作者| 北灣南巷

出品| 芯片技術(shù)與工藝

在現(xiàn)代電子學(xué)的宏偉建筑中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET-Field Effect Transistor）是其不可或缺的基石。這些精巧的電子組件以其卓越的性能優(yōu)勢(shì):低功耗、高輸入阻抗和簡(jiǎn)便的偏置需求, 在電子技術(shù)的發(fā)展史上占據(jù)了舉足輕重的地位。從20世紀(jì)初期的創(chuàng)新思想和專利申請(qǐng)，到當(dāng)代的高科技發(fā)展和廣泛應(yīng)用。我們將回顧那些早期科學(xué)家們的遠(yuǎn)見卓識(shí)，他們?nèi)绾蔚於薋ETs技術(shù)的基礎(chǔ)，并開啟了一系列科技革命。我們還將探索FETs的類型、它們的工作原理以及它們的關(guān)鍵規(guī)格。

#01FET晶體管：電子革命的先驅(qū)

在電子技術(shù)的發(fā)展史上，場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的誕生標(biāo)志著一個(gè)新時(shí)代的開啟。回溯到1926年，朱利葉斯·埃德加·利連菲爾德（Julius Edgar Lilienfeld）首次為這一革命性發(fā)明申請(qǐng)了專利。盡管他的設(shè)計(jì)充滿了前瞻性，但技術(shù)挑戰(zhàn)的重重難關(guān)使得其實(shí)際應(yīng)用步履維艱。

朱利葉斯·埃德加·利連菲爾德在1925年提出了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的概念

利連菲爾德的FET原型采用了薄金屬膜作為柵極，這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)被沉積在半導(dǎo)體基底之上。然而，金屬與半導(dǎo)體之間的接觸質(zhì)量欠佳，導(dǎo)致了高電阻和低效的器件性能。加之所用絕緣層的不穩(wěn)定性，使得該器件難以承受高電壓的考驗(yàn)。這些技術(shù)瓶頸迫切需要突破，以期將FET的應(yīng)用帶入現(xiàn)實(shí)世界。

時(shí)間推進(jìn)到1934年，奧斯卡·海爾（Oskar Heil）為一種類似的器件申請(qǐng)了專利。與利連菲爾德的嘗試相比，海爾的器件雖未遭遇直接的挫敗，但在實(shí)際應(yīng)用中也未能取得顯著的成功。海爾的設(shè)計(jì)采用了金屬-半導(dǎo)體結(jié)，相較于利連菲爾德的金屬氧化物層，這一結(jié)構(gòu)在生產(chǎn)和控制上更具挑戰(zhàn)性，限制了其應(yīng)用范圍。

盡管如此，海爾的工作并非默默無聞。事實(shí)上，他的發(fā)明為后來者提供了寶貴的啟示。直到肖克利和他的團(tuán)隊(duì)在貝爾實(shí)驗(yàn)室取得了突破性進(jìn)展，結(jié)型晶體管的誕生才真正揭開了FET潛力的序幕。肖克利、巴丁和布拉頓因共同發(fā)明結(jié)型晶體管——其中包括了關(guān)鍵的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管——在1956年榮獲了諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。

自那時(shí)起，F(xiàn)ET技術(shù)經(jīng)歷了翻天覆地的變化，它不僅在20世紀(jì)留下了深刻的烙印，更在21世紀(jì)繼續(xù)作為電子組件的中流砥柱，推動(dòng)著科技的浪潮不斷向前。FET晶體管的歷史，是一段充滿挑戰(zhàn)與創(chuàng)新的旅程，它的故事仍在繼續(xù)，伴隨著每一次技術(shù)的飛躍，都在為人類社會(huì)的發(fā)展貢獻(xiàn)著不可或缺的力量。

