具備行業(yè)領(lǐng)先的溫控性能，全新650V和1200V碳化硅MOSFETs可低溫運(yùn)行和快速開關(guān)，為AI數(shù)據(jù)中心提升三倍功率并加速電動汽車充電。

加利福尼亞州托倫斯2024年6月6日訊 —GaNFast氮化鎵和GeneSiC碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）正式發(fā)布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列，為實(shí)現(xiàn)最快的開關(guān)速度、最高的效率和功率密度的增進(jìn)進(jìn)行優(yōu)化，將應(yīng)用于AI數(shù)據(jù)中心電源、車載充電器（OBCs）、電動汽車超級充電樁以及太陽能/儲能系統(tǒng)（ESS）。產(chǎn)品涵蓋了從D2PAK-7到TO-247-4的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，專為要求苛刻的高功率、高可靠性應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

G3F產(chǎn)品系列針對高速開關(guān)性能進(jìn)行了優(yōu)化，與CCM TPPFC系統(tǒng)中的競爭對手相比，硬開關(guān)品質(zhì)因數(shù)（FOMs）提高了40%。這將使下一代AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源（PSUs）的功率增加到10kW，每個(gè)機(jī)架的功率從30kW增加到100-120kW。

G3F GeneSiC MOSFETs 基于納微專有的“溝槽輔助平面柵”技術(shù)研發(fā)，既擁有優(yōu)于溝槽柵MOSFET的性能，還具備比競爭對手更強(qiáng)的魯棒性、可制造性和成本效益。G3F MOSFETs 同時(shí)具備高效和高速的性能，可使器件的外殼溫度降低高達(dá)25°C，比市場上其他廠商的碳化硅產(chǎn)品的壽命長3倍。

“溝槽輔助平面柵”技術(shù)vs平面柵與溝槽柵

“溝槽輔助平面柵”技術(shù)能使碳化硅MOSFETs的RDS(ON)受溫度影響小，在整個(gè)運(yùn)行范圍內(nèi)的功率損失降到最低。在高溫的運(yùn)行環(huán)境下中，搭載這一技術(shù)的碳化硅MOSFETs，與競爭對手相比，RDS(ON)降低高達(dá)20%。

此外，所有的GeneSiC MOSFETs在已公布的100%耐雪崩測試中其耐受能力最高，且短路耐受時(shí)間延長30%，以及擁有穩(wěn)定的門極閾值電壓便于并聯(lián)控制，因此非常適合高功率并需要快速上市的應(yīng)用場景。

納微半導(dǎo)體最新發(fā)布的4.5kW高功率密度AI服務(wù)器電源參考設(shè)計(jì)，基于CRPS185外形尺寸，其采用了額定650V、40mΩ的GeneSiC G3F FETs，用于交錯(cuò)CCM TP PFC拓?fù)渖?。與LLC級的GaNSafe氮化鎵功率芯片一起，讓這款電源實(shí)現(xiàn)了138 W/inch3的功率密度和超過97%的峰值效率，輕松達(dá)到歐盟目前強(qiáng)制執(zhí)行的“鈦金+”效率標(biāo)準(zhǔn)。

針對電動汽車市場，納微半導(dǎo)體基于1200V/34mΩ（型號：G3F34MT12K）的G3F FETs，打造了一款22kW、800V雙向車載充電機(jī)（OBC）+ 3kW DC-DC轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用，能夠?qū)崿F(xiàn)3.5kW/L的超高功率密度和95.5%的峰值效率。

審核編輯：彭菁