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DS24B33 1-Wire 4Kb EEPROM技術(shù)手冊

要長高 ? 2025-02-26 14:04 ? 次閱讀

概述
DS24B33是一個(gè)4096位1-Wire EEPROM.由16個(gè)256位的存儲頁組成.數(shù)據(jù)被寫入32字節(jié)的草稿行,經(jīng)過驗(yàn)證,然后復(fù)制到EEPROM存儲器。DS24B33通過單導(dǎo)線1-Wizre總線進(jìn)行通信。通信遵循標(biāo)準(zhǔn)1-Wire協(xié)議。每個(gè)設(shè)備都有自己的不可復(fù)制且唯一的64位注冊號,該注冊號在工廠編程到芯片中。注冊號用于在多點(diǎn)1-Wire網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中對設(shè)備進(jìn)行尋址。DS24B33的軟件與DS2433兼容。

數(shù)據(jù)表:*附件:DS24B33 1-Wire 4Kb EEPROM技術(shù)手冊.pdf

特性

  • 4096位非易失EEPROM劃分為16個(gè)256位存儲頁
  • 讀、寫操作向下兼容于DS2433
  • 256位暫存器采用嚴(yán)格的讀/寫協(xié)議操作,保證數(shù)據(jù)傳輸完整性
  • 唯一的、由工廠編程的64位注冊碼保證器件選擇無誤,確保每個(gè)器件絕對識別
  • 切換點(diǎn)滯回可以在嘈雜環(huán)境下獲得最佳性能
  • 通過1-Wire協(xié)議以15.4kbps或125kbps與主機(jī)通信
  • 低成本插裝和SMD封裝
  • 工作范圍:+2.8V至+5.25V,-40°C至+85°C
  • IO引腳具有IEC 1000-4-2 4級ESD保護(hù)(±8kV接觸放電模式、±15kV氣隙放電模式,典型值)

應(yīng)用

校準(zhǔn)常數(shù)的存儲
查事會標(biāo)識
產(chǎn)品修訂狀態(tài)的存儲

操作電路
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DS24B33在單芯片中集成了4Kb數(shù)據(jù)EEPROM和全功能單線接口。存儲器由16頁組成,每頁256位。稱為暫存區(qū)的易失性256位存儲器頁在向EEPROM寫入數(shù)據(jù)時(shí)充當(dāng)緩沖區(qū),以確保數(shù)據(jù)完整性。數(shù)據(jù)首先寫入暫存器,在傳輸?shù)紼EPROM之前,可以從暫存器回讀以進(jìn)行驗(yàn)證。DS24B33的操作通過單導(dǎo)體單線總線控制。設(shè)備通信遵循標(biāo)準(zhǔn)的單線協(xié)議。讀寫DS24B33所需的能量完全來自單線通信線路。每個(gè)DS24B33都有自己不可更改的唯一64位注冊號。注冊號保證唯一的標(biāo)識,用于在多點(diǎn)1線網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中對設(shè)備進(jìn)行尋址。多個(gè)24B33器件可以駐留在一條共用的單線總線上,彼此獨(dú)立工作。DS24B33的應(yīng)用包括校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲、PCB認(rèn)證和產(chǎn)品版本狀態(tài)存儲。S24B33與DS2433高度向后兼容,包括具有相同的系列代碼。
圖1顯示了DS24B33的主要控制部分和存儲器部分之間的關(guān)系。DS24B33有四個(gè)主要數(shù)據(jù)部分:64位注冊號、32字節(jié)暫存區(qū)、16頁32字節(jié)EEPROM和一個(gè)CRC-16發(fā)生器。圖2顯示了單線協(xié)議的層次結(jié)構(gòu)??偩€主機(jī)必須首先提供七個(gè)ROM(網(wǎng)絡(luò))功能命令之一:讀取ROM、匹配ROM、搜索ROM、跳過ROM、恢復(fù)、過驅(qū)動跳過ROM或過驅(qū)動匹配ROM。以標(biāo)準(zhǔn)速度執(zhí)行過驅(qū)ROM命令字節(jié)后,器件進(jìn)入過驅(qū)模式,所有后續(xù)通信以更高速度進(jìn)行。圖9描述了這些ROM功能命令所需的協(xié)議。成功執(zhí)行ROM功能命令后,可以訪問存儲器功能,主機(jī)可以提供四個(gè)存儲器功能命令中的任何一個(gè)。圖7描述了這些命令的協(xié)議。首先讀取所有數(shù)據(jù)并寫入最低有效位(LSB)。
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引腳配置
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