LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，該器件的固有優(yōu)勢(shì)包括超低輸入和輸出電容、零反向恢復(fù)（可將開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá) 80%）以及低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴（可降低 EMI）。這些優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)了像圖騰柱 PFC 這樣的密集和高效的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

LMG341xR150 通過(guò)集成一組獨(dú)特的功能來(lái)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能，從而為傳統(tǒng)的共源共柵 GaN 和獨(dú)立 GaN FET 提供智能替代方案。集成柵極驅(qū)動(dòng)可在接近零的 V 電壓下實(shí)現(xiàn) 100 V/ns 的開(kāi)關(guān)DS 系列振鈴、小于 100ns 的電流限制響應(yīng)可針對(duì)意外的擊穿事件進(jìn)行自我保護(hù)，過(guò)熱關(guān)斷可防止熱失控，系統(tǒng)接口信號(hào)提供自我監(jiān)控功能。
*附件：具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 LMG341xR150 600V、150mΩ、GaN FET 數(shù)據(jù)表 .pdf

特性

• TI GaN 工藝通過(guò)加速可靠性應(yīng)用內(nèi)硬開(kāi)關(guān)配置文件認(rèn)證
• 支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)
  • 優(yōu)于共源共柵或獨(dú)立 GaN FET 的系統(tǒng)性能
  • 低電感 8 mm × 8 mm QFN 封裝，易于設(shè)計(jì)和布局
  • 可調(diào)節(jié)的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，用于開(kāi)關(guān)性能和 EMI 控制
  • 數(shù)字故障狀態(tài)輸出信號(hào)
  • 只需要 +12 V 的非穩(wěn)壓電源
• 集成柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 零共源電感
  • 高頻設(shè)計(jì)的傳播延遲為 20ns
  • 用于補(bǔ)償閾值變化的微調(diào)柵極偏置電壓可確?？煽康拈_(kāi)關(guān)
  • 25V/ns 至 100V/ns 可調(diào)轉(zhuǎn)換速率
• 強(qiáng)大的保護(hù)
  • 無(wú)需外部保護(hù)元件
  • 具有 <100 ns 響應(yīng)的過(guò)流保護(hù)
  • 大于 150V/ns 的轉(zhuǎn)換速率抗擾度
  • 瞬態(tài)過(guò)壓抗擾度
  • 過(guò)熱保護(hù)
  • 所有電源軌上的欠壓鎖定 （UVLO） 保護(hù)
• 設(shè)備選項(xiàng)：
  • LMG3410R150 ：鎖存過(guò)流保護(hù)
  • LMG3411R150 ：逐周期過(guò)流保護(hù)

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品型號(hào)?：LMG341xR150（包括LMG3410R150和LMG3411R150）
• ?特性?：600V GaN FET，集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，低電感8mm×8mm QFN封裝
• ?優(yōu)勢(shì)?：高功率密度、高效率、超低的輸入和輸出電容、無(wú)反向恢復(fù)電荷

2. 主要特性

• ?集成驅(qū)動(dòng)器?：
  • 零共源電感
  • 20ns傳播延遲
  • 可調(diào)整的門(mén)極偏置電壓和斜率
• ?保護(hù)功能?：
  • 過(guò)流保護(hù)（<100ns響應(yīng)）
  • 過(guò)溫保護(hù)
  • 欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)
  • 瞬態(tài)過(guò)壓免疫
• ?設(shè)備選項(xiàng)?：
  • LMG3410R150：鎖存式過(guò)流保護(hù)
  • LMG3411R150：逐周期過(guò)流保護(hù)

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

• 工業(yè)AC-DC轉(zhuǎn)換器
• 筆記本電腦電源適配器
• LED顯示屏
• 伺服驅(qū)動(dòng)器功率級(jí)

4. 電氣特性

• ?最大漏源電壓?：600V
• ?連續(xù)漏極電流?：
  • @Tj = 25℃：17A
  • @Tj = 100℃：13.5A
• ?導(dǎo)通電阻?：
  • @Tj = 25℃：150mΩ
  • @Tj = 125℃：250mΩ

5. 開(kāi)關(guān)特性

• ?最大dv/dt?：>100V/ns
• ?傳播延遲?：
  • 開(kāi)通：14.4ns（RDRV = 15kΩ, VNEG = -14V）
  • 關(guān)斷：24ns（RDRV = 15kΩ, VNEG = -14V）
• ?故障延遲?：50ns（過(guò)流故障到FAULT引腳變低）

6. 熱信息

• ?結(jié)到環(huán)境熱阻?（RθJA）：28.6°C/W
• ?結(jié)到頂部外殼熱阻?（RθJC(top)）：9.9°C/W
• ?結(jié)到底部外殼熱阻?（RθJC(bot)）：1.4°C/W

7. 布局指南

• ?電源環(huán)路電感?：最小化電源環(huán)路電感以減少電壓應(yīng)力和EMI。
• ?信號(hào)地連接?：源極引腳也是信號(hào)地參考，信號(hào)地平面應(yīng)通過(guò)低阻抗連接到源極。
• ?旁路電容器?：驅(qū)動(dòng)器的旁路電容器應(yīng)放置在靠近IC的位置，以最小化阻抗。

8. 應(yīng)用和實(shí)施

• ?典型應(yīng)用?：提供了半橋配置的典型應(yīng)用電路圖和設(shè)計(jì)步驟。
• ?設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?：包括斜率選擇、信號(hào)電平轉(zhuǎn)換、Bootstrap電路設(shè)計(jì)等。

9. 電源供應(yīng)建議

• ?隔離電源供應(yīng)?：推薦使用隔離電源供應(yīng)高側(cè)設(shè)備，以減少寄生參數(shù)并提高設(shè)計(jì)效率。
• ?Bootstrap二極管?：在半橋配置中，可以使用Bootstrap二極管為頂部開(kāi)關(guān)提供浮動(dòng)電源，但需謹(jǐn)慎選擇二極管并管理Bootstrap電壓。