TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲參考 （VTTREF） 集成在一起。TPS51216-EP 采用 D-CAP? 模式與 300 kHz/400 kHz 頻率耦合，易于使用且瞬態(tài)響應(yīng)快速。VTTREF 以 0.8% 的出色精度跟蹤 VDDQ/2。VTT 提供 2A 灌電流/拉電流峰值能力，只需要 10μF 的陶瓷電容。此外，還提供專用的 LDO 電源輸入。
*附件：tps51216-ep.pdf

TPS51216-EP 提供豐富的有用功能以及出色的電源性能。它支持靈活的電源狀態(tài)控制，在 S3 中將 VTT 置于高阻態(tài)，并在 S4/S5 狀態(tài)下對(duì) VDDQ、VTT 和 VTTREF（軟關(guān)斷）放電。

特性

• 同步降壓控制器 （VDDQ）
  • 轉(zhuǎn)換電壓范圍：3 至 28 V
  • 輸出電壓范圍：0.7 至 1.8 V
  • 0.8% 電壓裁判準(zhǔn)確性
  • D-CAP? 模式，用于快速瞬態(tài)響應(yīng)
  • 可選 300kHz/400kHz 開(kāi)關(guān)頻率
  • 通過(guò)自動(dòng)跳過(guò)功能優(yōu)化輕負(fù)載和重負(fù)載的效率
  • 支持 S4/S5 狀態(tài)下的軟關(guān)閉
  • OCL/OVP/UVP/UVLO 保護(hù)
  • Powergood 輸出
• 2A LDO （VTT），緩沖基準(zhǔn) （VTTREF）
  • 2A（峰值）灌電流和拉電流
  • 僅需 10μF 的陶瓷輸出電容
  • 緩沖、低噪聲、10mA VTTREF 輸出
  • 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
  • 在 S3 中支持高阻態(tài)，在 S4/S5 中支持軟關(guān)閉
• 熱關(guān)斷
• 20 引腳、3 mm × 3 mm、WQFN 封裝
• 支持國(guó)防、航空航天和醫(yī)療應(yīng)用
  • 受控基線
  • 一個(gè)裝配/測(cè)試站點(diǎn)
  • 一個(gè)制造現(xiàn)場(chǎng)
  • 適用于軍用（–55°C 至 125°C）溫度范圍^(1)^
  • 延長(zhǎng)產(chǎn)品生命周期
  • 延長(zhǎng)了產(chǎn)品變更通知
  • 產(chǎn)品可追溯性

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：TPS51216-EP
• ?類型?：同步降壓控制器（VDDQ）與2A LDO（VTT），集成緩沖參考（VTTREF）
• ?應(yīng)用?：DDR2、DDR3、DDR3L內(nèi)存電源解決方案

2. 主要特性

• ? 同步降壓控制器（VDDQ） ?
  • 轉(zhuǎn)換電壓范圍：3至28V
  • 輸出電壓范圍：0.7至1.8V
  • 0.8% VREF準(zhǔn)確性
  • D-CAP?模式，快速瞬態(tài)響應(yīng)
  • 可選300kHz/400kHz開(kāi)關(guān)頻率
  • 輕載和重載下的優(yōu)化效率，具有自動(dòng)跳過(guò)功能
• ? 2A LDO（VTT） ?
  • 2A（峰值）匯流和源電流
  • 僅需10μF陶瓷輸出電容
  • 緩沖、低噪聲、10mA VTTREF輸出
  • 0.8% VTTREF，20mV VTT準(zhǔn)確性
• ?其他特性?
  • 支持S3狀態(tài)下的高阻態(tài)（VTT）和S4/S5狀態(tài)下的軟關(guān)閉（VDDQ、VTT、VTTREF）
  • 過(guò)流限制（OCL）、過(guò)壓保護(hù)（OVP）、欠壓保護(hù)（UVP）、欠壓鎖定（UVLO）
  • 熱關(guān)斷保護(hù)
  • 20引腳，3mm × 3mm WQFN封裝
  • 支持國(guó)防、航空和醫(yī)療應(yīng)用

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

• DDR2/DDR3/DDR3L內(nèi)存電源供應(yīng)
• SSTL_18, SSTL_15, SSTL_135, 和HSTL終止

4. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：20引腳，3mm × 3mm WQFN

5. 電氣特性

• ?VDDQ SMPS?
  • 軟啟動(dòng)時(shí)間：內(nèi)部軟啟動(dòng)時(shí)間，CVREF = 0.1μF時(shí)約為1.1ms
  • PGOOD閾值：VDDQ PGOOD閾值為±8%（典型值）
  • 過(guò)流保護(hù)：可編程OCL，具有低側(cè)MOSFET RDS(on)感測(cè)
• ?VTT LDO?
  • 輸出電壓范圍：0.7至1.8V（跟蹤VDDQ/2）
  • 負(fù)載調(diào)節(jié)：±20mV（最大）
  • 線性調(diào)節(jié)：±1%
  • 峰值源/匯電流：2A
• ?VTTREF?
  • 輸出電壓：VDDQSNS/2，準(zhǔn)確性±1%
  • 源/匯電流限制：±10mA（典型值）

6. 功能框圖與詳細(xì)描述

• 提供了功能框圖，展示了設(shè)備的主要組成部分和信號(hào)流。
• 詳細(xì)描述了設(shè)備的功能特性，包括VDDQ SMPS控制、VREF和REFIN、軟啟動(dòng)和Powergood、電源狀態(tài)控制、放電控制、VTT過(guò)流保護(hù)、V5IN欠壓鎖定保護(hù)、熱關(guān)斷保護(hù)等。

7. 應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)

• 提供了典型應(yīng)用電路圖，包括DDR3、400kHz應(yīng)用電路。
• 討論了設(shè)計(jì)要求和詳細(xì)設(shè)計(jì)過(guò)程，包括外部組件選擇、電感選擇、輸出電容選擇等。
• 提供了應(yīng)用曲線，展示了輸出紋波、負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)、啟動(dòng)波形等。

8. 布局指南

• 提供了布局布線指南，以確保設(shè)備的最佳性能和可靠性。
• 強(qiáng)調(diào)了關(guān)鍵信號(hào)和組件的布局要求，包括輸入電容、輸出電容、MOSFET、反饋路徑等。

9. 設(shè)備與文檔支持

• 提供了設(shè)備支持信息，包括如何獲取技術(shù)支持和文檔更新通知。
• 提供了相關(guān)的社區(qū)資源鏈接和商標(biāo)信息。

10. 機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息

• 提供了設(shè)備的機(jī)械尺寸、封裝類型和可訂購(gòu)信息。

TPS51216-EP是一款高度集成的電源管理解決方案，專為DDR2、DDR3、DDR3L內(nèi)存系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供了同步降壓控制器、LDO和緩沖參考輸出，具有多種保護(hù)功能和高效能特點(diǎn)。