英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域持續(xù)取得重大突破，繼推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓及在馬來(lái)西亞居林建立全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠后，再次宣布了一項(xiàng)新的里程碑成就。此次，英飛凌成功處理和加工了史上最薄的硅功率晶圓，該晶圓直徑為300mm，厚度僅為20μm，相當(dāng)于頭發(fā)絲的四分之一，比當(dāng)前最先進(jìn)的40-60μm晶圓厚度減少了一半。

英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示，這款全球最薄的硅晶圓彰顯了英飛凌致力于推動(dòng)功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展，為客戶創(chuàng)造卓越價(jià)值的決心。這一突破標(biāo)志著英飛凌在節(jié)能功率解決方案領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展，有助于充分發(fā)揮全球低碳化和數(shù)字化趨勢(shì)的潛力。通過(guò)掌握Si、SiC和GaN這三種半導(dǎo)體材料，英飛凌進(jìn)一步鞏固了其在行業(yè)創(chuàng)新方面的領(lǐng)先地位。

這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)將大幅提升功率轉(zhuǎn)換解決方案的能效、功率密度和可靠性，廣泛應(yīng)用于AI數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)、電機(jī)控制和計(jì)算等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)硅晶圓解決方案相比，晶圓厚度減半可使基板電阻降低50%，從而減少功率系統(tǒng)中的功率損耗15%以上。對(duì)于高端AI服務(wù)器應(yīng)用，超薄晶圓技術(shù)促進(jìn)了基于垂直溝槽MOSFET技術(shù)的垂直功率傳輸設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了與AI芯片處理器的高度緊密連接，提高了整體效率并減少了功率損耗。

英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White指出，新型超薄晶圓技術(shù)推動(dòng)了英飛凌以最節(jié)能方式為不同類型的AI服務(wù)器配置提供動(dòng)力的目標(biāo)。隨著AI數(shù)據(jù)中心能源需求的急劇上升，能效變得至關(guān)重要?；谥须p位數(shù)的增長(zhǎng)率，英飛凌預(yù)計(jì)其AI業(yè)務(wù)收入在未來(lái)兩年內(nèi)將達(dá)到10億歐元。

為了克服將晶圓厚度降低至20μm的技術(shù)障礙，英飛凌工程師們創(chuàng)新了一種獨(dú)特的晶圓研磨方法，極大地影響了薄晶圓背面的處理和加工。同時(shí)，他們還解決了晶圓翹曲度和晶圓分離等技術(shù)和生產(chǎn)挑戰(zhàn)，確保晶圓穩(wěn)定性和一流穩(wěn)健性的后端裝配工藝。20μm薄晶圓工藝基于英飛凌現(xiàn)有的制造技術(shù)，能夠無(wú)縫集成到現(xiàn)有的大批量Si生產(chǎn)線中，保證高產(chǎn)量和供應(yīng)安全性。

該技術(shù)已被應(yīng)用于英飛凌的集成智能功率級(jí)（直流-直流轉(zhuǎn)換器）中，并已交付給首批客戶。同時(shí)，英飛凌還擁有與20μm晶圓技術(shù)相關(guān)的強(qiáng)大專利組合，進(jìn)一步體現(xiàn)了其在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)先地位。英飛凌預(yù)測(cè)，在未來(lái)三到四年內(nèi)，現(xiàn)有的傳統(tǒng)晶圓技術(shù)將被用于低壓功率轉(zhuǎn)換器的替代技術(shù)所取代。這一突破進(jìn)一步鞏固了英飛凌在市場(chǎng)上的獨(dú)特地位，并為其提供了全面的產(chǎn)品和技術(shù)組合，覆蓋了基于Si、SiC和GaN的器件，這些器件是推動(dòng)低碳化和數(shù)字化的關(guān)鍵因素。