甬矽電子5月27日發(fā)布晚間公告稱，公司擬向不特定對象發(fā)行可轉(zhuǎn)換公司債券的募集資金總額不超過12億元，扣除發(fā)行費用后的募集資金凈額將用于多維異構(gòu)先進封裝技術研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、補充流動資金及償還銀行借款。

公告顯示，本項目總投資額為14.64萬元，擬使用募集資金投資額為9億元。實施地點位于公司浙江寧波的二期工廠，屆時將購置臨時健合設備、機械研磨設備、化學研磨機、干法刻硅機、化學氣相沉積機、晶圓級模壓機、倒裝貼片機、助焊劑清洗機、全自動磨片機等先進的研發(fā)試驗及封測生產(chǎn)設備，同時引進行業(yè)內(nèi)高精尖技術、生產(chǎn)人才，建設與公司發(fā)展戰(zhàn)略相適應的研發(fā)平臺及先進封裝產(chǎn)線。

項目建成后，公司將開展“晶圓級重構(gòu)封裝技術（RWLP）”、“多層布線連接技術（HCOS-OR）”、“高銅柱連接技術（HCOS-OT）”、“硅通孔連接板技術（HCOS-SI）”和“硅通孔連接板技術（HCOS-AI）”等方向的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，并在完全達產(chǎn)后形成年封測扇出型封裝（Fan-out）系列和 2.5D/3D 系列等多維異構(gòu)先進封裝產(chǎn)品9萬片的生產(chǎn)能力。本項目的實施將進一步深化公司在先進封裝領域的業(yè)務布局，持續(xù)提升公司核心競爭力。

甬矽電子在公告中表示，公司在先進晶圓級封裝技術方面已有一定的技術儲備，包括對先進制程晶圓進行高密度、細間距重布線的技術（RedistributionLayer，即 RDL）、晶圓凸塊技術（Bumping）、扇入（Fan-in）技術等。同時，公司還在積極開發(fā)扇出（Fan-out）封裝、蝕刻技術等晶圓級多維異構(gòu)封裝技術，并已取得了部分發(fā)明專利。

審核編輯 黃宇