LM749x0-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET，以模擬具有電源路徑開(kāi)/關(guān)控制以及過(guò)流和過(guò)壓保護(hù)的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源可保護(hù)和控制 12V 和 24V 汽車電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65 V 的負(fù)電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 （DGATE） 驅(qū)動(dòng)第一個(gè) MOSFET，以取代肖特基二極管，用于反向輸入保護(hù)和輸出電壓保持。在電源路徑中具有第二個(gè) MOSFET，該器件允許使用 HGATE 控制在發(fā)生過(guò)流和過(guò)壓事件時(shí)進(jìn)行負(fù)載斷開(kāi)（ON/OFF 控制）。該器件具有集成的電流感應(yīng)放大器，可通過(guò)可調(diào)節(jié)的過(guò)流和短路閾值提供精確的電流監(jiān)控。該器件具有可調(diào)節(jié)的過(guò)壓截止保護(hù)功能。該器件具有 SLEEP 模式，可實(shí)現(xiàn)超低靜態(tài)電流消耗 （6 μA），同時(shí)在車輛處于停車狀態(tài)時(shí)為始終開(kāi)啟的負(fù)載提供刷新電流。LM749x0-Q1 的最大額定電壓為 65 V。
*附件：lm74910-q1.pdf

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車應(yīng)用
  • 器件溫度等級(jí) 1：-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
• 功能安全
  • 提供有助于功能安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)的文檔
• 3V 至 65V 輸入范圍
• 低至 –65 V 的反向輸入保護(hù)
• 在共漏極配置中驅(qū)動(dòng)外部背靠背 N 溝道 MOSFET
• 具有 10.5mV A 至 C 正向壓降調(diào)節(jié)的理想二極管作
• 低反向檢測(cè)閾值 （–10.5 mV），具有快速關(guān)斷響應(yīng) （0.5 μs）
• 20mA 峰值柵極 （DGATE） 導(dǎo)通電流
• 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
• 可調(diào)過(guò)流和短路保護(hù)
• 精度為 10% 的模擬電流監(jiān)視器輸出 （IMON）
• 可調(diào)的過(guò)壓和欠壓保護(hù)
• 2.5μA 的低關(guān)斷電流 （EN=Low）
• 具有 6μA 電流的睡眠模式（EN=高，睡眠=低）
• 通過(guò)合適的 TVS 二極管滿足汽車ISO7637瞬態(tài)要求
• 采用節(jié)省空間的 24 引腳 VQFN 封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

LM74910-Q1 是一款適用于汽車應(yīng)用的理想二極管控制器，集成了電路斷路器、欠壓和過(guò)壓保護(hù)功能，并具備故障輸出功能。該器件專為汽車電池保護(hù)、ADAS 域控制器、信息娛樂(lè)系統(tǒng)、汽車音頻外部放大器等應(yīng)用設(shè)計(jì)。

2. 關(guān)鍵特性

• ?AEC-Q100 認(rèn)證?：符合汽車電子元件的可靠性標(biāo)準(zhǔn)。
• ?寬輸入電壓范圍?：支持3V至65V的輸入電壓，適用于12V和24V汽車電池系統(tǒng)。
• ?反向輸入保護(hù)?：可承受低至-65V的反向輸入電壓。
• ?理想二極管操作?：具有10.5mV的A到C正向電壓降調(diào)節(jié)。
• ?低反向檢測(cè)閾值?：-10.5mV，快速關(guān)斷響應(yīng)（0.5μs）。
• ?可調(diào)過(guò)流和短路保護(hù)?：提供靈活的過(guò)流和短路保護(hù)設(shè)置。
• ?模擬電流監(jiān)測(cè)輸出?：具備10%精度的電流監(jiān)測(cè)功能。
• ?可調(diào)過(guò)壓和欠壓保護(hù)?：可根據(jù)應(yīng)用需求調(diào)整過(guò)壓和欠壓保護(hù)閾值。
• ?低功耗模式?：SLEEP模式下僅消耗6μA電流，關(guān)機(jī)模式下低至2.5μA。

3. 功能描述

• ?理想二極管控制?：通過(guò)控制外部背對(duì)背N溝道MOSFET，實(shí)現(xiàn)理想二極管整流器功能，具備電源路徑ON/OFF控制及過(guò)流和過(guò)壓保護(hù)功能。
• ?電荷泵?：為外部MOSFET提供必要的驅(qū)動(dòng)電壓，支持寬范圍的輸入電壓。
• ?雙門控輸出?：DGATE和HGATE分別控制兩個(gè)外部MOSFET，實(shí)現(xiàn)反向電池保護(hù)和負(fù)載斷開(kāi)功能。
• ?過(guò)流保護(hù)?：包括脈沖過(guò)載保護(hù)和短路保護(hù)，可通過(guò)外部電容和電阻調(diào)整保護(hù)閾值和響應(yīng)時(shí)間。
• ?過(guò)壓和欠壓保護(hù)?：通過(guò)電阻分壓網(wǎng)絡(luò)設(shè)置過(guò)壓和欠壓閾值，保護(hù)系統(tǒng)免受電壓瞬態(tài)影響。
• ?SLEEP模式?：在SLEEP模式下，設(shè)備消耗極低的電流，同時(shí)提供刷新電流以維持始終開(kāi)啟的負(fù)載。

4. 應(yīng)用領(lǐng)域

• 汽車電池保護(hù)
• ADAS域控制器
• 信息娛樂(lè)和儀表集群
• 汽車音頻外部放大器
• 冗余電源的主動(dòng)ORing

5. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：24引腳VQFN封裝，尺寸為4.00mm × 4.00mm。

6. 設(shè)計(jì)指南

• ?MOSFET選型?：根據(jù)應(yīng)用需求選擇合適的MOSFET，考慮最大連續(xù)漏極電流、漏源擊穿電壓、柵源閾值電壓等參數(shù)。
• ?電容選擇?：包括電荷泵電容、輸入電容、輸出電容和保持電容，需根據(jù)具體應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行計(jì)算和選擇。
• ?電阻網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)?：用于設(shè)置過(guò)流、過(guò)壓和欠壓保護(hù)閾值，需根據(jù)保護(hù)要求選擇合適的電阻值。
• ?布局與布線?：提供布局指南，建議關(guān)鍵信號(hào)線采用短而粗的走線，以降低電阻和電感，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。

7. 文檔與支持

• 提供詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊(cè)，包括規(guī)格、應(yīng)用信息、布局指南等。
• 可通過(guò)TI的E2E?支持論壇獲取設(shè)計(jì)幫助和快速驗(yàn)證答案。