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十年預(yù)言:Chiplet的使命

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來(lái)源:晶上世界 ? 作者:晶上世界 ? 2024-08-27 11:09 ? 次閱讀
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來(lái)源: 晶上世界

無(wú)論是人工智能深度學(xué)習(xí)、大數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)分析,還是超算中心的復(fù)雜模擬,都對(duì)芯片算力提出了前所未有的需求。大算力時(shí)代,如何駕馭數(shù)據(jù)洪流?中國(guó)科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所韓銀和研究員為我們揭示了未來(lái)十年內(nèi)芯片算力提升的核心動(dòng)力。

議題一:

算力困局如何突圍?

韓銀和研究員:

現(xiàn)有的高性能計(jì)算架構(gòu)正遭遇算力瓶頸。目前全球頂級(jí)的高性能計(jì)算系統(tǒng),由美國(guó)橡樹(shù)嶺國(guó)家實(shí)驗(yàn)室基于HPE Cray EX235a架構(gòu)研發(fā)的超級(jí)計(jì)算機(jī)Frontier,其算力雖已達(dá)到約1.69E FLOPS的峰值,卻依然難以滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的算力需求。而更嚴(yán)峻的是,現(xiàn)有架構(gòu)在光罩尺寸和技術(shù)限制的雙重束縛下,算力提升的空間已愈發(fā)有限,估算中的算力極限也不過(guò)約10E FLOPS。

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現(xiàn)階段,算力需求正以超摩爾定律的速度增長(zhǎng),而芯片的摩爾定律增長(zhǎng)卻逐漸放緩。這種供需之間的矛盾,正是當(dāng)前高性能計(jì)算架構(gòu)面臨算力危機(jī)的根本原因。根據(jù)芯片算力公式分析,單晶體管算力增長(zhǎng)相對(duì)穩(wěn)定,晶體管密度和芯片面積是主導(dǎo)芯片算力變化的兩個(gè)因素。以往芯片性能增長(zhǎng)主要依賴(lài)于尺寸縮放,未來(lái)芯片性能增長(zhǎng)范式會(huì)發(fā)生變化,主要變量將從尺寸縮放切換到面積縮放。

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然而,芯片的面積擴(kuò)展因受限于光罩尺寸、良率等制約無(wú)法持續(xù)擴(kuò)展。為了突破面積墻的限制,業(yè)界提出大芯片概念,是指面積大于一個(gè)光罩制造尺寸,采用半導(dǎo)體技術(shù)制造集成的芯片。它將成為未來(lái)十年內(nèi)驅(qū)動(dòng)算力提升的主要?jiǎng)恿Α?/strong>

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議題二:

大芯片的技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

韓銀和研究員:

大芯片有兩種技術(shù)思路。一種是美國(guó)Cerebras公司將整個(gè)晶圓作為一個(gè)芯片,用平面集成工藝制成WSE系列晶圓級(jí)大芯片。另一種則是我們提出的芯粒集成大芯片,是指先將晶體管集成制造為特定功能的芯粒(Chiplet),再按照應(yīng)用需求將芯粒通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)集成制造為芯片。它將成為尺寸微縮、新器件新材料革新以外芯片性能提升的第三條路徑。

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用芯粒集成的方法制作大芯片具備以下幾點(diǎn)優(yōu)勢(shì):

突破單芯片光刻面積瓶頸

突破工藝制約,可利用自主低世代集成電路工藝實(shí)現(xiàn)跨越1-2個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)的高端芯片性能

突破設(shè)計(jì)周期瓶頸,可通過(guò)模塊化的組合進(jìn)行快速設(shè)計(jì)和集成

議題三:

集成芯片的發(fā)展現(xiàn)狀

韓銀和研究員:

國(guó)際上先后推出了很多項(xiàng)目及法案支持集成芯片的發(fā)展,例如美國(guó)DARPA的CHIPS專(zhuān)項(xiàng)(2016年)、3DSoC 專(zhuān)項(xiàng)(2018年)和SHIP專(zhuān)項(xiàng)(2019年);美國(guó)白宮發(fā)布的《芯片與科學(xué)法案》(2022年)、歐盟理事會(huì)發(fā)布的《歐盟芯片法案》(2023年)等。

