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采用1200V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊系列產(chǎn)品擴展

1200V的62mm CoolSiC MOSFET半橋模塊現(xiàn)已上市。由于采用了M1H芯片技術(shù)，模塊在VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅(qū)動電壓窗口方面性能得到了改善。現(xiàn)可提供2.9mΩ 1200V新規(guī)格，帶或不帶熱界面材料(TIM)。

相關(guān)產(chǎn)品：

FF3MR12KM1H 2.9mΩ，

1200V 62mm半橋模塊

FF3MR12KM1HP 2.9mΩ，

1200V 62mm半橋模塊 預(yù)涂TIM

產(chǎn)品特點

集成體二極管，優(yōu)化了熱阻

卓越的柵極氧化層可靠性

抗宇宙射線能力強

應(yīng)用價值

按照應(yīng)用苛刻條件優(yōu)化

更低的電壓過沖

導(dǎo)通損耗最小

高速開關(guān)，損耗極低

對稱模塊設(shè)計實現(xiàn)對稱的上下橋臂開關(guān)行為

標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝技術(shù)確保可靠性

62毫米高產(chǎn)量生產(chǎn)線的生產(chǎn)

競爭優(yōu)勢

通過碳化硅擴展成熟的62毫米封裝的產(chǎn)品，以滿足快速開關(guān)要求和低損耗的應(yīng)用。

電流密度最高，防潮性能強

應(yīng)用領(lǐng)域

儲能系統(tǒng)

電動汽車充電

光伏逆變器

UPS