#02場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET)：電子器件的心臟

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）是一種半導(dǎo)體器件，其精巧的構(gòu)造和獨(dú)特的工作原理，使其在電子器件中扮演著心臟般的角色。FET的核心在于其由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的溝道，以及溝道兩端的兩個(gè)關(guān)鍵電極：漏極（D）和源極(S)。這兩個(gè)電極之間的電流流動(dòng)，受到第三個(gè)電極—柵極（G）的精準(zhǔn)控制。柵極緊鄰溝道，通過在柵極端施加電壓，可以調(diào)節(jié)溝道內(nèi)的載流子數(shù)量，進(jìn)而引發(fā)源極和漏極之間電流流動(dòng)的精細(xì)變化。

2.1FET的神秘力量：場(chǎng)效應(yīng)的魔力

在探索場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的工作原理時(shí)，我們仿佛揭開了電子世界中一個(gè)神秘力量的面紗。當(dāng)電壓在柵極電極上被施加時(shí)，它在絕緣層上激發(fā)出一個(gè)電場(chǎng)，這個(gè)電場(chǎng)如同一位隱形的指揮家，在溝道中巧妙地塑造出一個(gè)耗盡區(qū)。這片耗盡區(qū)，通過減少溝道中自由載流子的數(shù)量，巧妙地降低了溝道的導(dǎo)電性。這一現(xiàn)象，我們稱之為“場(chǎng)效應(yīng)”，它構(gòu)成了FET工作的基本原理。

在n型FET的世界里，柵極電極上的負(fù)電壓施展其魔法，創(chuàng)造出一個(gè)耗盡區(qū)，有效減少了從源極流向漏極的電子大軍。而在p型FET的領(lǐng)域中，正電壓的施加則召喚出一個(gè)耗盡區(qū)，它減少了空穴的流動(dòng)，從而同樣實(shí)現(xiàn)了對(duì)電流的精確控制。通過調(diào)節(jié)柵極電極上的電壓，我們能夠自如地控制溝道的導(dǎo)電性，進(jìn)而調(diào)節(jié)FET中的電流流動(dòng)。

為了更直觀地理解FET的工作原理，我們將其比作一個(gè)精巧的水管系統(tǒng)。在這個(gè)比喻中，F(xiàn)ET的源極就像一個(gè)不斷涌出水流的源頭，而漏極則是一個(gè)收集這些水流的容器。柵極則扮演著一個(gè)關(guān)鍵角色——它就像一個(gè)控制水流的閥門，通過調(diào)節(jié)其開啟的程度，決定了水流的強(qiáng)度和方向。

正如閥門通過開啟和關(guān)閉來調(diào)節(jié)水流，柵極端上施加的電壓也控制著從FET的源極到漏極的電流流動(dòng)。FET利用柵極端上施加的電壓，調(diào)節(jié)溝道中的載流子數(shù)量，從而控制電流的流動(dòng)。這一過程，不僅僅是電子器件中的一個(gè)簡(jiǎn)單動(dòng)作，它是FET在電子世界中施展其魔力的核心機(jī)制。

注：在半導(dǎo)體器件的術(shù)語中，"P"、"N"通常指的是半導(dǎo)體材料的摻雜類型，這些類型決定了半導(dǎo)體器件的電學(xué)特性。

下面是每個(gè)術(shù)語的具體含義：

1. P型（P-type）：P型半導(dǎo)體是通過在本征（或純凈的）半導(dǎo)體材料中摻雜一定量的三價(jià)（penta-valent）雜質(zhì)元素制成的。這些雜質(zhì)原子在半導(dǎo)體晶格中替代了一些原有的原子，但它們只有三個(gè)自由的價(jià)電子可以參與導(dǎo)電，相比周圍的四價(jià)半導(dǎo)體原子少了一個(gè)電子。因此，P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是“空穴”（holes），即電子的缺失。三價(jià)元素通常是周期表中第13族的元素，也稱為硼族元素。這個(gè)族的元素包括硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)和鉈(Tl)等。

