很多行業(yè)的人都在好奇一個(gè)問(wèn)題，就是spm清洗會(huì)把氮化硅去除嗎？為此，我們根據(jù)實(shí)踐與理論，給大家找到一個(gè)結(jié)果，感興趣的話可以來(lái)看看吧。

SPM清洗通常不會(huì)去除氮化硅（Si?N?），但需注意特定條件下的潛在影響。

SPM清洗的化學(xué)特性

SPM成分：硫酸（H?SO?）與過(guò)氧化氫（H?O?）的混合液，通常比例為2:1至4:1（體積比），溫度控制在80-120℃35。

主要作用：

強(qiáng)氧化性：分解有機(jī)物（如光刻膠殘留）、氧化金屬污染物；

表面氧化：在硅表面生成親水性化學(xué)氧化層（SiO?），但對(duì)氮化硅無(wú)顯著反應(yīng)35。

氮化硅的化學(xué)穩(wěn)定性

耐腐蝕性：氮化硅（Si?N?）是硬質(zhì)絕緣材料，對(duì)酸（如硫酸、鹽酸）和堿（如氫氧化銨）具有高耐受性。SPM中的硫酸和過(guò)氧化氫難以與氮化硅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。

例外情況：

高溫長(zhǎng)時(shí)間浸泡：在極端條件（如>150℃、長(zhǎng)時(shí)間）下，SPM可能緩慢腐蝕氮化硅，但實(shí)際工藝中極少采用此類參數(shù)。

等離子體輔助：若SPM清洗結(jié)合氧等離子體處理，可能加速氮化硅表面氧化，但仍需專用刻蝕工藝（如熱磷酸）才能去除。

實(shí)際工藝中的考量

選擇性保護(hù)：

在需要去除氮化硅的工藝（如多晶硅柵極刻蝕后清洗）中，通常采用熱磷酸（H?PO?）而非SPM，因熱磷酸對(duì)氮化硅/氧化物的選擇比更高。

SPM主要用于清除有機(jī)物和金屬污染，避免損傷氮化硅等掩膜層。

潛在風(fēng)險(xiǎn)：

顆粒吸附：若SPM清洗后漂洗不徹底，殘留硫酸鹽可能吸附在氮化硅表面，需配合兆聲波或離心沖洗。

邊緣損傷：高濃度SPM或鼓泡工藝可能對(duì)氮化硅邊緣造成機(jī)械應(yīng)力，需優(yōu)化氣泡均勻性。

在常規(guī)工藝條件下，SPM清洗（硫酸-過(guò)氧化氫混合液）不會(huì)去除氮化硅（Si?N?），因其化學(xué)惰性足以抵抗SPM的氧化作用。但在極端參數(shù)（如高溫、長(zhǎng)時(shí)間浸泡）下，可能對(duì)氮化硅造成輕微腐蝕，實(shí)際生產(chǎn)中極少發(fā)生此類情況。若需針對(duì)性去除氮化硅，需采用專用工藝（如熱磷酸濕法刻蝕或干法刻蝕），而非依賴SPM清洗

審核編輯 黃宇