(nèi)存（HBM）的驚人數(shù)
標(biāo)普上調(diào)SK海力士評級至BBB，看好其HBM領(lǐng)域主導(dǎo)地位
近日，國際知名評級機(jī)構(gòu)標(biāo)準(zhǔn)普爾全球評級（S&P Global Ratings）宣布了一項(xiàng)重要決策，將SK海力士的長期發(fā)行人信用及發(fā)行評級從BBB-提升至BBB，并維持穩(wěn)定的評級展望。此次上調(diào)評級，主要基于
SK海力士攜手臺積電，N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，宣布將采用臺積電先進(jìn)的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標(biāo)志
SK海力士與Amkor攜手推進(jìn)硅中介層合作，強(qiáng)化HBM市場競爭力
）合作展開深入?yún)f(xié)商。這一合作旨在通過整合雙方優(yōu)勢資源，進(jìn)一步提升SK海力士在高性能內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的市場競爭力。
SK海力士探索無焊劑鍵合技術(shù)，引領(lǐng)HBM4創(chuàng)新生產(chǎn)
在半導(dǎo)體存儲技術(shù)的快速發(fā)展浪潮中，SK海力士，作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商，正積極探索前沿技術(shù)，以推動高帶寬內(nèi)存（HBM）的進(jìn)一步演進(jìn)。據(jù)最新業(yè)界消息，
SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合技術(shù)
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據(jù)最新消息，該公司計(jì)劃于2026年在其高性能內(nèi)存（High Bandwidth Memory, HBM）的生產(chǎn)過程中引入
英偉達(dá)、臺積電與SK海力士攜手，2026年量產(chǎn)HBM4內(nèi)存，能效顯著提升
科技行業(yè)持續(xù)向AI時(shí)代邁進(jìn)的浪潮中，英偉達(dá)、臺積電與SK海力士三大巨頭宣布了一項(xiàng)重大合作，旨在通過組建“三角聯(lián)盟”共同推進(jìn)下一代高帶寬內(nèi)存（HBM
工商網(wǎng)監(jiān)
評論