2. N型（N-type）：N型半導(dǎo)體是通過在本征半導(dǎo)體中摻雜一定量的五價(jià)（pentavalent）雜質(zhì)元素制成的。這些雜質(zhì)原子同樣替代了晶格中的原有原子，但它們有五個(gè)價(jià)電子，多出一個(gè)可以自由移動(dòng)的電子。因此，N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是自由電子。五價(jià)元素通常是周期表中第15族的元素，也稱為氮族元素。這個(gè)族的元素包括氮(N)、磷(P)、砷(As)、銻(Sb)和鉍(Bi)等。

五族元素、三族元素

2.2FET晶體管：電子流動(dòng)的指揮家

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FETs），作為電子工程中的精妙構(gòu)造，以其獨(dú)特的方式引導(dǎo)電流的流動(dòng)。FETs分為兩大陣營(yíng)：多數(shù)載流子器件和少數(shù)載流子器件。在多數(shù)載流子器件中，電流主要由占多數(shù)的載流子—電子或空穴—來攜帶；而在少數(shù)載流子器件中，電流的流動(dòng)則主要依賴于少數(shù)載流子。

在FETs的微觀世界里，電子通過一個(gè)由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的活性溝道，從源極（S）流向漏極（D）。這一過程中，歐姆接觸如同一座橋梁，將端點(diǎn)導(dǎo)體與半導(dǎo)體材料緊密相連。源極和柵極之間的電位差，如同指揮家的手勢(shì)，決定了溝道的導(dǎo)電性，進(jìn)而影響電流的流動(dòng)。

FET的三重奏：源極、漏極、柵極

1. 源極（S）：作為電流進(jìn)入FET的門戶，源極是電子流動(dòng)的起點(diǎn)（這是載流子進(jìn)入溝道的端點(diǎn)。），用IS表示其電流。

2. 漏極（D）：電流的終點(diǎn)，電子在這里離開FET（這是載流子離開溝道的端點(diǎn)），用ID表示其電流。漏極和源極之間的電壓VDS，是控制電流跳躍的關(guān)鍵力量。

3. 柵極（G）：作為調(diào)節(jié)溝道導(dǎo)電性的魔術(shù)師，這個(gè)端點(diǎn)控制源極和漏極之間的導(dǎo)電性，柵極通過電壓的變化，精準(zhǔn)控制ID的大小，用IG表示柵極電流，用VGS柵極-源極電壓。柵極的電壓，如同解鎖電流流動(dòng)的秘密鑰匙。

圖中：體極（Body）：這是構(gòu)建FET的基底。在離散應(yīng)用中，它在內(nèi)部與源極引腳相連，允許完全忽略其效應(yīng)。然而，在集成電路中，這個(gè)引腳通常會(huì)連接到NMOS電路中最負(fù)的電源（在PMOS電路中為最正的電源），因?yàn)樵S多晶體管將共享它。當(dāng)涉及體極連接時(shí)，仔細(xì)的連接和設(shè)計(jì)對(duì)于維持FET性能至關(guān)重要。

溝道（Channel）：這是多數(shù)載流子從源極端點(diǎn)流向漏極端點(diǎn)的區(qū)域。

每個(gè)端點(diǎn)的名稱都源于其獨(dú)特的功能，它們共同協(xié)作，如同現(xiàn)實(shí)生活中控制水流的閘門。柵極以其精細(xì)的控制能力，可以開啟電子流動(dòng)的大門，也可以在必要時(shí)關(guān)閉它們，以阻止電子的通過。

2.3FET的家族：多樣的成員，統(tǒng)一的使命

在半導(dǎo)體器件的廣闊天地中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FETs）以其多樣化的類型和統(tǒng)一的使命而獨(dú)樹一幟。

