引言
共晶燒結(jié)貼片技術(shù)在微電子封裝領(lǐng)域具有重要地位,特別是在軍用陶瓷或金屬封裝中的應(yīng)用尤為廣泛。然而,這一技術(shù)在實(shí)際應(yīng)用中面臨著一個(gè)關(guān)鍵問題:Sn基焊料極易氧化形成Sn2O、SnO2等氧化物,這些氧化物在共晶過程中會不斷堆積在焊料表面,形成焊料表面懸浮顆粒,進(jìn)而引發(fā)PIND(Particle Impact Noise Detection)失效。本文基于氧化膜破裂理論,通過對當(dāng)前使用的共晶燒結(jié)氮?dú)獗Wo(hù)結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn),旨在實(shí)現(xiàn)局部高純度氮?dú)獗Wo(hù)環(huán)境,減少焊料表面懸浮氧化物顆粒,從而提高封裝的可靠性和成品率。
研究背景
在共晶燒結(jié)貼片過程中,焊料表面的氧化物顆粒是封裝體內(nèi)部可動自由粒子的主要來源之一。這些氧化物顆粒在電路使用過程中,可能因發(fā)射、震動而脫離焊料本體,隨機(jī)移動并碰撞損傷芯片表面或鍵合引線,導(dǎo)致電路短路、斷路等誤動作,具有極大的危害性和可靠性風(fēng)險(xiǎn)。因此,控制焊料表面懸浮氧化物顆粒的堆積情況,減少PIND失效率,是提高封裝質(zhì)量的關(guān)鍵。
研究方法
當(dāng)前氮?dú)獗Wo(hù)結(jié)構(gòu)的不足
目前,共晶燒結(jié)貼片過程中常用的氮?dú)獗Wo(hù)結(jié)構(gòu)存在一些問題。例如,氮?dú)飧咚倭鬟^加熱臺表面時(shí),由于伯努利效應(yīng),加熱臺表面形成負(fù)壓,導(dǎo)致大量空氣中的氧氣從加熱臺側(cè)面及表面流過,形式上具備氮?dú)獗Wo(hù)結(jié)構(gòu),實(shí)際上并無氮?dú)獗Wo(hù)效果。此外,現(xiàn)有的氮?dú)獗Wo(hù)結(jié)構(gòu)在共晶燒結(jié)過程中,由于氮?dú)饬鲃訒r(shí)附帶混雜空氣,使其純度不高,焊料容易發(fā)生二次氧化,導(dǎo)致焊料表面形貌不良。
改進(jìn)方案
為了克服現(xiàn)有氮?dú)獗Wo(hù)結(jié)構(gòu)的不足,本文提出了三種改進(jìn)方案,并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了其有效性。
方案一:四面包圍式氮?dú)獗Wo(hù)結(jié)構(gòu)
該方案通過在側(cè)面吹拂氮?dú)?,底面空隙處加裝氮?dú)鈿獾秮韺?shí)現(xiàn)氮?dú)獗Wo(hù)。然而,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該方案仍然無法有效防止空氣中的氧氣進(jìn)入燒結(jié)臺面,焊料表面形貌仍然不佳。
方案二:正面加蓋式氮?dú)獗Wo(hù)結(jié)構(gòu)
該方案通過在加熱臺正面加蓋來減少氧氣的進(jìn)入。然而,存在的問題是氮?dú)獍鼑Y(jié)構(gòu)不易固定,整體平臺不穩(wěn)固。
方案三:小型半密閉腔體式氮?dú)獗Wo(hù)結(jié)構(gòu)
該方案將加熱臺及其底座整體包圍,正面加蓋,僅露出需要共晶的加熱臺表面,形成半密封的結(jié)構(gòu)形式。氮?dú)鈨H從底面?zhèn)炔苛鬟M(jìn),從上面加蓋的開口處流出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該方案能夠有效實(shí)現(xiàn)局部高純度氮?dú)獗Wo(hù)環(huán)境,減少焊料表面懸浮氧化物顆粒。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
焊料表面形貌改善
通過對改進(jìn)前后的焊料表面形貌進(jìn)行掃描電鏡分析,結(jié)果表明,改進(jìn)后的焊料表面光亮圓潤,極少有懸浮氧化物顆粒堆積或粘附。相比之下,改進(jìn)前的焊料表面顏色暗淡,表面形貌粗糙,有大量懸浮氧化物顆粒。
PIND失效率和成本損失降低
大量統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)表明,采用改進(jìn)后的氮?dú)獗Wo(hù)結(jié)構(gòu),有效降低了PIND失效率和成品篩選電路的成本損失。這主要得益于焊料表面懸浮氧化物顆粒的顯著減少,從而降低了可動顆粒導(dǎo)致的電路短路、斷路等誤動作的危害性和可靠性風(fēng)險(xiǎn)。
潤濕性和可靠性提升
研究表明,氮?dú)獗Wo(hù)能夠提升焊料的潤濕性和可靠性。在良好的氮?dú)獗Wo(hù)環(huán)境下,焊料表面的氧化物層會破裂,熔融焊料從氧化層的裂縫處流出形成新的表面。這一過程不僅減少了焊料表面的懸浮氧化物顆粒,還提高了焊料的潤濕性和流散性,降低了焊料中的空洞和微缺陷數(shù)量,從而提高了封裝的可靠性。
討論
共晶燒結(jié)貼片過程中焊料表面的氧化物顆粒問題是影響封裝質(zhì)量的關(guān)鍵因素之一。通過改進(jìn)氮?dú)獗Wo(hù)結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)局部高純度氮?dú)獗Wo(hù)環(huán)境,可以有效減少焊料表面懸浮氧化物顆粒的堆積情況,提高封裝的可靠性和成品率。
然而,需要注意的是,氮?dú)獗Wo(hù)結(jié)構(gòu)的改進(jìn)雖然能夠顯著降低PIND失效率和成本損失,但并不能完全消除焊料氧化的可能性。因此,在實(shí)際應(yīng)用中還需要結(jié)合其他措施來進(jìn)一步控制焊料氧化問題。例如,可以在共晶燒結(jié)過程中使用助焊劑以減少氧化物顆粒的形成;或者采用更先進(jìn)的封裝技術(shù)和材料來提高封裝的整體性能。
此外,本文提出的改進(jìn)方案雖然在實(shí)驗(yàn)中取得了顯著效果,但在實(shí)際應(yīng)用中還需要考慮設(shè)備的成本、維護(hù)難度以及生產(chǎn)效率等因素。因此,在未來的研究中還需要進(jìn)一步優(yōu)化改進(jìn)方案,以實(shí)現(xiàn)更經(jīng)濟(jì)、高效、可靠的氮?dú)獗Wo(hù)效果。
結(jié)論
本文通過對共晶燒結(jié)貼片氮?dú)獗Wo(hù)結(jié)構(gòu)的改進(jìn)研究,成功實(shí)現(xiàn)了局部高純度氮?dú)獗Wo(hù)環(huán)境,有效減少了焊料表面懸浮氧化物顆粒的堆積情況,提高了封裝的可靠性和成品率。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,改進(jìn)后的氮?dú)獗Wo(hù)結(jié)構(gòu)能夠顯著降低PIND失效率和成本損失,提升焊料的潤濕性和可靠性。未來研究將進(jìn)一步優(yōu)化改進(jìn)方案,以實(shí)現(xiàn)更經(jīng)濟(jì)、高效、可靠的氮?dú)獗Wo(hù)效果。
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