LP2997 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-18 規(guī)范 DDR-II 內(nèi)存終止。該器件包含一個高速運算放大器，可提供 對負載瞬變的出色響應。輸出級可防止在傳輸時擊穿 根據(jù) DDR-II 的要求，在應用中具有高達 900mA 的 500mA 連續(xù)電流和瞬態(tài)峰值 SDRAM 終止。LP2997 還集成了 V意義pin 提供 卓越的負載調(diào)整率和 V裁判output 作為芯片組的參考 和 DIMM 的 DIMM 中。
*附件：lp2997.pdf

LP2997 的另一個功能是低電平有效關斷 （SD） 引腳，提供 Suspend To RAM （STR） 功能。當 SD 被拉低時，VTToutput 將三態(tài) 提供高阻抗輸出，但是，V裁判將保持活動狀態(tài)。一 在此模式下，可以通過較低的靜態(tài)電流獲得 SAVINGS ADVANTAGE。

特性

• 拉電流和吸收電流
• 低輸出電壓偏移
• 無需外部電阻器
• 線性拓撲
• 掛起到 RAM （STR） 功能
• 外部元件數(shù)量少
• 熱關斷
• 采用 SOIC-8、SO PowerPAD-8 封裝

參數(shù)

方框圖

一、概述

LP2997是一款線性電壓調(diào)節(jié)器，專為DDR-II內(nèi)存終止電壓設計。該器件包含高速運算放大器，能夠提供優(yōu)異的負載瞬態(tài)響應，并具有低輸出電壓偏移、源電流和沉電流能力，滿足JEDEC SSTL-18規(guī)范。

二、主要特性

• ?源電流和沉電流?：支持高達±500mA的連續(xù)電流，瞬態(tài)峰值可達±900mA。
• ?低輸出電壓偏移?：輸出電壓偏移在±25mV以內(nèi)。
• ?內(nèi)部參考電壓?：提供0.9V的參考電壓輸出。
• ?熱關機保護?：防止器件因過熱而損壞。
• ?關斷功能?：通過SD引腳實現(xiàn)關斷功能，關斷時V TT輸出變?yōu)楦咦杩梗玍 REF保持活躍。
• ?封裝選項?：提供SOIC-8和SO PowerPAD-8兩種封裝。

三、引腳功能

• ?GND?：地
• ?SD?：關斷引腳，低電平有效
• ?VSENSE?：反饋引腳，用于調(diào)節(jié)V TT輸出
• ?VREF?：緩沖內(nèi)部參考電壓輸出
• ?AVIN?：模擬輸入引腳，用于供電內(nèi)部控制電路
• ?PVIN?：電源輸入引腳，用于供電輸出級
• ?VTT?：調(diào)節(jié)輸出，連接至終止電阻
• ?EP?（SO PowerPAD-8封裝）：裸露的熱焊盤，連接至地

四、電氣特性

• ?參考電壓?：V REF = 0.86V（典型值），在PVIN和VDDQ為1.8V時。
• ?輸出電壓?：V TT = 0.9V（典型值），在輸出電流為0A時。
• ?靜態(tài)電流?：I Q = 500μA（典型值），在AVIN為2.5V時。
• ?關斷時靜態(tài)電流?：I Q_SD = 150μA（典型值）。
• ?熱關機閾值?：T SD = 165°C（典型值）。

五、應用

• ?DDR-II內(nèi)存終止電壓?：LP2997專為DDR-II內(nèi)存設計，提供精確的終止電壓。
• ?STR功能?：在關斷模式下，通過降低靜態(tài)電流實現(xiàn)電源節(jié)省。

六、布局考慮

• ?輸入電容?：推薦在PVIN引腳附近放置輸入電容，以改善大負載瞬態(tài)性能。
• ?VSENSE引腳?：應連接至V TT終止總線的中間位置，以改善負載調(diào)節(jié)。
• ?VDDQ引腳?：可以遠程連接至DIMM或芯片組的V DDQ電源軌，以提供準確的參考電壓。
• ?熱管理?：使用較大的頂層銅皮和多個過孔來改善熱性能。

七、封裝與尺寸

• ?SOIC-8?：封裝尺寸為8引腳，小型集成電路封裝。
• ?SO PowerPAD-8?：封裝尺寸為8引腳，帶裸露熱焊盤的電源小型集成電路封裝。

八、文檔與支持

• 提供詳細的數(shù)據(jù)手冊，包括電氣特性、典型應用電路、PCB布局考慮等。
• 可通過TI官網(wǎng)獲取更多信息和技術支持。