聚焦離子束（FIB）技術在納米科技里很重要，它在材料科學、微納加工和微觀分析等方面用處很多。

離子源：FIB的核心部件

離子源是FIB系統(tǒng)的關鍵部分，液態(tài)金屬離子源（LMIS）用得最多，特別是鎵（Ga）離子源。鎵的熔點低，能形成穩(wěn)定的液態(tài)金屬源，而且鎵離子聚焦性能好，能聚焦成很細的束斑，用來精確加工和分析材料。在離子源里，金屬離子被電場加速和聚焦，形成高能、高精度的離子束流。

離子束聚焦與掃描

離子束聚焦與掃描系統(tǒng)是FIB技術實現(xiàn)精準加工和高分辨率成像的重要部分。離子束從離子源出來后，經過電磁透鏡聚焦成納米級束斑，這要求電磁透鏡性能和精度很高。掃描系統(tǒng)控制束斑在樣品表面的移動軌跡，根據設定模式，引導離子束逐點或逐行掃描，讓FIB技術能在納米尺度上加工復雜圖案和采集高分辨率圖像。

應用模式

1.刻蝕

刻蝕是FIB技術的重要應用，用高能離子束轟擊材料表面，去除原子或分子，實現(xiàn)精確刻蝕。通過控制離子束的能量、束斑大小和掃描路徑，可以在納米尺度上制備復雜的納米結構，比如納米線、納米孔等。這為微納加工提供了高精度和靈活性，比如在半導體制造中，F(xiàn)IB刻蝕能制備高精度掩膜板、修復光刻掩膜缺陷等。

2.沉積

FIB技術還能在特定區(qū)域沉積材料。在離子束轟擊樣品表面時，引入氣體前驅體，離子束與氣體相互作用引發(fā)化學反應，使前驅體分解并沉積出所需材料。這種沉積方式空間分辨率高，精確性好，可用于修復電路斷裂點、構建納米級電極結構等。比如在微電子領域，F(xiàn)IB沉積能修復受損的集成電路芯片，延長芯片使用壽命。

3.成像

FIB技術利用離子束與樣品相互作用產生的二次電子或離子信號進行高分辨率成像。離子束轟擊樣品表面，激發(fā)原子或分子釋放信號，收集這些信號并轉換成圖像，就能觀察樣品表面的微觀結構和形貌。FIB成像分辨率高，能分辨納米尺度下的微觀特征，可用于材料微觀結構分析、納米器件表征和生物醫(yī)學領域的細胞成像等。

4.樣品制備

在透射電子顯微鏡（TEM）樣品制備中，F(xiàn)IB技術很重要。TEM需要超薄樣品，傳統(tǒng)方法難以滿足要求且易損傷樣品。FIB技術通過離子束切割，能從塊體材料中精確切取超薄樣品，還能在制備過程中保護和修飾樣品，避免污染或損傷。

5.優(yōu)勢

FIB技術有很多優(yōu)點。一是加工精度高，能在納米尺度上精細加工和修飾材料。二是多功能，集刻蝕、沉積、成像等多種功能于一體，能滿足多種加工和分析需求，提高效率。三是適用多種材料，無論是金屬、半導體還是絕緣體，都能加工和分析，應用范圍廣。