國(guó)內(nèi)同樣高度重視集成芯片的技術(shù)布局。2023年7月,國(guó)家自然科學(xué)基金委發(fā)布《集成芯片前沿技術(shù)科學(xué)基礎(chǔ)重大研究計(jì)劃》,對(duì)大規(guī)模芯粒集成的數(shù)學(xué)基礎(chǔ)、科學(xué)信息關(guān)鍵技術(shù)以及工藝集成物理理論等領(lǐng)域展開(kāi)針對(duì)性攻關(guān)。

現(xiàn)階段,全球市場(chǎng)上也已經(jīng)有一些運(yùn)用該技術(shù)思路的產(chǎn)品面世,例如英偉達(dá)的A100、華為的鯤鵬920、特斯拉的Dojo等。未來(lái),集成芯片技術(shù)將成為高性能芯片的必然選擇,而且會(huì)不斷追求更多種類(lèi)和數(shù)量的芯粒集成。

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議題四:

中科院計(jì)算所

在集成芯片領(lǐng)域的技術(shù)探索

韓銀和研究員:

作為中國(guó)芯片技術(shù)創(chuàng)新的先鋒,中科院計(jì)算所攜手之江實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)的之江大芯片一號(hào),設(shè)計(jì)目標(biāo)就是針對(duì)RISC-V處理器,設(shè)計(jì)64個(gè)Chiplet集成的芯片。同時(shí),在體系結(jié)構(gòu)創(chuàng)新角度,團(tuán)隊(duì)通過(guò)UMA+NUMA+Cluster體系結(jié)構(gòu)和集成設(shè)計(jì)的協(xié)同創(chuàng)新,探索以成熟可控的晶體管工藝,實(shí)現(xiàn)高性能芯片的技術(shù)途徑。

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在這過(guò)程中,我們分析了大規(guī)模芯粒集成存在的問(wèn)題,希望通過(guò)技術(shù)研究去彌合芯粒技術(shù)帶來(lái)的負(fù)面損失。例如芯粒分解再組合互連會(huì)增加通信延遲和能耗開(kāi)銷(xiāo),在同等計(jì)算規(guī)模下,芯粒集成系統(tǒng)比單芯片計(jì)算延遲高,當(dāng)計(jì)算規(guī)模增大時(shí),芯粒集成系統(tǒng)和單芯片計(jì)算延遲的差距也會(huì)隨之?dāng)U大,我們稱(chēng)之為“芯粒稅”問(wèn)題。為此,計(jì)算所在嘗試針對(duì)性探索更優(yōu)的互連設(shè)計(jì)方案。現(xiàn)階段,我們正在開(kāi)展之江大芯片二代的研制工作,二代芯片將采用更高性能的處理器,并在體系架構(gòu)上做更多創(chuàng)新,破解大規(guī)模集成、開(kāi)放性互連面臨的技術(shù)難點(diǎn)。

【近期會(huì)議】

10月30-31日,由寬禁帶半導(dǎo)體國(guó)家工程研究中心主辦的“化合物半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將首次與大家在江蘇·常州相見(jiàn),邀您齊聚常州新城希爾頓酒店,解耦產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌?chǎng)布局!https://w.lwc.cn/s/uueAru

11月28-29日,“第二屆半導(dǎo)體先進(jìn)封測(cè)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新大會(huì)”將再次與各位相見(jiàn)于廈門(mén),秉承“延續(xù)去年,創(chuàng)新今年”的思想,仍將由云天半導(dǎo)體與廈門(mén)大學(xué)聯(lián)合主辦,雅時(shí)國(guó)際商訊承辦,邀您齊聚廈門(mén)·海滄融信華邑酒店共探行業(yè)發(fā)展!誠(chéng)邀您報(bào)名參會(huì):https://w.lwc.cn/s/n6FFne


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審核編輯 黃宇

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