電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹

4月15日，慕尼黑上海電子展盛大開(kāi)場(chǎng)。海內(nèi)外的工程師、采購(gòu)商和觀眾紛紛入館，人潮涌動(dòng)。在N4和N5館內(nèi)，近40家企業(yè)分別展示了汽車MCU芯片、車規(guī)SiC芯片、氮化鎵芯片、車載BMS芯片、電源芯片等。

車規(guī)級(jí)SiC為何如此火爆？業(yè)內(nèi)人士對(duì)電子發(fā)燒友記者表示，在比亞迪、長(zhǎng)安汽車、吉利、上汽、問(wèn)界等多家車企引領(lǐng)下，SiC上車速度加快。未來(lái)5年SiC行業(yè)滲透率可能從目前的10%至20%提升到50%以上。

今年以來(lái)，除了標(biāo)配SiC主驅(qū)逆變器的純電動(dòng)汽車800V車型增多外，混動(dòng)車型引入碳化硅的趨勢(shì)初顯，上汽五菱發(fā)布的靈犀動(dòng)力3.0碳化硅電驅(qū)，進(jìn)一步推動(dòng)了SiC技術(shù)在15萬(wàn)以下車型的普及應(yīng)用。Techinsights最新報(bào)告顯示，SiC正以其高效率、緊湊的設(shè)計(jì)和更低的成本改變功率半導(dǎo)體行業(yè)，汽車碳化硅預(yù)計(jì)2025年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到20億美元以上。

本文將集結(jié)慕尼黑上海電子展上英飛凌、華潤(rùn)微電子、三安半導(dǎo)體、揚(yáng)杰科技、方正微電子、深圳愛(ài)仕特新品展示，為大家分析最新產(chǎn)品走勢(shì)和汽車應(yīng)用熱點(diǎn)。

英飛凌展出8英寸碳化硅晶圓和先進(jìn)器件

圖：英飛凌12吋超薄硅晶圓 電子發(fā)燒友拍攝

在N5館入口處，記者入館看到了英飛凌的展臺(tái)。英飛凌展出了全球最先進(jìn)的12吋超薄硅晶圓，8英寸碳化硅晶圓和12英寸氮化鎵晶圓，這是首次三大晶圓在中國(guó)市場(chǎng)亮相?，F(xiàn)場(chǎng)工作人員表示，這顆業(yè)界第一顆20微米的超薄硅晶圓，晶圓越薄，損耗越低，通過(guò)超薄的晶圓，將器件損耗降低。

圖：英飛凌兩款碳化硅功率模塊 電子發(fā)燒友拍攝

現(xiàn)場(chǎng)，英飛凌展示了CoolSiC MOSFET 2000V 60A Boost模塊和光伏用的1200V CoolSiC EasyPACK 1B Boost功率模塊。前者采用2000V SiC MOSFET的4路1500V光伏系統(tǒng)升壓電路，DF-4-19MR20W3M1HF_B11是第一個(gè)采用EasyPack 3B封裝的2000V功率模塊，實(shí)現(xiàn)更簡(jiǎn)單的解決方案，減少了器件數(shù)量，提高了功率密度，降低了1500V VDC應(yīng)用的總系統(tǒng)成本。后者則是采用M1H芯片，導(dǎo)通電子8-17毫歐五個(gè)規(guī)格。工作人員表示，隨著SiC器件的大規(guī)模應(yīng)用，SiC模塊在汽車主驅(qū)逆變器的系統(tǒng)成本整體趨勢(shì)在下降。

華潤(rùn)微電子：高壓和中低壓SiC MOS產(chǎn)品豐富，車規(guī)級(jí)SiC模塊批量供貨

在慕展N4館，華潤(rùn)微電子帶來(lái)用于汽車主驅(qū)的1200V 450A/600A的半橋DCM、全橋HPD共四款主驅(qū)模塊等最新產(chǎn)品，充分凸顯其技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