它們主要分為兩大家族成員：

1. 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）：作為FET家族的元老，JFET以其簡(jiǎn)潔的結(jié)構(gòu)和強(qiáng)大的功能，成為電子世界中的一員虎將。JFET是一種三端半導(dǎo)體電子器件，它既可以作為電子控制的電阻器，也可以作為開關(guān)，以其電壓控制的特性，無需偏置電流即可工作。JFET通過調(diào)節(jié)柵極上的電壓，巧妙地控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)，其秘訣在于電場(chǎng)對(duì)耗盡區(qū)寬度的精準(zhǔn)操控。

JFET進(jìn)一步分為兩種類型：

N溝道JFET，其中導(dǎo)電是由電子的移動(dòng)來完成的。

P溝道JFET，其中導(dǎo)電是由空穴的移動(dòng)來完成的。

在許多電子應(yīng)用中，N溝道JFET比P溝道JFET更受青睞，因?yàn)殡娮拥倪w移率比空穴的遷移率更好。

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）是場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）最早的類型。電流通過源極到漏極之間的活性溝道流動(dòng)。柵極和源極之間施加的電壓控制著JFET源極和漏極之間電流的流動(dòng)。通過在柵極端施加反向偏置電壓，溝道被壓縮，因此電流被完全關(guān)閉。這就是為什么JFET被稱為“常開”器件。JFET晶體管有N溝道和P溝道兩種類型。

JFET的奧秘：電壓與耗盡區(qū)的舞蹈

JFET的工作原理是電壓與耗盡區(qū)之間的一場(chǎng)精妙舞蹈。當(dāng)柵極到源極的電壓為零時(shí)，耗盡區(qū)收縮，提供低電阻的電流溝道，此時(shí)JFET處于飽和狀態(tài)。而當(dāng)柵極電壓降低，耗盡區(qū)擴(kuò)張，有效溝道寬度減少，JFET變得具有更高的電阻性。反之，柵極電壓的增加則會(huì)使耗盡區(qū)收縮，溝道導(dǎo)電性增加，JFET的電阻性降低。

N溝道JFET

在N溝道JFET中，溝道摻雜了施主雜質(zhì)，使其成為N型半導(dǎo)體。因此，通過溝道的電流以電子的形式呈現(xiàn)負(fù)值流動(dòng)。因此得名N溝道JFET。兩個(gè)P型基底在其中間部分的兩側(cè)摻雜。因此，通過這些高摻雜的P型區(qū)域和中間的N型溝道形成了兩個(gè)PN結(jié)。柵極（G）引線在內(nèi)部連接到兩個(gè)P型端點(diǎn)，而漏極（D）和源極（S）引線連接到N型溝道的任一端。

它如何工作？

當(dāng)柵極引線未施加電壓時(shí)，溝道成為電子流動(dòng)的寬闊路徑。因此，最大電流從源極流向漏極。電流流動(dòng)的量由源極和漏極之間的電位差和溝道的內(nèi)部電阻決定。

但是，當(dāng)相對(duì)于源極在柵極引線上施加負(fù)電壓時(shí)，會(huì)發(fā)生相反的情況，使PN結(jié)反向偏置。在溝道中形成了一個(gè)耗盡區(qū)，這使得溝道變窄，增加了源極和漏極之間的溝道電阻，電流流動(dòng)減少。

P溝道JFET

同樣，在P溝道JFET中，溝道摻雜了受主雜質(zhì)，使其成為P型半導(dǎo)體。因此，通過溝道的電流以空穴的形式呈現(xiàn)正值流動(dòng)。因此得名P溝道JFET。溝道的對(duì)面重?fù)诫s了N型基底。就像在N溝道JFET中一樣，柵極端點(diǎn)是通過連接兩側(cè)的N型區(qū)域形成的。源極和漏極端點(diǎn)取自溝道的另外兩側(cè)。

