TPS59116 為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 內(nèi)存提供完整的電源 系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩沖低噪聲基準(zhǔn)集成在一起。TPS59116 在空間 非常昂貴。TPS59116 同步控制器運(yùn)行固定的 400kHz 偽恒定頻率 PWM，具有自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間控制，該控制可配置為 D-CAP? 模式以實(shí)現(xiàn)易用性和最快的瞬態(tài)響應(yīng)，或在電流模式下配置為支持陶瓷輸出電容器。3A 灌電流/拉電流 LDO 可保持快速瞬態(tài)響應(yīng)，只需要 20μF（2 × 10μF）的陶瓷輸出電容。此外，LDO 電源輸入可從外部獲得，以顯著降低總功率損耗。TPS59116 支持所有睡眠狀態(tài)控制，在 S3 中將 VTT 置于高阻態(tài)（掛起到 RAM），并在 S4/S5 中放電 VDDQ、VTT 和 VTTREF（軟關(guān)閉）（掛起到磁盤(pán)）。TPS59116 具有包括熱關(guān)斷在內(nèi)的所有保護(hù)功能，并采用 20 引腳 HTSSOP PowerPAD? 封裝和 24 引腳 4×4 QFN 封裝。
*附件：tps59116.pdf

特性

• 同步降壓控制器 （VDDQ）
  • 寬輸入電壓范圍：3.0V 至 28V
  • 具有 100ns 負(fù)載階躍響應(yīng)的 D-CAP? 模式
  • 電流模式選項(xiàng)支持陶瓷輸出電容器
  • 支持 S4/S5 狀態(tài)下的軟關(guān)斷
  • 來(lái)自 R 的電流感應(yīng) DS（開(kāi)） 或 Resistor
  • 2.5V （DDR）、1.8V （DDR2），可調(diào)至 1.5V （DDR3） 或
    輸出范圍 0.75V 至 3.0V
  • 配備 Powergood、過(guò)壓保護(hù)和
    欠壓保護(hù)
• 3A LDO （VTT）、緩沖基準(zhǔn) （VREF）
  • 能夠吸收和拉出 3 A 電流
  • LDO 輸入可用于優(yōu)化功率損耗
  • 需要小型 20μF 陶瓷輸出電容器
  • 緩沖低噪聲 10mA VREF 輸出
  • VREF 和 VTT 的精度 ±20 mV
  • 支持 S3 中的高阻態(tài)和 S4/S5 中的軟關(guān)斷
  • 熱關(guān)斷
• 應(yīng)用
  • 嵌入式計(jì)算系統(tǒng)中的 DDR/DDR2/DDR3/LPDDR3 內(nèi)存電源
  • SSTL-2、SSTL-18 和 HSTL 端接

參數(shù)

1. 產(chǎn)品概述

• ?類型?：集成電源管理解決方案
• ?應(yīng)用?：DDR/DDR2/DDR3內(nèi)存電源系統(tǒng)
• ?特點(diǎn)?：
  • 同步降壓控制器（VDDQ）
  • 3A低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO，VTT）
  • 緩沖參考電壓輸出（VREF）
  • 支持陶瓷輸出電容器
  • D-CAP?模式和電流模式操作
  • 電源良好、過(guò)壓和欠壓保護(hù)
  • 熱關(guān)斷保護(hù)

2. 功能特性

• ?VDDQ同步降壓控制器?：
  • 寬輸入電壓范圍：3.0V至28V
  • 固定400kHz偽恒定頻率PWM
  • 自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間控制
  • 支持D-CAP?模式和電流模式
  • 可調(diào)輸出范圍：0.75V至3.0V（DDR3）或預(yù)設(shè)2.5V/1.8V（DDR/DDR2）
• ?VTT LDO?：
  • 可源/沉3A峰值電流
  • 快速瞬態(tài)響應(yīng)
  • 僅需20μF陶瓷輸出電容
  • VTTREF跟蹤VDDQ/2，誤差±1%
• ?VREF緩沖參考?：
  • 10mA輸出電流
  • 輸出電壓0.9V，精度±20mV
• ?其他特性?：
  • S3/S4/S5睡眠狀態(tài)控制
  • VDDQ、VTT和VTTREF軟關(guān)閉
  • 過(guò)流、過(guò)壓和欠壓保護(hù)
  • 熱關(guān)斷保護(hù)

3. 電氣特性

• ?VDDQ輸出?：
  • 可調(diào)模式：0.75V至3.0V
  • 預(yù)設(shè)模式：2.5V或1.8V
  • 負(fù)載調(diào)整率：±0.4%
  • 線性調(diào)整率：±0.5%
• ?VTT輸出?：
  • 跟蹤VDDQ/2，誤差±20mV（無(wú)負(fù)載）
  • 負(fù)載調(diào)整率：±0.4%（滿載）
• ?VREF輸出?：
  • 電壓0.9V，精度±20mV
• ?效率?：高達(dá)90%（取決于負(fù)載和輸入電壓）

4. 熱特性

• ?熱阻?：θJA = 39.6°C/W（典型值，基于6.5mm×3.4mm熱地）

5. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：24引腳4mm×4mm QFN

6. 應(yīng)用信息

• ?布局考慮?：
  • 輸入和輸出電容應(yīng)靠近IC放置
  • 敏感模擬跡線應(yīng)遠(yuǎn)離高壓開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)
  • 熱地應(yīng)連接到PCB上的熱擴(kuò)散區(qū)
• ?外部元件選擇?：
  • 電感、輸出電容和MOSFET的選擇基于輸出電流、紋波要求和效率考慮

7. 開(kāi)發(fā)支持

• ?技術(shù)文檔?：提供數(shù)據(jù)手冊(cè)、應(yīng)用電路、布局指南等
• ?社區(qū)資源?：鏈接到TI的E2E在線社區(qū)，提供設(shè)計(jì)支持和問(wèn)題解決

8. 訂購(gòu)信息

• ?封裝選項(xiàng)?：QFN RGE，提供3000單位和250單位包裝選項(xiàng)
• ?環(huán)境信息?：符合RoHS和Green標(biāo)準(zhǔn)

9. 注意事項(xiàng)

• 在設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)確保所有元件的電壓和電流額定值在絕對(duì)最大額定值之內(nèi)
• 布局時(shí)應(yīng)遵循推薦的布局指南，以減少噪聲和提高效率
• 在使用前，請(qǐng)仔細(xì)閱讀數(shù)據(jù)手冊(cè)中的安全和使用指南