概述

ADRF5132 是一款高功率反射式 0.7 GHz 到 5.0 GHz 硅單刀雙擲 (SPDT) 反射開關(guān)，采用無鉛的表面貼裝式封裝。此開關(guān)適用于高功率和蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，如長期演進(jìn) (LTE) 基站。ADRF5132 具有 35 dBm LTE 的高功率處理能力（105°C 時(shí)的平均典型值）、2.7 GHz 時(shí) 0.6 dB 的低插入損耗、65 dBm 的輸入三階截距（典型值）和 42.5 dBm 的 0.1 dB 壓紋 (P0.1dB)。

片內(nèi)電路使用 5 V 的單一正電源工作，典型電源電流為 1.1 mA，使得 ADRF5132 成為基于 Pin 二極管的開關(guān)的理想替代方案。

此器件采用符合 RoHS 指令的緊湊式 16 引腳 3 mm × 3 mm LFCSP 封裝。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADRF5132高功率、20W峰值、硅SPDT、反射開關(guān)、0.7GHz到5.0 GHz技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

• 蜂窩/4G 基礎(chǔ)設(shè)施
• 無線基礎(chǔ)設(shè)施
• 軍事和高可靠性應(yīng)用
• 測試設(shè)備
• Pin 二極管替代方案
  特性
• 反射式 50 ? 設(shè)計(jì)
• 低插入損耗：2.7 GHz 時(shí)為 0.6 dB（典型值）
• TCASE~ = 105°C 時(shí)具有高功率處理能力
  • 持久（>10 年運(yùn)行）
    • 峰值功率：43 dBm
    • 連續(xù)波功率：38 dBm
    • 平均 LTE 功率 (8 dB PAR)：35 dBm
• 單一事件（<10 秒運(yùn)行）
  • 平均 LTE 功率 (8 dB PAR)：41 dBm
• 高線性度
  • P0.1dB：42.5 dBm（典型值）
  • IP3：2.0 GHz 到 4.0 GHz 時(shí)為 65 dBm（典型值）
• ESD 額定值
  • HBM：2 kV，2 級
  • CDM：1.25 kV
• 單一正電源：5 V
• 正控制，CMOS/TTL 兼容
• 16 引腳 3 mm × 3 mm LFCSP 封裝

框圖

引腳配置

接口示意圖

ADRF5132-EVALZ能夠處理高功率電平和高工作溫度。ADRF5132-EVALZ評估板由八層金屬層和層間電介質(zhì)構(gòu)成，如圖13所示。每個(gè)金屬層具有1盎司(1.3密耳)的銅厚度，而外層是1.5盎司的銅。頂部介電材料為10密耳Rogers RO4350，具有極低的導(dǎo)熱系數(shù)，可控制電路板的溫升。其他金屬層之間的電介質(zhì)是FR4。獲得的總板厚為60密耳。

頂部銅層具有所有RF和dc走線，而其他七層提供足夠的接地，有助于處理ADRF5132-EVALZ的熱上升。此外，如圖15所示，在傳輸線路周圍和封裝裸露焊盤下方提供過孔，以實(shí)現(xiàn)適當(dāng)?shù)纳峤拥亍Ｔu估板上的RF傳輸線采用共面波導(dǎo)設(shè)計(jì)，寬度為18密耳，接地間距為13密耳。
為了確保最大散熱并降低評估板上的溫升，一些應(yīng)用考慮是必不可少的。將ADRF5132-EVALZ連接到評估板底部的銅支撐板上。ADRF5132-EVALZ附帶此支撐板附件。在所有高功率操作期間，使用散熱膏將ADRF5132-EVALZ及其支撐板連接到一個(gè)大散熱片上。圖14顯示了在上述條件和預(yù)防措施下測試的評估板溫度與RF功率輸入的關(guān)系(評估板和支撐板連接到一個(gè)大散熱器上)。在高達(dá)43 dBm的RF功率輸入下，溫升不到5°C，在高功率水平下工作時(shí)可提供所需的散熱。