ASML創(chuàng)下新的EUV芯片制造密度記錄，提出Hyper-NA的激進方案
ASML在imec的ITF World 2024大會上宣布，其首臺High-NA（高數(shù)值孔徑）設(shè)備已經(jīng)打破了之前創(chuàng)下的記錄，再次刷新了芯片制造密度的標準。
經(jīng)過進一步調(diào)整，ASML已經(jīng)使用其High-NA EUV機器打印出8nm密集線條，這是專為生產(chǎn)環(huán)境設(shè)計的機器的密度記錄。這一記錄超過了該公司在2024年4月初創(chuàng)下的10nm密集線條的記錄。
ASML前總裁兼首席技術(shù)官Martin van den Brink，目前擔任該公司顧問，提出了Hyper-NA（超數(shù)值孔徑）芯片制造工具的激進方案。
該方案旨在通過進一步擴展High-NA產(chǎn)品線，來打印更小的特征尺寸，從而滿足日益增長的芯片性能需求。
Hyper-NA系統(tǒng)將使用相同波長的光，但將NA（數(shù)值孔徑）擴大到0.75 ，以實現(xiàn)打印更小的特征尺寸。盡管具體的臨界尺寸尚未確定，但ASML給出的晶體管時間表顯示，它正在從16nm金屬間距向10nm擴展。
Martin van den Brink還概述了一項計劃，通過大幅提高未來ASML工具的速度到每小時 400到500個晶圓（wph） ，這是目前200 wph峰值的兩倍多，從而降低EUV芯片的制造成本。
他還為ASML未來的EUV工具系列提出了一種模塊化統(tǒng)一設(shè)計，這可能有助于提高生產(chǎn)效率和靈活性。
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