其工作原理也類似于N溝道JFET。唯一的區(qū)別是您需要提供正的柵極到源極電壓來關(guān)閉它。然而，由于電子在導(dǎo)體中的遷移率比空穴高，N溝道JFET具有更大的電流導(dǎo)電性，因?yàn)闇系离娮栎^低。這使得N溝道JFET比P溝道類型更高效。

特性

這里JFET通過直流電源偏置，這將控制JFET的VGS（柵極-源極電壓）。我們可以通過改變VGS來控制漏極和源極之間的施加電壓。從那里，我們可以繪制出JFET的I-V（電流-電壓）特性曲線。

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）的輸出特性是在恒定的柵極-源極電壓（VGS）下，漏極電流（ID）與漏極-源極電壓（VDS）之間的關(guān)系繪制而成的，如下圖所示。

截止區(qū)（耗盡區(qū)pinch-off region）:這是JFET關(guān)閉的區(qū)域，意味著沒有漏極電流ID從漏極流向源極。

歐姆區(qū)(ohmic region):在這個(gè)區(qū)域，JFET開始對(duì)從漏極流向源極的漏極電流ID表現(xiàn)出一定的電阻。通過JFET的電流與施加的電壓成線性關(guān)系。

飽和區(qū)(saturation region):當(dāng)漏極-源極電壓達(dá)到一個(gè)值，使得通過器件的電流與漏極-源極電壓無關(guān)，而僅隨柵極-源極電壓變化時(shí)，器件被認(rèn)為是處于飽和區(qū)。

擊穿區(qū)(breakdown region):當(dāng)漏極到源極的電壓VDS超過最大閾值，導(dǎo)致耗盡區(qū)擊穿時(shí)，JFET失去其抵抗電流的能力，漏極電流無限增加。

2.金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）：MOSFET是FET家族中的另一位明星，以其絕緣柵極和對(duì)電壓敏感的導(dǎo)電性而著稱。MOSFET具有更大的重要性，是所有晶體管中最有用、最常見的類型。MOSFET幾乎不需要輸入電流就能調(diào)節(jié)負(fù)載電流，這使其在電子信號(hào)的切換和放大方面具有顯著的優(yōu)勢(shì)。

MOSFET的魅力：高效率的電子信號(hào)處理器

MOSFET以其高效率和對(duì)電壓變化的敏感響應(yīng)，成為電子信號(hào)處理的理想選擇。它有兩種模式：增強(qiáng)型和耗盡型。在增強(qiáng)型MOSFET中，柵極電壓的增加會(huì)提升其導(dǎo)電性；而在耗盡型中，電壓的增加則會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)電性下降。

MOSFET器件的主要原理是能夠使用在柵極端施加的電壓來控制源極和漏極之間電壓和電流的流動(dòng)。位于源極和漏極之間的氧化物層下方的半導(dǎo)體表面，可以通過施加正電壓或負(fù)電壓來分別從P型反轉(zhuǎn)為N型。當(dāng)我們施加一個(gè)排斥力，即正柵極電壓時(shí)，那么位于氧化物層下方的空穴被推向下至襯底。耗盡區(qū)由與受主原子相關(guān)的束縛負(fù)電荷組成。當(dāng)電子到達(dá)時(shí)，就會(huì)形成一個(gè)溝道。正電壓還會(huì)從n+源極和漏極區(qū)域吸引電子進(jìn)入溝道?，F(xiàn)在，如果在漏極和源極之間施加電壓，電流就會(huì)自由地在源極和漏極之間流動(dòng)，柵極電壓控制著溝道中的電子。如果我們不是施加正電壓，而是施加負(fù)電壓，那么在氧化物層下方會(huì)形成一個(gè)空穴。

溝道是通過兩個(gè)高摻雜的N型區(qū)域擴(kuò)散到輕摻雜的P型襯底中制成的。這兩個(gè)N型區(qū)域被稱為漏極和源極，而P型區(qū)域被稱為襯底?？刂茤艠O的隔離使得MOSFET的輸入電阻極高，達(dá)到兆歐姆（MΩ）的量級(jí)，因此幾乎為無窮大。因此，沒有電流被允許流入柵極。

