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2017年全球半導體規(guī)模將達4,289億美元創(chuàng)下史上最高紀錄

lOsp_gh_4459220 ? 2017-12-06 16:49 ? 次閱讀
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在無線通訊和資料處理市場需求強勁,以及存儲器售價高居不下的推動下,2017年第3季全球半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達到1,138.65億美元,較第2季1,016.57億美元,成長12.0%。

由于預期第4季無線通訊市場需求依然旺盛,整體存儲器售價也持續(xù)看漲,調(diào)研機構(gòu)IHS預估,2017全年全球半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模將年增21%,達4,289億美元,創(chuàng)下史上最高紀錄。

第3季各半導體終端應用市場規(guī)模都出現(xiàn)成長。在各類應用中,無線通訊應用市場規(guī)模占比更是超越30%,居其它各類應用之冠。

IHS資深分析師Brad Shaffer表示,支持擴增實境(AR)和影像運算等復雜功能的智能手機操作系統(tǒng)推出、高階手機配備的存儲器和儲存空間越來越高、視訊內(nèi)容大幅成長,以及支持gigabit級LTE無線傳輸手機增多等因素,都是推動無線通訊應用市場規(guī)模成長的重要因素。

資料顯示,第3季無線通訊應用半導體市場規(guī)模達348億美元,創(chuàng)下歷史新高。該應用市場規(guī)模約占當季整體半導體市場規(guī)模的31%。

預估第4季無線通訊應用市場規(guī)模還會成長至375億美元;2017全年規(guī)模將超過1,310億美元(約占整體31%)。

在存儲器市場方面,第3季全球整體存儲器市場規(guī)模季增16%,達351.30億美元。不但季增幅度居各類半導體產(chǎn)品之冠,存儲器也再度成為推動當季整體半導體市場成長的最主要力量。

其中DRAM產(chǎn)品受到行動裝置與服務器市場需求強勁推動,使得平均售價(ASP)與出貨量均向上攀升。第3季規(guī)模達到198億美元,再創(chuàng)歷史新高。

在NAND Flash方面,雖然第3季NAND Flash ASP維持平穩(wěn),但由于行動裝置與固態(tài)硬盤(SSD)季節(jié)性需求強勁,使得當季NAND Flash市場規(guī)模成長12.9%,達142億美元,亦創(chuàng)新高。

不過IHS表示,隨著NAND Flash產(chǎn)業(yè)持續(xù)轉(zhuǎn)向3D NAND技術(shù)發(fā)展,再加上市場需求將進入以往緩慢期,預估第4季與2018年初全球NAND Flash市場規(guī)模將會呈現(xiàn)疲軟。

就存儲器業(yè)者而言,三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)與威騰(WD)等前五大業(yè)者第3季營收都呈現(xiàn)季增。在前五大業(yè)者中,除威騰營收季增8.1%外,其余業(yè)者季增幅度都達到雙位數(shù)百分比。

第3季前五大業(yè)者合計營收,占所有存儲器業(yè)者總營收的91.3%,較第2季90.8%,增加了0.5個百分點。

就整體半導體業(yè)者而言,隨著第3季三星存儲器營收大幅季增16.2%,該公司整體半導體業(yè)務營收季增14.9%,達165.31億美元,擠下英特爾(Intel)的158.79億美元,躍居為全球最大半導體產(chǎn)品業(yè)者。

除了三星外,第3季SK海力士與美光也分別以營收70.84億與62.26億美元,續(xù)居第三與四名。

第3季排名第五的業(yè)者,則是由第2季排名第六的高通(Qualcomm),以營收45.96億美元,擠下博通(Broadcom)而取得。

合計第3季前五大業(yè)者營收,占所有半導體業(yè)者總營收的44.2%,較第2季43.5%,增加0.7個百分點。

NVIDIA也首度擠進全球前十大業(yè)者之列。此外,蘋果(Apple)半導體業(yè)務相當營收季增46.6%,超微(AMD)營收季增34.3%,為前20大業(yè)者中,季增幅度最高的業(yè)者。


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原文標題:【供應鏈】2017年全球半導體規(guī)模將達4,289億美元

文章出處:【微信號:gh_44592200c847,微信公眾號:gh_44592200c847】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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