圖：華潤(rùn)微電子1200V SiC MOSFET 電子發(fā)燒友拍攝

以1200V/66A SiC MOSFET為例，這款產(chǎn)品基于成熟量產(chǎn)的第二代車規(guī)SiC MOS平臺(tái)，具備SiC器件的低導(dǎo)通損耗、耐高溫特性以及DCM、HPD模塊的高功率密度、高系統(tǒng)效率等優(yōu)異性能。

據(jù)悉，華潤(rùn)微電子 SiC MOS G2 比導(dǎo)通電阻（Ronsp）水平達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先品牌主流產(chǎn)品水平，SiC JBS G3 功率密度水平達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先，得到客戶的高度認(rèn)可。車規(guī)級(jí) SiC MOS 和 SiC 模塊研發(fā)工作進(jìn)展順利，多款單管、半橋、全橋車規(guī)模塊產(chǎn)品出樣，并配合主流車廠進(jìn)行測(cè)試認(rèn)證，實(shí)現(xiàn)批量供貨。

三安半導(dǎo)體：8英寸SiC襯底量產(chǎn)，車規(guī)級(jí)SiC MOSFET批量出貨

在慕尼黑上海電子展上，三安半導(dǎo)體展出650V-2000V SiC MOSFET產(chǎn)品序列，主要應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)變頻、充電樁、光伏逆變器和UPS等領(lǐng)域。三安產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在第二代SiC MOSFET產(chǎn)品具有高抗干擾性、高可靠性、低反向漏電流、低彌勒電容以及高溫下更低導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，部分型號(hào)已經(jīng)通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證。

現(xiàn)場(chǎng)工作人員介紹，2024年三安半導(dǎo)體8英寸SiC襯底已經(jīng)小批量出貨，公司推出的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，驅(qū)動(dòng)電壓兼容15V/18V，Ronsp更低，效率更高。針對(duì)車規(guī)級(jí)市場(chǎng)，三安車載充電機(jī)、空調(diào)壓縮機(jī)用SiC MOSFET已實(shí)現(xiàn)小批量出貨，主驅(qū)逆變器SiC MOSFET已在重點(diǎn)新能源汽車客戶進(jìn)入導(dǎo)入可靠性驗(yàn)證。

方正微電子：比肩國(guó)際產(chǎn)品性能，車規(guī)級(jí)SiC MOS產(chǎn)品加速上車

4月15日，方正微電子攜G1/G2/G3三代車規(guī)碳化硅晶圓、襯底、裸die、器件和模組參展?，F(xiàn)場(chǎng)展臺(tái)上，G1 SiC MOS 1200V系列、G2 SiC MOS 1200V系列、G2 750VSiC MOS系列，G3 SiC MOS產(chǎn)品都有展示。

方正微正式發(fā)布了第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品，性能達(dá)到國(guó)際頭部領(lǐng)先水平。方正微電子第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS在第一代的高可靠基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提升性能，縮小Die size，提升FOM值，實(shí)現(xiàn)了在行業(yè)主流芯片面積需求條件下性能提升。在光儲(chǔ)充領(lǐng)域，方正微展示了SiC MOS單管及模組，與SiC SBD解決方案。具體涵蓋了SiC MOS 1200V EASY2B功率模組，SiC MOS 1200V 系列單管器件、SiC MOS 750V/650V系列單管器件等。

方正微電子表示，2025年，公司將實(shí)現(xiàn)車規(guī)SiC MOS大規(guī)模上乘用車主驅(qū)，從幾萬(wàn)輛向幾十萬(wàn)輛邁進(jìn)。

愛(ài)仕特科技：發(fā)布SiC4.0技術(shù)平臺(tái)，1700V車規(guī)級(jí)SiC MOS支持1000V平臺(tái)