MOSFET的類型

有兩種MOSFET被廣泛使用：

根據(jù)工作模式的不同，主要分為兩大類：增強(qiáng)型和耗盡型。這兩類的區(qū)別在于柵極電壓對(duì)溝道電流的影響方式。在增強(qiáng)型中，柵極電壓的施加增加了溝道中的電流流動(dòng)；而在耗盡型中，柵極電壓的作用則是減少溝道電流。這一微妙的差異，賦予了在不同電子應(yīng)用中的獨(dú)特價(jià)值和功能。

耗盡型MOSFET：

耗盡型MOSFET在沒有柵極電壓時(shí)是導(dǎo)通的，類似于一個(gè)打開的開關(guān)。當(dāng)柵極到源極電壓（V_GS）為負(fù)時(shí)，在柵極下方的溝道中會(huì)形成一個(gè)耗盡區(qū)，阻止電流的流動(dòng)，因此可以用來關(guān)閉設(shè)備。這種類型的MOSFET因其控制機(jī)制而得名，即通過耗盡溝道中的載流子來控制電流。

2. 增強(qiáng)型MOSFET：

增強(qiáng)型MOSFET在沒有柵極電壓或柵極電壓低于閾值電壓時(shí)是關(guān)閉狀態(tài)。為了打開N溝道MOSFET，需要在柵極和源極之間施加正電壓，這會(huì)在柵極下方吸引電子形成導(dǎo)電溝道。隨著施加的正電壓增加，導(dǎo)電溝道的寬度增加，從而增加了從源極到漏極的電流流動(dòng)。對(duì)于P溝道MOSFET，則需要施加負(fù)電壓來吸引空穴形成導(dǎo)電溝道。

進(jìn)一步來說，耗盡型和增強(qiáng)型MOSFET被分類為N溝道和P溝道類型。

N溝道MOSFET：

N溝道MOSFET在源極和漏極之間有一個(gè)N型溝道。在這里，源極和柵極被重?fù)诫sN型半導(dǎo)體，而襯底則摻雜有P型半導(dǎo)體材料。因此，源極和漏極之間的電流流動(dòng)是由電子引起的，并且電流流動(dòng)由柵極電壓控制。

2. P溝道MOSFET：

同樣，P溝道MOSFET在源極和漏極之間有一個(gè)P型溝道。在這里，源極和柵極被重?fù)诫sP型半導(dǎo)體，而襯底則摻雜有N型半導(dǎo)體材料。因此，源極和漏極之間的電流流動(dòng)是由空穴引起的，并且電流流動(dòng)由柵極電壓控制。

2.4FET在電子世界中的應(yīng)用廣泛而深遠(yuǎn)

在混頻器電路中，F(xiàn)ET通過限制低互調(diào)失真，保證了信號(hào)的純凈度。

FET的小尺寸耦合電容器使其成為低頻放大器的理想選擇。

作為運(yùn)算放大器中的可變電壓電阻器，F(xiàn)ET以其電壓控制特性，為信號(hào)處理提供了靈活性。

FET的大輸入阻抗使其成為示波器、電壓表等測(cè)量工具的必備輸入放大器。

在調(diào)頻（FM）設(shè)備的無線電頻率放大器中，F(xiàn)ET以其高效率和低噪聲特性，保證了信號(hào)的清晰傳輸。

FET在電視和調(diào)頻接收機(jī)的混頻操作中，扮演著至關(guān)重要的角色。

得益于其小尺寸，F(xiàn)ET在LSI（大規(guī)模集成電路）和計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)模塊中也有著不可替代的地位。

FET，作為電子技術(shù)中的多面手，以其多樣化的類型和廣泛的應(yīng)用，不斷推動(dòng)著電子世界的發(fā)展和創(chuàng)新。

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