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三星聯(lián)手IBM搞5nm新工藝叫板臺(tái)積電 臺(tái)積電5nm工廠已經(jīng)啟動(dòng)

M8kW_icbank ? 2018-01-20 19:56 ? 次閱讀
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晶圓代工龍頭臺(tái)積電昨(19)日發(fā)出邀請(qǐng)函,5 納米新廠將在下周五(26日)動(dòng)土,董事長(zhǎng)張忠謀親自主持動(dòng)土典禮,未來(lái)將有三期廠房生產(chǎn)5納米制程產(chǎn)品,顯示看好產(chǎn)業(yè)需求。臺(tái)積電在日前法說(shuō)會(huì)中,不但第1季淡季效應(yīng)不顯著,還提前預(yù)告「第2季更好」,昨日股價(jià)應(yīng)聲大漲,市值沖破新臺(tái)幣6.6兆元,再寫(xiě)新高。

臺(tái)積電日前舉行法說(shuō)會(huì),公布去年第4季和全年財(cái)報(bào),雖然匯率波動(dòng),但包括全年?duì)I收、稅后純益和每股純益等三項(xiàng)財(cái)務(wù)指標(biāo)都寫(xiě)下歷史新高紀(jì)錄,成為張忠謀今年6月最好的退休禮物。

臺(tái)積電第1季營(yíng)收季減幅度在一成以?xún)?nèi),張忠謀親自預(yù)告,第2季將會(huì)強(qiáng)勁成長(zhǎng)。若以美元計(jì)價(jià),2018年在高效能運(yùn)算、物聯(lián)網(wǎng)、車(chē)用電子等三大領(lǐng)域驅(qū)動(dòng)下,全年業(yè)績(jī)至少成長(zhǎng)10%。

張忠謀對(duì)前景看法樂(lè)觀,外資紛紛喊買(mǎi),昨日收盤(pán)價(jià)大漲7元、收255.5元,刷新歷史新高價(jià)位,市值突破6.6兆元,同樣創(chuàng)新高。

除了營(yíng)運(yùn)趨勢(shì)和股價(jià)表現(xiàn)亮眼,臺(tái)積電昨日發(fā)出邀請(qǐng)函,預(yù)定26日舉行晶圓18廠動(dòng)土典禮,當(dāng)天活動(dòng)將由張忠謀主持。

臺(tái)積電總經(jīng)理暨共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音于去年供應(yīng)鏈管理論壇就曾透露,5納米制程發(fā)展符合進(jìn)度,位于臺(tái)南科學(xué)園區(qū)的晶圓18廠將于今年動(dòng)土,將有三期廠房生產(chǎn)5納米,預(yù)計(jì)2019年上半年風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。

5nm工廠是南科12寸超大型晶圓廠Fab 14的延伸,預(yù)計(jì)將興建第8期至第10期等共3個(gè)廠區(qū),5nm合計(jì)月產(chǎn)能可望上看9~10萬(wàn)片。

臺(tái)積電5nm新廠今年9月動(dòng)土,占地超過(guò)40公頃,由于建廠及設(shè)備成本愈來(lái)愈高,5nm 3個(gè)廠區(qū)的總投資金額將創(chuàng)下新高紀(jì)錄,設(shè)備業(yè)者推估應(yīng)達(dá)新臺(tái)幣2,000億元。

除5納米外,臺(tái)積電去年9月也宣布3納米相關(guān)計(jì)劃,3納米新廠同樣座落于南科,投資金額將超過(guò)200億美元。

臺(tái)積電出貨與產(chǎn)能目前都保持積極狀態(tài),中國(guó)大陸南京廠提前于5月開(kāi)始出貨,位于***的5納米廠將動(dòng)土,3納米新廠建廠計(jì)劃也加速進(jìn)行中,持續(xù)挑戰(zhàn)全球半導(dǎo)體業(yè)兩大霸主英特爾三星。

張忠謀也表示,5nm規(guī)劃使用極紫外光(EUV) 微影技術(shù),以降低制程復(fù)雜度。但根據(jù)IBS的估算,在5nm節(jié)點(diǎn),設(shè)計(jì)一款主流芯片的成本將高達(dá)4.76億美元水平,而7nm節(jié)點(diǎn)的成本僅3.492億,28nm則是0.629億。

