一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

本土IDM廠商SiC MOSFET新進展,將應(yīng)用于車載電驅(qū)

Hobby觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:梁浩斌 ? 2024-06-25 00:05 ? 次閱讀

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)2024年已過半,可以發(fā)現(xiàn)800V平臺電動汽車在近半年時間里降本效應(yīng)明顯,最低價的800V平臺車型極狐阿爾法T5和小鵬G6都已經(jīng)降至不到18萬的價位。

800V平臺的普及,離不開碳化硅的產(chǎn)能提升以及降本節(jié)奏加速,在800V電壓系統(tǒng)下,一般需要1200V耐壓的車規(guī)級SiC MOSFET器件。該領(lǐng)域以往由ST、英飛凌、羅姆安森美等海外大廠壟斷,而近期,國產(chǎn)1200V SiC MOSFET又有了新進展。

本土IDM廠商量產(chǎn)第三代SiC MOSFET工藝平臺

最近瞻芯電子宣布其第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn),該工藝平臺將在瞻芯電子位于浙江義烏的車規(guī)級SiC晶圓廠上落地,并陸續(xù)推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。

值得關(guān)注的是,瞻芯電子基于第三代工藝平臺開發(fā),應(yīng)用于車載電驅(qū)系統(tǒng)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品(IV3Q12013T4Z)也已經(jīng)通過了車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試認(rèn)證。

目前瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET共有三款產(chǎn)品,包括IV3Q12013T4Z、IV3Q12013BA和IV3Q12013BD,均主要面向車載電驅(qū)系統(tǒng),據(jù)稱目前已經(jīng)獲得多家車載電驅(qū)客戶項目定點。

結(jié)構(gòu)方面,瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET繼續(xù)沿用上一代的平面柵型,但相比第二代工藝,元胞的Pitch縮小了超過20%。

核心指標(biāo)方面,第三代產(chǎn)品在保證器件的耐壓和短路能力的前提下,將比導(dǎo)通電阻Rsp降低至2.5mΩ*cm2,同時開關(guān)損耗也相比上一代降低30%以上。

除此之外,第三代產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻Rds(on)的溫度系數(shù)明顯降低,在高溫運行情況下,導(dǎo)通電阻增加較少。

作為汽車電驅(qū)應(yīng)用,車規(guī)級認(rèn)證是必不可少的流程。瞻芯第三代平臺首款產(chǎn)品IV3Q12013T4Z不僅按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)完成了三批次可靠性認(rèn)證,獲得車規(guī)級可靠性認(rèn)證證書,而且通過了更嚴(yán)格的Beyond-AECQ可靠性考核,包括動態(tài)可靠性(D-HTRB,D-H3TRB,AC-BTI),柵極負(fù)偏壓下的HTRB等。

國產(chǎn)SiC上車只是時間問題

近兩年我們看到國內(nèi)已經(jīng)有多家廠商推出了車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品,但從MOSFET到模塊再到上車,從OBC到電驅(qū),還需要一定的過程。當(dāng)國內(nèi)的車規(guī)級SiC MOSFET開始大規(guī)模出貨,能夠滿足相應(yīng)的規(guī)格,電驅(qū)模塊廠商自然會嘗試使用國產(chǎn)的器件。

但確實,由于從模塊廠商到電驅(qū)集成再到車企,需要較長的驗證周期,即使是SiC MOSFET通過了車規(guī)認(rèn)證,通過了車企等驗證,到最終的集成化電驅(qū)產(chǎn)品推出,并搭載在量產(chǎn)車型上,還至少需要兩年時間。

目前國產(chǎn)的車規(guī)SiC MOSFET已經(jīng)實現(xiàn)規(guī)模出貨,并向一些模塊廠商、電驅(qū)集成廠商供貨,相關(guān)產(chǎn)品也已經(jīng)有一定的完成度。實際上,國內(nèi)最早在電動汽車上使用碳化硅功率模塊的車企比亞迪,已經(jīng)全系覆蓋自研模塊,并部分使用了自研碳化硅MOSFET。

而車企自研SiC模塊也越來越多,比如小鵬、蔚來、理想等新勢力廠商,都采用了自研模塊,第三方代工的模式。同時,車企投資本土SiC器件廠商在過去幾年也是比較普遍的現(xiàn)象,那么車企自研模塊就意味著這些被投資的器件廠商也有更多的機會能夠向車企優(yōu)先供應(yīng)SiC MOSFET產(chǎn)品。

因此,隨著國產(chǎn)車規(guī)SiC MOSFET產(chǎn)品的逐漸成熟,以及逐步大規(guī)模供應(yīng),上車只是時間問題,包括比亞迪在近期也透露,其新建碳化硅工廠產(chǎn)能規(guī)模將是全球第一,并在下半年投產(chǎn)。相信最快在今年年底,我們能夠看到一些電動車型用上國產(chǎn)SiC MOSFET,2025年有望能夠覆蓋更多的車型。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    148

    文章

    7824

    瀏覽量

    217388
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3095

    瀏覽量

    64106
  • IDM
    IDM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    121

    瀏覽量

    19243
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    百度在AI領(lǐng)域的最新進展

    近日,我們在武漢舉辦了Create2025百度AI開發(fā)者大會,與全球各地的5000多名開發(fā)者,分享了百度在AI領(lǐng)域的新進展
    的頭像 發(fā)表于 04-30 10:14 ?201次閱讀

    國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商柵氧可靠性危機與破局分析

    國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在充電樁和車載OBC(車載充電機)等領(lǐng)域出現(xiàn)柵氧可靠性問題后,行業(yè)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。面對國產(chǎn)SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 04-20 13:33 ?156次閱讀
    國產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>廠商</b>柵氧可靠性危機與破局分析

