摩爾定律引領(lǐng)下的集成電路生產(chǎn)正在逼近物理定律的極限，芯片產(chǎn)業(yè)迫切需要注入新的活力。創(chuàng)新與合作是永久的話題，通過解決散熱問題、尋找新材料與設(shè)計結(jié)構(gòu)創(chuàng)新以及更大規(guī)模的合作，沿著摩爾定律的道路繼續(xù)向前推進(jìn)。

11日，中國國際半導(dǎo)體技術(shù)大會（CSTIC 2018）如約在上海國際會議中心拉開帷幕。今年CSTIC邀請F(tuán)inFET發(fā)明家、微電子科學(xué)家胡正明教授、高通副總裁PR Chidi Chidamabaram、臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁張曉強(qiáng)以及英特爾技術(shù)與制造事業(yè)部副總裁Zhiyong Ma，就制造工藝、新材料等方面進(jìn)行大會主題演講。

高通：推動5G呼吁擴(kuò)大行業(yè)合作

半導(dǎo)體IC版圖繼續(xù)擴(kuò)大。高通副總裁PR Chidi Chidamabaram表示，移動平臺繼續(xù)推動IC技術(shù)發(fā)展，預(yù)計2017年到2021年累計智能手機(jī)出貨量將超過85億支。隨著智能移動平臺技術(shù)的復(fù)雜性和規(guī)模，手機(jī)內(nèi)置IC種類從5種增加到35種之多。

近期，除驍龍700芯片外，高通展示了其在德國和美國之間的5G網(wǎng)絡(luò)實驗，從原瀏覽下載速度4G均值的71Mbps提升到5G均值的1.4Gbps，延時均值從115毫秒降至4.9毫秒，利用5G速度開發(fā)更多全新的高速服務(wù)和應(yīng)用，帶來更豐富的體驗。但是，未來通信芯片在講求運(yùn)算效能之際也將同時面臨移動設(shè)備的散熱問題，功率和性能將會受到溫度的影響。他認(rèn)為，這需要通過降低系統(tǒng)級功率的方式解決芯片溫控問題，如使用低溫隔熱墊片。

他認(rèn)為，未來技術(shù)仍需要按比例縮小以同時滿足“功率、性能、面積、成本”（PPAC）的最佳方案。但隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)微縮，將會導(dǎo)致成本上漲，從130納米到10納米[單位的統(tǒng)一]，其開發(fā)成本就由2億美元到15億美元，因此也使得有實力投資研發(fā)的企業(yè)驟減，已從29個減少至6個，將來可能會更少。與IDM和代工廠的合作形式都還太小，企業(yè)需要更大規(guī)?！昂献鳌辈拍芾^續(xù)取得成功。

臺積電：全方位途徑推進(jìn)摩爾定律延伸

首獲英特爾院士稱號的華人半導(dǎo)體專家、臺積電事業(yè)發(fā)展部副總裁張曉強(qiáng)表示，技術(shù)擴(kuò)展需要導(dǎo)入更多創(chuàng)新材料和設(shè)計結(jié)構(gòu)以實現(xiàn)最佳的效益。而臺積電也將采取全方位途徑繼續(xù)在推進(jìn)摩爾定律發(fā)展過程中，求取芯片成本與效能的最佳平衡點(diǎn)。

他也提到，在靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）中，隨著內(nèi)存帶寬需求越來越具有挑戰(zhàn)性，計算引擎的數(shù)量將繼續(xù)增長。SRAM未來仍將嵌入式存儲器扮演主要角色，其具備速度優(yōu)勢以及與邏輯IC之間兼容特性，使得盡管MRAM、RRAM等新興存儲崛起，短期內(nèi)仍將扮演互補(bǔ)角色不會取而代之。

對于FinFET次世代的發(fā)展，張曉強(qiáng)也提到對于負(fù)電容場效應(yīng)晶體管(NCFET)的發(fā)展突破感到振奮。NCFET是下一代基于鐵電鉿氧化物的晶體管構(gòu)造，被外界視為可能是未來晶體管潛在技術(shù)。

英特爾：展現(xiàn)市場“老大”領(lǐng)先地位

英特爾技術(shù)與制造部副總裁Zhiyong Ma認(rèn)為，數(shù)據(jù)是互聯(lián)網(wǎng)經(jīng)濟(jì)中的石油，半導(dǎo)體市場的大趨勢是所有事物達(dá)到隨時隨地互聯(lián)互通，來到萬物互聯(lián)的時代。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易（WSTS）統(tǒng)計，2016年全球半導(dǎo)體市場總銷售額共3389億元，亞洲地區(qū)為2084億美元，其中中國半導(dǎo)體消費(fèi)額超過1075億美元，占全球總量32%。

近期，臺積電和三星頻繁宣布10nm甚至是7nm工藝方面的量產(chǎn)進(jìn)展，作為芯片制造商“老大”，英特爾不僅接連展示10nm芯片產(chǎn)品，且在以色列南部投資320億元擴(kuò)建10nm制造工廠，計劃在今年開始擴(kuò)建工廠，于2020年完成擴(kuò)建并投產(chǎn)。

Zhiyong Ma認(rèn)為，材料創(chuàng)新是下一個新機(jī)遇。利用新材料和技術(shù)，如應(yīng)變硅和高K金屬柵極（HKMG），提高IC性能和功能，英特爾也在連接帶導(dǎo)入新的材料元素如鈷來代替銅。他也展現(xiàn)英特爾在技術(shù)領(lǐng)先的市場優(yōu)勢，幾乎每個技術(shù)節(jié)點(diǎn)都領(lǐng)先競爭對手至少三年。