隨著全球?qū)Νh(huán)境保護意識的增強和能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型，光儲充系統(tǒng)作為連接光伏發(fā)電、儲能裝置和電動汽車充電站的重要橋梁，正迎來前所未有的發(fā)展機遇。而功率半導體，作為光儲充系統(tǒng)中的核心器件，其性能和技術(shù)水平直接影響著整個系統(tǒng)的效率和可靠性。

那么，當前市場上哪些功率半導體產(chǎn)品最受青睞？它們又具有哪些獨特優(yōu)勢呢？本文將為您帶來詳細解答。

1、【清純】SiC MOSFET 1200V/40mR S1M040120H

1200V/40mR SiC MOSFET 可靠性好，并且通過了雙應(yīng)力加嚴測試，芯片RSP低，驅(qū)動兼容所有品牌15V和18V，各項參數(shù)達國際先進水平

2、【瑞能】第二代高功率密度1200V SiC MOSFET系列

· BV》1600V

· Ron，sp=2.6mΩ·cm2（@20Vgs）

· FOM=3.27ΩnC（@18Vgs）

· Rdson溫變極小，NTC特性增強

· SiC晶圓厚度僅150um

· 高門極耐壓Vgs_max： -12V~+24V，

· 極高的柵氧可靠性

· 封裝成品均采用銀燒結(jié)工藝，封裝熱阻電阻大幅降低，可靠性提升

3、【中晶新源（上海）】SS065N045FIA（650 V / 450 A IGBT 光伏逆變模塊 ）

高功率密度，采用中點鉗位技術(shù)的三電平逆變模塊

采用大規(guī)格晶圓，減少并聯(lián)數(shù)量，提高均流及模塊可靠性

低電感布局，減小關(guān)斷尖峰，利于驅(qū)動和EMI 設(shè)計

相較進口競品，損耗減小7%，轉(zhuǎn)換效率提升0.13%，提升功率密度

相較進口競品，實測BV值提升6.2%，更寬的安全裕量，滿足客戶復雜的應(yīng)用場景

適用于120kW功率等級光伏逆變器，已在標桿客戶批量使用，助力客戶打造卓越的產(chǎn)品應(yīng)用方案

4、【合科泰】功率MOS:HKTE120N15，HKTE150N15，HKTE110N20 IGBT單管：HKTH75N65

可靠性更強：終端結(jié)構(gòu)優(yōu)化

總損壞降低：Vce，sat降低0.5V，開關(guān)損耗下降20%

高功率密度：Easy2B Pin TO Pin，同樣冷卻系統(tǒng)，電流增加35%

5、【愛仕特】62mm封裝SiC模塊

愛仕特全新62mm封裝SiC模塊突破了硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限，為碳化硅打開了250kW以上中等功率應(yīng)用的大門，擴展到太陽能、服務(wù)器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。

模塊采用成熟的62mm器件半橋拓撲設(shè)計，同時采用了全焊片工藝以及自建不同熔點焊片體系，保證了焊料層的穩(wěn)定性及可控性，提高了器件的耐溫度循環(huán)能力；愛仕特62mm模塊具有出色的溫度循環(huán)能力和175°C的連續(xù)工作溫度（Tvjop），帶來出色的系統(tǒng)可靠性。其內(nèi)部的對稱環(huán)流設(shè)計，使得產(chǎn)品具有更低寄生參數(shù)及開關(guān)特性。

6、【三安】碳化硅MOSFET

通過完全自主研發(fā)，設(shè)計開發(fā)了包括1200V/75mΩ/32mΩ/16mΩ/ 13mΩ SiC MOSFET器件/芯片；產(chǎn)品性能已到達國內(nèi)先進水平，其中Ronsp達到320mΩ?cm2；溝道遷移率不低于30cm?v/s

6、【上海貝嶺】BLG75T65F

正面采用Dummy Trench +載流子積累層結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)優(yōu)越的Vcesat和短路能力的折衷性能，在具有短路能力的同時失效低的Vcesat；

IGBT背面采用H FS工藝，失效良好的Vcesat-Eoff的折衷關(guān)系；

優(yōu)化的終端設(shè)計，達到175℃的結(jié)溫，以及高可靠性。

7、【瑞迪】RG900B12MM7RY

靜態(tài)參數(shù)：

VCES≥1200V；IC=900A；

VCE（sat）≤2.1V，Tj=175℃；

VF≤2.5V， Tj=175℃;

動態(tài)參數(shù)：

Eoff：

115mJ（IC=900A，VCE=600V，VGE=-8V/+15V，Rgoff=0.8Ω，Tj=175℃）;

Eon：

78mJ（IC=900A，VCE=600V，VGE=-8V/+15V，Rgoff=0.8Ω，Tj=175℃）。

采用瑞迪自主IGBT芯片及FRD芯片。

8、【宏微】125kW組串式光伏逆變器產(chǎn)品 MMG450HP065PD6T5

采用焊接針的GHP封裝（兼容Flow2）；

功率密度高的模塊；

采用低內(nèi)阻、高可靠性的的PIN針設(shè)計；

低寄生電感的模塊設(shè)計設(shè)計；

450A 650V NPC-I 拓

9、【蓉矽】1200V/75mΩ NovuSiC MOSFET NC1M120C75HT

1200V/75mΩ碳化硅場效應(yīng)管-NC1M120C75HT具有全面優(yōu)異的電學性能、魯棒性、可靠性，在大幅度降低靜態(tài)損耗的同時減小動態(tài)損耗，可以提高系統(tǒng)整體功率密度，降低系統(tǒng)總成本，產(chǎn)品特點如下：

滿足車規(guī)級芯片可靠性要求的工規(guī)級產(chǎn)品2.低比導通電阻：

Ron，sp@（VGS=20V）=3.5mΩ·cm2

低動態(tài)損耗：Qgd=15nC

低密勒電容：Cgd=6pF

短路耐受時間＞3μs，動態(tài)性能達到國際水平

柵氧化層長期可靠，電場強度遠小于常規(guī)4.0MV/cm限制

閾值電壓（Vth）高達3.2V，抗串擾能力強

10、【瑤芯微電子科技（上海）】AK1BK2A140YAHH

具有高電流密度、低功率耗散等特點，已在300kW以上光伏電站大規(guī)模量產(chǎn)應(yīng)用

11、【基本】新一代高性能、高可靠性的碳化硅MOSFET功率器件B2M040120Z

一、主要性能和指標

閾值電壓高，可提升器件抗誤導通的能力，提高器件的實際應(yīng)用中的可靠度。

柵氧可靠性高，在柵極工作電壓范圍內(nèi)，有效改善柵極可靠性，利于器件長期工作。

導通電阻溫度系數(shù)低，高溫175℃下導通電阻僅為室溫下導通電阻的1.65倍，有利于降低器件高溫工作時的通態(tài)損耗。

二、技術(shù)先進性

更低比導通電阻

通過綜合優(yōu)化芯片設(shè)計方案，比導通電阻降低約40%，產(chǎn)品綜合性能顯著提升。

更低器件開關(guān)損耗

器件Qg降低了約60%，開關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss及Crss/Ciss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串擾行為下誤導通的風險。

更高可靠性

通過更高標準的HTGB、HTRB和H3TRB關(guān)鍵可靠性考核，產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。

更高工作結(jié)溫

工作結(jié)溫175℃，提高器件高溫工作能力。