三星聯(lián)手IBM搞5nm新工藝叫板臺(tái)積電 臺(tái)積電5nm工廠已經(jīng)啟動(dòng)

三星聯(lián)手IBM搞5nm新工藝叫板臺(tái)積電

作為臺(tái)積電最有競(jìng)爭(zhēng)力的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,三星聯(lián)手IBM打造5nm新工藝叫板臺(tái)積電。

為了實(shí)現(xiàn)這個(gè)壯舉,就必須在現(xiàn)有的芯片內(nèi)部構(gòu)架上進(jìn)行改變。研究團(tuán)隊(duì)將硅納米層進(jìn)行水平堆疊,而非傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體行業(yè)的垂直堆疊構(gòu)架,這使得5nm晶體管的工藝有了實(shí)現(xiàn)可能,而這一工藝將有可能引爆未來(lái)芯片性能的進(jìn)一步高速發(fā)展。

實(shí)際上,從工藝架構(gòu)本身來(lái)說(shuō),這種從垂直架構(gòu)到水平層疊的轉(zhuǎn)換相當(dāng)于在硅晶體管上打開(kāi)了第四扇“門(mén)”,使得電信號(hào)能夠在芯片中通過(guò)不同的晶體管。而從尺寸上來(lái)說(shuō),這些晶體管的寬度不大于兩三根并排在一起的DNA分子鏈。

那到底能為我們的生活帶來(lái)怎樣的改變?根據(jù) IBM 官方的說(shuō)法,比較直觀的描述是,當(dāng)我們?cè)陂喿x這篇文章時(shí),假設(shè)正在使用的移動(dòng)設(shè)備只剩下 10% 的電量,但基于 5 納米制程技術(shù)的芯片將使得移動(dòng)設(shè)備在需要充電之前仍然可以使用數(shù)小時(shí),而不是幾分鐘。未來(lái)配備此類(lèi)新型芯片的移動(dòng)設(shè)備續(xù)航時(shí)間將比現(xiàn)在要延長(zhǎng)數(shù)天。

數(shù)十年來(lái),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)縮小電子元件的狂熱追求是有原因的。芯片上集成的電路越多,電子產(chǎn)品的速度越快、效率越高、成本越低。而著名的摩爾定律在 1965 年首次提出之時(shí)則認(rèn)為,芯片上的晶體管數(shù)量每年翻一番,該預(yù)測(cè)在 1975 年被更改為每?jī)赡辍?/p>

盡管半導(dǎo)體行業(yè)集成技術(shù)的發(fā)展速度越來(lái)越達(dá)不到摩爾定理的預(yù)期,但不管怎么說(shuō),晶體管的尺寸還是在變得越來(lái)越小。

圖丨摩爾定律

其實(shí),半導(dǎo)體的縮小并不是什么高技術(shù)活兒。上一個(gè)主要突破就發(fā)生在 2009 年,研究者們發(fā)明了一種叫做FinFET的晶體管設(shè)計(jì)方式,而其第一次大規(guī)模制造則開(kāi)始于 2012 年——這給整個(gè)行業(yè)打了一劑強(qiáng)心針,為 22 納米這一尺寸上的處理器創(chuàng)造了可能。FinFET是晶體管行業(yè)的革命性突破——其關(guān)鍵在于,在三維結(jié)構(gòu)而非二維平面上控制電流的傳遞。

IBM半導(dǎo)體研究小組副組長(zhǎng) Mukesh Khare 表示,“原則上說(shuō),F(xiàn)inFET的結(jié)構(gòu)就是一個(gè)簡(jiǎn)單的長(zhǎng)方形,其中的三條邊上各有一個(gè)小門(mén)”。如果把晶體管想象成一個(gè)開(kāi)關(guān),不同的電壓就會(huì)控制這道門(mén)“開(kāi)啟”或“關(guān)閉”。在三個(gè)不同方向上加上門(mén)能夠最大化這個(gè)開(kāi)關(guān)的電流量,并最小化電流的漏出,所以增加了整體的效率。

