概述

ADRF5030 是非反射式單刀雙擲 （SPDT） 開關(guān)使用絕緣體上硅 （SOI） 制造 過程。ADRF5030 的工作頻率范圍為 100 MHz 至 20 GHz，具有 插入損耗低于 1.2 dB，隔離度高于 45 分貝。該器件的 RF 輸入功率處理能力為 RFC 和 RFx 的平均值為 33 dBm/峰值為 36 dBm 路徑、終止路徑和 RFC 和 RFx 端口。ADRF5030采用雙電源電壓工作 ±3.3 V。ADRF5030采用互補金屬氧化物 半導體 （CMOS） 和低壓晶體管到晶體管邏輯 （LVTTL） 兼容控制。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADRF5030 100MHz至20GHz、非反射式硅SPDT開關(guān)技術(shù)手冊.pdf

ADRF5030 還可以在單個正電源電壓下工作 （V DD） 施加，同時將負電源電壓 （V SS ） 連接到 地。在這種工作條件下，小信號性能 同時保持開關(guān)特性、線性度和功率 處理性能被降低。有

ADRF5030 與 ADRF5022 引腳兼容，并且 ADRF5026，并且引腳與 ADRF5031 兼容，這是一種慢速開關(guān)、 低截止版本，工作頻率范圍為 9 kHz 至 20 GHz。

ADRF5030 封裝在 20 端子、3 mm × 3 mm 的封裝中， 符合 RoHS 標準，基板柵格陣列 （LGA）。ADRF5030 運行 從 ?40°C 到 +105°C。

應用

• 測試儀器
• 軍用無線電、雷達、電子對抗措施 （ECM）
• 微波無線電和甚小孔徑終端 （VSAT）
  特性
• 寬帶頻率范圍，100 MHz 至 20 GHz
• 非反光設(shè)計
• 低插入損耗
  • 0.1 GHz 至 6 GHz 之間為 0.7 dB（典型值）
  • 6 GHz 至 12 GHz 之間為 0.9 dB（典型值）
  • 1.2 dB（典型值），最高 20 GHz
• 高隔離度
  • 100 MHz 至 6 GHz 之間為 55 dB（典型值）
  • 6 GHz 至 12 GHz 之間為 50 dB（典型值）
  • 45 dB（典型值），最高 20 GHz/li>
• 高輸入線性度
  • P0.1dB：>36 dBm（典型值）
  • IP3：60 dBm（典型值）
• 高 RF 功率處理能力
  • 直通路徑：36 dBm 峰值 / 33 dBm 平均值
  • 端接路徑：36 dBm 峰值 / 33 dBm 平均值
  • 熱開關(guān)路徑：36 dBm 峰值/33 dBm 平均值
• CMOS/LVTTL 兼容
• 無低頻雜散;無負電壓發(fā)生器
• 快速 RF 開關(guān)時間：70 ns
• RF 建立時間 （0.1 dB）：95 ns
• 單電源工作能力（VDD = 3.3 V，VSS = 0 V）
• 20 引腳、3 mm x 3 mm LGA 封裝
• 引腳兼容ADRF5022 & ADRF5026

框圖

引腳配置

接口示意圖

ADRF5030有兩個電源引腳(VDD和Vss)和兩個控制引腳(EN、CTRL)。圖16顯示了電源引腳的外部元件和連接。Vpo和Vss引腳通過一個100 pF電容去耦。器件引腳排列允許去耦電容靠近器件放置。當RF線路偏置電壓不是0v時，除了RF引腳上的隔DC電容之外，偏置和工作不需要其他外部元件，詳情參見表6。

RF端口內(nèi)部匹配50ω，引腳排列設(shè)計用于匹配PCB上具有50ω特性阻抗的共面波導(CPWG)。圖17顯示了RF基板的referencedCPWG RF走線設(shè)計，采用8密耳厚的RogersRO4003C電介質(zhì)材料。對于1.5密耳的成品銅厚度，建議使用14密耳寬和7密耳間隙的RF走線。