TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲基準(zhǔn) （VTTREF）。
*附件：tps51916.pdf

該器件采用 D-CAP? 模式與 300 kHz 或 400 kHz 頻率耦合，以實(shí)現(xiàn)易用性和快速瞬態(tài)響應(yīng)，或采用 D-CAP2? 模式與更高的 500 kHz 或 670 kHz 頻率耦合，以支持陶瓷輸出電容器，而無需外部補(bǔ)償電路。VTTREF 以 0.8% 的出色精度跟蹤 VDDQ/2。VTT 提供 2A 灌電流和 2A 拉電流峰值電流能力，僅需要 10μF 的陶瓷電容。提供專用的 LDO 電源輸入。

該器件還提供出色的電源性能。它支持靈活的電源狀態(tài)控制，在 S3 中將 VTT 置于高阻態(tài)，并在 S4 或 S5 狀態(tài)下對(duì) VDDQ、VTT 和 VTTREF（軟關(guān)斷）放電。具有低側(cè) MOSFET R 的可編程 OCL DS（開） 還提供傳感、OVP、UVP、UVLO 和熱關(guān)斷保護(hù)。

特性

• 同步降壓控制器 （VDDQ）
  • 轉(zhuǎn)換電壓范圍：3 V 至 28 V
  • 輸出電壓范圍：0.7 V 至 1.8 V
  • 0.8% 電壓裁判準(zhǔn)確性
  • 可選控制架構(gòu)
    • 用于快速瞬態(tài)響應(yīng)的 D-CAP? 模式
    • 用于陶瓷輸出電容器的 D-CAP2? 模式
  • 可選 300 kHz、400 kHz、500 kHz 或 670 kHz 開關(guān)頻率
  • 通過自動(dòng)跳過功能優(yōu)化輕負(fù)載和重負(fù)載的效率
  • 支持 S4 和 S5 狀態(tài)下的軟關(guān)閉
  • OCL/OVP/UVP/UVLO 保護(hù)
  • Powergood 輸出
• 2A LDO（VTT）、緩沖基準(zhǔn) （VTTREF）
  • 2A（峰值）灌電流和拉電流
  • 緩沖、低噪聲、10mA VTTREF 輸出
  • 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
  • 支持高阻態(tài) （S3） 和軟關(guān)斷 （S4、S5）
• 熱關(guān)斷
• 20 引腳、3 mm × 3 mm QFN 封裝
• 創(chuàng)建 WEBENCH 設(shè)計(jì)

參數(shù)

1. 產(chǎn)品概述

• ?類型?：同步降壓控制器（Synchronous Buck Controller）與LDO（Low Dropout Regulator）組合
• ?應(yīng)用?：DDR2、DDR3、DDR3L及DDR4內(nèi)存電源解決方案
• ?主要特性?：
  • 同步降壓控制器（VDDQ）：轉(zhuǎn)換電壓范圍3V至28V，輸出電壓范圍0.7V至1.8V
  • 2A LDO（VTT）：用于提供穩(wěn)定的參考電壓VTTREF
  • 可選控制架構(gòu)：D-CAP?和D-CAP2?模式，支持快速瞬態(tài)響應(yīng)
  • 可選開關(guān)頻率：300kHz、400kHz、500kHz或670kHz
  • 過流保護(hù)（OCL）、過壓保護(hù)（OVP）、欠壓保護(hù)（UVP）及欠壓鎖定（UVLO）
  • 熱關(guān)斷保護(hù)
  • 20引腳3mm x 3mm QFN封裝

2. 功能描述

• ?VDDQ同步降壓控制器?：
  • 支持D-CAP?和D-CAP2?兩種控制模式，無需復(fù)雜外部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)
  • 集成軟啟動(dòng)功能，抑制啟動(dòng)時(shí)的浪涌電流
  • Powergood輸出，指示VDDQ電壓是否在目標(biāo)范圍內(nèi)
• ?VTT和VTTREF LDO?：
  • VTTREF跟蹤VDDQ/2，精度±1%
  • VTT提供2A的源和匯電流能力，僅需10μF陶瓷電容
• ?電源狀態(tài)控制?：
  • 通過S3和S5引腳控制電源狀態(tài)，支持S0（全開）、S3（待機(jī)至RAM）、S4/S5（軟關(guān)閉）
• ?放電控制?：
  • 在S4/S5狀態(tài)下，支持跟蹤放電和非跟蹤放電模式

3. 保護(hù)功能

• ? 過壓保護(hù)（OVP） ?：當(dāng)VDDQSNS電壓超過REFIN電壓的20%時(shí)觸發(fā)
• ? 欠壓保護(hù)（UVP） ?：當(dāng)VDDQSNS電壓低于REFIN電壓的68%持續(xù)1ms時(shí)觸發(fā)
• ? 過流保護(hù)（OCL） ?：通過監(jiān)控低側(cè)MOSFET的R_DS(on)實(shí)現(xiàn)周期過流限制
• ?熱關(guān)斷?：當(dāng)結(jié)溫超過140°C時(shí)觸發(fā)，自動(dòng)關(guān)閉輸出

4. 應(yīng)用與實(shí)施

• ?設(shè)計(jì)指南?：提供了詳細(xì)的DDR3應(yīng)用電路，包括D-CAP?和D-CAP2?模式的設(shè)計(jì)要求和步驟
• ?布局建議?：強(qiáng)調(diào)了關(guān)鍵組件的布局和走線考慮，以減少噪聲和干擾

5. 封裝與訂購(gòu)信息

• ?封裝?：20引腳3mm x 3mm QFN封裝
• ?訂購(gòu)信息?：提供了不同封裝和批量的訂購(gòu)選項(xiàng)

6. 文檔與支持

• ?文檔?：包括數(shù)據(jù)手冊(cè)、應(yīng)用筆記、參考設(shè)計(jì)等
• ?支持?：TI E2E在線社區(qū)提供技術(shù)支持和協(xié)作平臺(tái)

7. 注意事項(xiàng)

• 在設(shè)計(jì)和使用過程中，需嚴(yán)格遵守?cái)?shù)據(jù)手冊(cè)中提供的絕對(duì)最大額定值、推薦操作條件和熱信息
• 注意靜電放電（ESD）防護(hù)，避免損壞設(shè)備
• 在生產(chǎn)系統(tǒng)中使用前，應(yīng)進(jìn)行充分的驗(yàn)證和測(cè)試