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日本旭化成氮化鋁基板技術(shù)突破:邁向更大面積與實用化

要長高 ? 2024-06-15 16:48 ? 次閱讀

在全球半導(dǎo)體科技日新月異的大背景下,日本旭化成株式會社在功率半導(dǎo)體等應(yīng)用領(lǐng)域取得了令人矚目的技術(shù)突破。該公司近日宣布,其氮化鋁基板技術(shù)已實現(xiàn)了可使用面積的顯著擴(kuò)大,這一進(jìn)步為功率半導(dǎo)體的發(fā)展注入了新的活力。

氮化鋁基板,作為功率半導(dǎo)體等器件的重要支撐材料,其性能優(yōu)劣直接關(guān)系到半導(dǎo)體器件的整體表現(xiàn)。旭化成通過不懈努力,成功將氮化鋁基板的使用面積擴(kuò)大至以往量產(chǎn)產(chǎn)品的4.5倍。這一成果的實現(xiàn),主要得益于公司采用了直徑達(dá)4英吋(約100毫米)的基板,并將可使用面積從原先的80%提升至驚人的99%。

這一技術(shù)突破標(biāo)志著氮化鋁基板正邁向?qū)嵱没男码A段。以往,由于基板邊緣存在無法使用的部分,使得基板的實際利用率受到限制。然而,旭化成通過優(yōu)化制造工序和應(yīng)對溫度變化等技術(shù)手段,成功實現(xiàn)了基板的高利用率。這不僅提高了基板的性能,也為半導(dǎo)體廠商提供了更多優(yōu)質(zhì)的基板選擇。

據(jù)悉,擴(kuò)大后的基板面積將有助于削減成本。與傳統(tǒng)的2英吋基板相比,4英吋基板的可使用面積增加了4.5倍,這意味著在相同的生產(chǎn)條件下,可以生產(chǎn)更多的半導(dǎo)體器件,從而降低了生產(chǎn)成本。此外,基板的大型化還有助于提高生產(chǎn)效率,進(jìn)一步降低單位成本。

旭化成此次的技術(shù)突破不僅得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可,也引起了半導(dǎo)體廠商的濃厚興趣。為了推動氮化鋁基板的實用化進(jìn)程,旭化成已開始向多家半導(dǎo)體廠商提供樣品,并計劃到2027年實現(xiàn)基板的商業(yè)化應(yīng)用。同時,公司還計劃在未來幾年內(nèi)將基板口徑進(jìn)一步擴(kuò)大至6英吋,以滿足更多高性能半導(dǎo)體器件的需求。

氮化鋁基板的高耐電壓特性使其成為新一代功率半導(dǎo)體的理想選擇。預(yù)計該技術(shù)將首先應(yīng)用于衛(wèi)星通信5G基站等高頻領(lǐng)域,為這些領(lǐng)域提供更為穩(wěn)定、高效的電力支持。此外,隨著電動汽車等新能源汽車市場的不斷發(fā)展,氮化鋁基板也有望在充電器等汽車用途上發(fā)揮重要作用。

值得一提的是,旭化成此前一直在深紫外線LED等殺菌設(shè)備上使用氮化鋁基板。此次將基板技術(shù)應(yīng)用于功率半導(dǎo)體和高頻設(shè)備等領(lǐng)域,不僅拓寬了基板的應(yīng)用范圍,也為公司帶來了更多的市場機(jī)遇。

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭日益激烈的背景下,旭化成通過不斷創(chuàng)新和突破,成功在氮化鋁基板領(lǐng)域取得了領(lǐng)先地位。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和市場的不斷拓展,相信旭化成將在未來為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)。

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