但在五年后,這一技術(shù)也幾乎發(fā)展到了盡頭。對(duì)此,半導(dǎo)體制造公司 VLSL Research 首席執(zhí)行官 Dan Hutcheson 表示,問(wèn)題在于 FinFET 就像一條流淌的小溪。FinFET在目前常見(jiàn)的 10 納米處理器上正常工作,在 7 納米上應(yīng)該也沒(méi)有問(wèn)題?!暗?納米的尺度上,我們就需要一個(gè)新的結(jié)構(gòu)了?!盚utcheson說(shuō)。

圖丨IBM Research Alliance 在幾層硅芯片上的 5 納米晶體管

終于,在 FinFET 的垂直結(jié)構(gòu)發(fā)展終結(jié)之后,IBM 宣布在與 Global Foundries 和三星的合作下開(kāi)發(fā)出了水平排布的硅納米板,并以這種結(jié)構(gòu)在晶體管上加了第四道門(mén)。你可以想象 FinFET 的結(jié)構(gòu)調(diào)轉(zhuǎn)了過(guò)來(lái),元件相互疊在了頂上。在尺度上來(lái)說(shuō),電信號(hào)在一個(gè)和 DNA 螺旋一樣大的開(kāi)關(guān)上流動(dòng)。

“這是一個(gè)巨大的進(jìn)步”,Hutcheson說(shuō)?!叭绻覀兡馨丫w管變得更小更密集,我就能在同等面積的芯片得到更快的處理速度。”也就是在一個(gè)指甲的芯片上,從 200 億個(gè) 7 納米晶體管飛躍到了 300 億個(gè) 5 納米晶體管。對(duì)此,IBM 預(yù)計(jì),會(huì)在同樣功率上把處理效率提高 40%,或者在同樣效率上減少 70% 的功耗。

圖丨IBM 科學(xué)家 Nicolas Loubet 握著使用業(yè)界一流制程工藝生產(chǎn)的 5nm 硅晶體管芯片

雖然根據(jù)行業(yè)內(nèi)的預(yù)估,基于新架構(gòu)所開(kāi)發(fā)的可商用處理器不會(huì)在2019年前投入市場(chǎng)。但不可否認(rèn)的是,5 納米處理器工藝的成熟與否將決定未來(lái)自動(dòng)駕駛5G通訊等行業(yè)的商業(yè)化程度。

“整個(gè)社會(huì)的發(fā)展全靠它了!因?yàn)槲磥?lái)即將出現(xiàn)的人工智能、自動(dòng)駕駛等技術(shù)都對(duì)計(jì)算能力提出了更高的要求,”Hutcheson說(shuō)?!皼](méi)有新的處理器生產(chǎn)技術(shù),人類(lèi)文明將就此停滯?!?/p>

就拿自動(dòng)駕駛技術(shù)來(lái)舉例,雖然我們現(xiàn)在已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛汽車(chē)的上路行駛,但不得不說(shuō),其所依賴(lài)的智能芯片的價(jià)格仍然高達(dá)數(shù)萬(wàn)美元,這對(duì)于準(zhǔn)備大規(guī)模商業(yè)化的產(chǎn)品來(lái)說(shuō),顯然不太現(xiàn)實(shí)。而 5 納米制程工藝的出現(xiàn)將有希望將這一成本大幅降低。

再比如,IoT(物聯(lián)網(wǎng))傳感器設(shè)備由于需要不間斷地收集實(shí)時(shí)的數(shù)據(jù)流,所以必須保持一直在線(xiàn)的狀態(tài),而要做到這一點(diǎn),也必須依靠高性能的處理器。

IBM半導(dǎo)體研究小組副組長(zhǎng) Mukesh Khare 對(duì)此有一個(gè)精辟的評(píng)價(jià):“摩爾定律所衍生的超高經(jīng)濟(jì)價(jià)值是毋庸置疑的,其關(guān)鍵之處就在于效率的提升和價(jià)值的創(chuàng)造是依賴(lài)于架構(gòu)的創(chuàng)新,而非傳統(tǒng)的擴(kuò)大規(guī)模的方式。”

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原文標(biāo)題:臺(tái)積電5nm工廠正式動(dòng)土,三星攜新工藝亦步亦趨

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