LP2995 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 SSTL-3 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 終止規(guī)范。該器件包含一個(gè)高速運(yùn)算放大器 對(duì)負(fù)載瞬變提供出色的響應(yīng)。輸出級(jí)可防止擊穿，同時(shí) 根據(jù)需要在應(yīng)用中提供 1.5A 的連續(xù)電流和高達(dá) 3A 的瞬態(tài)峰值 DDR-SDRAM 端接。LP2995 還集成了 V意義pin 提供 卓越的負(fù)載調(diào)整率和 V裁判output 作為芯片組的參考 和 DDR DIMM。
*附件：lp2995.pdf

特性

• 低輸出電壓偏移
• 與 +5v、+3.3v 和 2.5v 電源軌配合使用
• 拉電流和吸收電流
• 外部元件數(shù)量少
• 無需外部電阻器
• 線性拓?fù)?/li>
• 采用 SOIC-8、SO PowerPAD-8 或 WQFN-16 封裝
• 成本低且易于使用

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

LP2995是一款線性穩(wěn)壓器，專為滿足JEDEC SSTL-2和SSTL-3規(guī)范的DDR-SDRAM終止電壓而設(shè)計(jì)。該器件集成了高速運(yùn)算放大器，以提供對(duì)負(fù)載瞬變的快速響應(yīng)，并具備低輸出電壓偏移、源和沉電流能力、低外部元件數(shù)量以及線性拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)等特點(diǎn)。

二、主要特性

• ?低輸出電壓偏移?：確保輸出電壓的穩(wěn)定性。
• ?源和沉電流能力?：提供高達(dá)1.5A的連續(xù)電流和高達(dá)3A的瞬態(tài)峰值電流。
• ?低外部元件數(shù)量?：簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)。
• ?線性拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)?：提供穩(wěn)定的電壓輸出。
• ?高速運(yùn)算放大器?：快速響應(yīng)負(fù)載瞬變。
• ?多種封裝選項(xiàng)?：包括SOIC-8、SO PowerPAD-8和WQFN-16封裝。

三、引腳功能

LP2995提供不同封裝選項(xiàng)，各封裝的引腳功能基本一致，主要引腳包括：

• ?AVIN?：模擬輸入引腳，為內(nèi)部控制電路供電。
• ?PVIN?：功率輸入引腳，為輸出級(jí)功率運(yùn)算放大器供電。
• ?VDDQ?：參考電壓輸入引腳，用于生成內(nèi)部參考電壓。
• ?VREF?：緩沖后的內(nèi)部參考電壓輸出，用于為芯片組和DDR DIMM提供參考。
• ?VTT?：調(diào)節(jié)后的輸出電壓，用于DDR-SDRAM的終止電阻。
• ?VSENSE?：反饋引腳，用于改進(jìn)遠(yuǎn)程負(fù)載調(diào)節(jié)。
• ?GND?：接地引腳。

四、電氣特性

• ? 參考電壓（VREF） ?：典型值為1.25V（VDDQ/2），具有低輸出阻抗。
• ? 輸出電壓偏移（VTT Offset） ?：在無負(fù)載條件下，偏移量在±15mV以內(nèi)。
• ?負(fù)載調(diào)節(jié)?：在0至1.5A輸出電流范圍內(nèi)，負(fù)載調(diào)節(jié)率為±0.5%。
• ? 靜態(tài)電流（Iq） ?：典型值為400μA（AVIN=2.5V）。

五、應(yīng)用電路

LP2995可應(yīng)用于DDR-SDRAM的SSTL-2和SSTL-3終止方案。典型應(yīng)用電路包括輸入電容、輸出電容、VTT終止電阻以及必要的旁路電容等元件。

六、熱性能與封裝

• ?熱性能?：數(shù)據(jù)手冊(cè)提供了不同封裝和散熱條件下的熱阻（θJA）值，并建議了優(yōu)化熱性能的布局方法。
• ?封裝選項(xiàng)?：包括SOIC-8、SO PowerPAD-8和WQFN-16封裝，用戶可根據(jù)應(yīng)用需求選擇合適的封裝形式。

七、PCB布局考慮

為了確保LP2995的最佳性能，數(shù)據(jù)手冊(cè)提供了PCB布局的詳細(xì)建議，包括：

• 將AVIN和PVIN引腳短接，并在PVIN引腳附近放置旁路電容。
• 將GND引腳連接到接地平面，并使用多個(gè)過孔以改善熱性能。
• 將VSENSE引腳連接到需要調(diào)節(jié)的VTT終止總線的中心位置。
• 將VDDQ引腳遠(yuǎn)程連接到DDR DIMM或芯片組的VDDQ電源軌。
• 在VREF引腳附近放置一個(gè)0.01μF或0.1μF的陶瓷旁路電容。