在N4館，記者走訪了愛(ài)仕特展臺(tái)，這家深圳公司以“碳化硅4.0技術(shù)平臺(tái)”為核心，攜1200V/10mΩ SiC MOSFET、1700V/16mΩ SiC MOSFET、1200V/1000A SiC功率模塊三大“戰(zhàn)略新品”亮相展會(huì)。

圖：愛(ài)仕特1200V到1700V SiC MOS展示 電子發(fā)燒友拍攝

愛(ài)仕特科技品牌總監(jiān)姚培俊對(duì)電子發(fā)燒友記者表示，公司重磅推出的第四代碳化硅技術(shù)平臺(tái)，以超高耐壓、極低損耗、高效驅(qū)動(dòng)兼容性為核心突破，1700V/16mΩ SiC MOSFET是第四代SiC MOS平臺(tái)技術(shù)，兼容15V和18V驅(qū)動(dòng)電壓，同樣的電壓等級(jí)導(dǎo)通電阻變低，兼顧高耐壓和低損耗，成為1000V平臺(tái)、充電樁應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)選。1200V SiC MOSFET則用單顆芯片導(dǎo)通電阻低至10 mΩ，適用于800V新能源平臺(tái)，1200V/1000A SiC功率模塊采用高電流密度設(shè)計(jì)，支持-40℃至175℃的寬溫域運(yùn)行，可助力大功率系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)輕量化與高效化。

目前愛(ài)仕特已經(jīng)和國(guó)內(nèi)新能源汽車頭部企業(yè)合作，對(duì)車規(guī)級(jí)SiC產(chǎn)品進(jìn)行導(dǎo)入可靠性驗(yàn)證。

揚(yáng)杰科技：SiC MOSFET應(yīng)用于車載和光伏逆變器

在N4館，揚(yáng)杰科技以實(shí)體新能源汽車為載體，集中呈現(xiàn)了IGBT模塊、SiC MOSFET在OBC、DC/DC、BMS、EPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景的應(yīng)用。

圖：揚(yáng)杰科技IGBT和SiC產(chǎn)品展示 電子發(fā)燒友拍攝

現(xiàn)場(chǎng)工作人員，目前國(guó)產(chǎn)400V新能源汽車主要采用IGBT模塊做主驅(qū)逆變器，揚(yáng)杰科技展示的A4P IGBT模塊，800A-950A/750V，產(chǎn)品具備低開(kāi)關(guān)損耗、低電感設(shè)計(jì)，最大工作結(jié)溫175度，高功率密度。

在光伏與儲(chǔ)能領(lǐng)域，揚(yáng)杰科技展示了1200V/160A三電平IGBT模塊和950V/600A下一代三電平模塊，適用于大型光伏逆變器與儲(chǔ)能變流器。其SiC MOSFET采用低Ronsp設(shè)計(jì)，可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，助力光儲(chǔ)系統(tǒng)效率提升至98%以上。

揚(yáng)杰科技IGBT，MOSFET、ESD、TVS等產(chǎn)品可用于小型關(guān)節(jié)電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)等電機(jī)驅(qū)動(dòng)及感知系統(tǒng)中，以支持更高的控制精度和更快的響應(yīng)速度，并能在DC/DC轉(zhuǎn)換、USB接口防護(hù)、電源防護(hù)等電路中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

寫在最后

車載SiC的全球陣營(yíng)中，英飛凌、ST、TI等處于第一梯隊(duì)，隨著中國(guó)功率半導(dǎo)體廠商的涌入，SiC MOSFET的價(jià)格出現(xiàn)下滑，國(guó)產(chǎn)7家企業(yè)先后宣布SiC主驅(qū)突破，清純半導(dǎo)體、士蘭微、芯聯(lián)集成、斯達(dá)半導(dǎo)體、芯聚能、方正微電子、比亞迪半導(dǎo)體，相信未來(lái)會(huì)有更多國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體廠商進(jìn)入車規(guī)SiC供應(yīng)商行列。

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