TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、 和 LPDDR3 內(nèi)存系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 1A 灌電流/拉電流集成在一起 跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩沖低噪聲基準(zhǔn)。TPS51116 提供最低的總數(shù) 在空間非常寶貴的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)解決方案成本。TPS51116 同步控制器運(yùn)行 具有自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間控制的固定 400kHz 偽恒定頻率 PWM 在 D-CAP 模式下配置，易于使用和最快的瞬態(tài) 響應(yīng)或在電流模式下支持陶瓷輸出電容器。1A 灌電流/拉電流 LDO 保持 快速瞬態(tài)響應(yīng)，只需 20 μF （2 × 10 μF） 的陶瓷輸出電容。在 此外，LDO 電源輸入可從外部獲得，以顯著降低總功率 損失。TPS51116 支持所有睡眠狀態(tài)控制，在 S3 中將 VTT 置于高阻態(tài)（暫停 到 RAM）和 S4/S5 中的 VDDQ、VTT 和 VTTREF（軟關(guān)閉）（掛起到磁盤）。TPS51116 所有保護(hù)功能包括熱關(guān)斷功能，并采用 20 引腳 HTSSOP 封裝 PowerPAD 封裝。
*附件：tps51116-ep.pdf

特性

• 同步降壓控制器 （VDDQ）
  • 寬輸入電壓范圍：3.0V 至 28V
  • 具有 100ns 負(fù)載階躍響應(yīng)的 D?CAP? 模式
  • 電流模式選項(xiàng)支持陶瓷輸出電容器
  • 支持 S4/S5 狀態(tài)下的軟關(guān)斷
  • 來自 R 的電流感應(yīng) DS（開） 或 Resistor
  • 2.5V （DDR）、1.8V （DDR2），可調(diào)至
    1.5V （DDR3） 或 1.2V （LPDDR3） 或
    輸出范圍 0.75V 至 3.0V
  • 配備 Powergood、過壓保護(hù)和
    欠壓保護(hù)
• 1A LDO （VTT）、緩沖基準(zhǔn) （VREF）
  • 能夠吸收和拉出 1 A 電流
  • LDO 輸入可用于優(yōu)化功率損耗
  • 只需要 20-7 微;F 陶瓷輸出電容器
  • 緩沖低噪聲 10mA VREF 輸出
  • VREF 和 VTT 的精度 ±20 mV
  • 支持 S3 中的高阻態(tài)和 S4/S5 中的軟關(guān)斷
  • 熱關(guān)斷

應(yīng)用

• DDR/DDR2/DDR3/LPDDR3 存儲(chǔ)器電源
• SSTL-2、SSTL-18、SSTL-15 和 HSTL 端接

支持國防、航空航天和醫(yī)療應(yīng)用

• 受控基線
• 一個(gè)裝配和測試站點(diǎn)
• 一個(gè)制造工地
• 適用于軍用 （–55°C 至 125°C） 溫度范圍
• 延長產(chǎn)品生命周期
• 延長產(chǎn)品變更通知
• 產(chǎn)品可追溯性

參數(shù)

1. 概述

TPS51116-EP 是一款專為 DDR、DDR2、DDR3 及 LPDDR3 內(nèi)存系統(tǒng)設(shè)計(jì)的完整電源解決方案，集成了同步降壓控制器、1A 線性穩(wěn)壓器（LDO）和低噪聲緩沖參考電壓源。該器件提供了高效率、快速瞬態(tài)響應(yīng)及全面的保護(hù)功能，適用于寬輸入電壓范圍（3.0V 至 28V）。

2. 主要特性

• ?同步降壓控制器?：
  • 固定400kHz偽恒定頻率PWM。
  • 支持D-CAP?模式和電流模式，以適應(yīng)不同的應(yīng)用需求。
  • 輸出電壓可調(diào)，范圍從0.75V至3.0V。
• ?1A LDO?：
  • 快速瞬態(tài)響應(yīng)，僅需20μF陶瓷輸出電容。
  • 可獨(dú)立供電，以優(yōu)化功耗。
  • VTTREF緩沖參考輸出，噪聲低，精度高。
• ?保護(hù)功能?：
  • 過壓保護(hù)（OVP）和欠壓保護(hù)（UVP）。
  • 負(fù)載過流保護(hù)和熱關(guān)機(jī)保護(hù)。
  • 5V供電欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)。
• ?睡眠狀態(tài)控制?：
  • 支持S3（掛起到RAM）和S4/S5（掛起到磁盤）睡眠狀態(tài)。
  • 在S3狀態(tài)下，VTT置于高阻態(tài)，VDDQ和VTTREF保持供電。
  • 在S4/S5狀態(tài)下，VDDQ、VTT和VTTREF放電。

3. 功能框圖

數(shù)據(jù)手冊(cè)提供了詳細(xì)的功能框圖，展示了TPS51116-EP的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，包括同步降壓控制器、LDO、參考電壓源、保護(hù)電路、電源狀態(tài)控制等模塊。

4. 引腳配置與功能

TPS51116-EP采用20引腳HTSSOP封裝，數(shù)據(jù)手冊(cè)詳細(xì)列出了每個(gè)引腳的編號(hào)、類型、功能描述及默認(rèn)狀態(tài)。

5. 電氣特性

• ?絕對(duì)最大額定值?：包括供電電壓、輸入/輸出電流、結(jié)溫等參數(shù)的最大允許值。
• ?推薦工作條件?：列出了正常工作時(shí)各參數(shù)的建議范圍。
• ?詳細(xì)電氣特性?：包括輸出電壓精度、負(fù)載調(diào)整率、線性調(diào)整率、效率、靜態(tài)電流等詳細(xì)參數(shù)。

6. 應(yīng)用信息

• ?典型應(yīng)用電路?：數(shù)據(jù)手冊(cè)提供了TPS51116-EP在DDR/DDR2/DDR3/LPDDR3內(nèi)存系統(tǒng)中的典型應(yīng)用電路圖。
• ?外部元件選擇?：提供了電感、電容、MOSFET等外部元件的選擇建議，以確保電源解決方案的穩(wěn)定性和效率。

7. 保護(hù)功能

• ?過壓和欠壓保護(hù)?：監(jiān)測輸出電壓，防止過壓和欠壓情況發(fā)生。
• ?負(fù)載過流保護(hù)?：通過監(jiān)測電感電流，防止負(fù)載過流情況發(fā)生。
• ?熱關(guān)機(jī)保護(hù)?：監(jiān)測器件結(jié)溫，防止過熱情況發(fā)生。

8. 布局與布線

• ?布局指南?：提供了PCB布局的一般原則，包括關(guān)鍵元件的放置、旁路電容的放置、電源和地線的處理等。
• ?布線建議?：強(qiáng)調(diào)了敏感信號(hào)線的布線要求，以避免耦合噪聲和干擾。

9. 封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：20引腳HTSSOP封裝。
• ?訂購信息?：提供了不同型號(hào)和封裝選項(xiàng)的訂購代碼。

10. 注意事項(xiàng)

• ?靜電放電保護(hù)?：提醒用戶在處理IC時(shí)注意靜電放電保護(hù)。
• ?熱設(shè)計(jì)?：提供了熱設(shè)計(jì)的指導(dǎo)原則，以確保器件在正常工作溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。
• ?安全警告?：提醒用戶在操作和使用TPS51116-EP時(shí)注意安全，避免觸電和短路。