    谷歌Gemini API最新進展

    體驗的 Live API 的最新進展,以及正式面向開發(fā)者開放的高質(zhì)量視頻生成工具 Veo 2。近期,我們面向在 Google AI Studio 中使用 Gemini API 的開發(fā)者推出了許多不容錯過的重要更新,一起來看看吧。
    的頭像 發(fā)表于 04-12 16:10 ?657次閱讀

    華為公布AI基礎(chǔ)設(shè)施架構(gòu)突破性新進展

    近日,華為公司常務(wù)董事、華為云計算CEO張平安在華為云生態(tài)大會2025上公布了AI基礎(chǔ)設(shè)施架構(gòu)突破性新進展——推出基于新型高速總線架構(gòu)的CloudMatrix 384超節(jié)點集群,并宣布已在蕪湖數(shù)據(jù)中心規(guī)模上線。
    的頭像 發(fā)表于 04-12 15:09 ?624次閱讀

    華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)成功舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會

    近日,華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會,共同探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計、制造、材料等領(lǐng)域的最新進展及挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 02-28 17:33 ?571次閱讀

    FF發(fā)布FX品牌最新進展

    "、"FF"或 "公司")今天宣布,將于2025年1月8日盤后公布其自2024年9月19日FX品牌發(fā)布以來的最新進展,包括最新項目進展、重大里程碑、新產(chǎn)品品類戰(zhàn)略及下一步計劃。
    的頭像 發(fā)表于 01-03 15:58 ?449次閱讀

    三菱電機1200V級SiC MOSFET技術(shù)解析

    1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前,1200V級SiC
    的頭像 發(fā)表于 12-04 10:50 ?1380次閱讀
    三菱電機1200V級<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)解析

    揭秘超以太網(wǎng)聯(lián)盟(UEC)1.0 規(guī)范最新進展(2024Q4)

    近期,由博通、思科、Arista、微軟、Meta等國際頂級半導(dǎo)體、設(shè)備和云廠商牽頭成立的超以太網(wǎng)聯(lián)盟(UEC)在OCP Global Summit上對外公布其最新進展——UEC規(guī)范1.0的預(yù)覽版本。讓我們一睹為快吧!
    的頭像 發(fā)表于 11-18 16:53 ?1006次閱讀
    揭秘超以太網(wǎng)聯(lián)盟(UEC)1.0 規(guī)范最<b class='flag-5'>新進展</b>(2024Q4)

    Qorvo在射頻和電源管理領(lǐng)域的最新進展

    了半導(dǎo)體行業(yè)的重大變革,還成功引領(lǐng)Qorvo成為射頻技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。在本次專訪中,Philip將為大家分享Qorvo在射頻和電源管理領(lǐng)域的最新進展,并探討HPA事業(yè)部如何通過技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)對全球電氣化和互聯(lián)化的挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 11-17 10:57 ?756次閱讀

    三菱電機提供SiC MOSFET裸片樣品

    近日,三菱電機集團宣布,將于11月14日開始提供用于電動汽車(EV)、插式混合動力汽車(PHEV)和其他電動汽車(xEV)驅(qū)逆變器的碳化硅(Si
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:43 ?1425次閱讀

    芯片和封裝級互連技術(shù)的最新進展

    近年來,計算領(lǐng)域發(fā)生了巨大變化,通信已成為系統(tǒng)性能的主要瓶頸,而非計算本身。這一轉(zhuǎn)變使互連技術(shù) - 即實現(xiàn)計算系統(tǒng)各組件之間數(shù)據(jù)交換的通道 - 成為計算機架構(gòu)創(chuàng)新的焦點。本文探討了通用、專用和量子計算系統(tǒng)中芯片和封裝級互連的最新進展,并強調(diào)了這一快速發(fā)展領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)、挑戰(zhàn)和機遇。
    的頭像 發(fā)表于 10-28 09:50 ?862次閱讀

    方正微電子:2025年實現(xiàn)16.8萬片/年車規(guī)SiC MOS產(chǎn)能

    近日,方正微電子發(fā)布了其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的最新進展。作為該領(lǐng)域的IDM(垂直整合制造)企業(yè),方正微電子目前擁有兩個fab(制造工廠)。
    的頭像 發(fā)表于 10-18 17:01 ?1969次閱讀

    5G新通話技術(shù)取得新進展

    在探討5G新通話這一話題時,我們需首先明確其背景與重要性。自2022年4月國內(nèi)運營商正式推出以來,5G新通話作為傳統(tǒng)語音通話的升級版,迅速吸引了公眾的目光,并引起了社會的廣泛關(guān)注。它基于5G網(wǎng)絡(luò),代表了通信技術(shù)的新進展
    的頭像 發(fā)表于 10-12 16:02 ?1026次閱讀

    SiC MOSFET在電動汽車中的應(yīng)用問題

    電動汽車中可能用到SiC MOSFET的主要汽車電子零部件包括車載充電機、車載DCDC變換器以及主驅(qū)逆變器等高壓高功率電力電子轉(zhuǎn)換器。
    的頭像 發(fā)表于 09-29 14:28 ?502次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>在電動汽車中的應(yīng)用問題

    中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)科研團隊取得量子計算研究新進展

    中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)科研團隊取得量子計算研究新進展 據(jù)央視新聞報道,中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)科研團隊利用自主研發(fā)的關(guān)鍵設(shè)備,利用“自底而上”的量子模擬方法,在國際上首次實現(xiàn)光子的反常分?jǐn)?shù)量子霍爾態(tài)。 據(jù)中國科大
    的頭像 發(fā)表于 05-08 16:40 ?931次閱讀