安建半導(dǎo)體(JSAB) 繼年初推出業(yè)界領(lǐng)先的150V SGT MOSFET 產(chǎn)品平臺(tái)，同年已將中高壓平臺(tái)擴(kuò)充至120V 及200V，平臺(tái)沿用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，實(shí)現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作。年初推出的150V平臺(tái)已在不同應(yīng)用及客戶之間取得認(rèn)可，達(dá)到成熟量產(chǎn)階段，新產(chǎn)品能同樣廣泛應(yīng)用于通信和數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、叉車和輕型電動(dòng)車低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及電池管理系統(tǒng)(BMS)。

1.產(chǎn)品性能

1. 優(yōu)化FOM (Figure of Merit)：極低導(dǎo)通及開關(guān)損耗，適用于高載頻及高功率工況，提供高效的能量轉(zhuǎn)換和節(jié)能效果。

2. 高可靠性：-55 ~ 175 ℃工作范圍，卓越的可靠性與耐用性，全面滿足工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。

3. 高抗沖擊能力：低熱阻，高雪崩能力，滿足高電流及瞬間關(guān)斷時(shí)的要求。

4. 良好一致性：支持多管并聯(lián)應(yīng)用。

2.技術(shù)特點(diǎn)

JSAB 120V SGT MOSFET優(yōu)化了元胞尺寸(Pitch) 及基板(Substrate) ，在確保最低120V的擊穿電壓基礎(chǔ)下，大幅降低電阻，優(yōu)化大電流工作時(shí)的可靠性及系統(tǒng)溫度。與當(dāng)前可用的器件相比，這些新MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(on) 降幅高達(dá)26%，非常適合采用大功率或96V電池的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)或電池管理系統(tǒng)(BMS) 應(yīng)用。

JSAB 150V及200V SGT MOSFET同樣采用深溝槽技術(shù)，透過優(yōu)化漂移區(qū)(Drift region) 及基板(Substrate) 阻抗，能以相同芯片大小，達(dá)到更低的FOM (RDS(on) x Qg)，大幅降低開關(guān)損耗及導(dǎo)通損耗?？商鎿Q國(guó)外一流進(jìn)口品牌，非常適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)或可在服務(wù)器、電源等高頻開關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域。

3.推薦型號(hào)

綜上所述，JSAB 中高壓SGT平臺(tái)產(chǎn)品能夠完全媲美國(guó)際一流進(jìn)口品牌的性能，非常適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)或電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用領(lǐng)域。JSAB亦會(huì)持續(xù)擴(kuò)充高性能，高質(zhì)量產(chǎn)品，并完善同平臺(tái)產(chǎn)品線。JSAB有能力也有信心接受客戶嚴(yán)苛的測(cè)試和檢驗(yàn)，如需樣品，歡迎與我司聯(lián)系。

安建半導(dǎo)體致力于為客戶提供國(guó)際一流、國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體器件，如需樣品，歡迎聯(lián)系。