LM74930-Q1 理想二極管控制器驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET，以模擬理想二極管整流器和具有過流和過壓保護(hù)功能的電源路徑開和關(guān)控制。4V 至 65V 的寬輸入電源可保護(hù)和控制 12V 和 24V 汽車電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65 V 的負(fù)電源電壓的影響。集成的高壓側(cè)柵極控制 （HGATE） 驅(qū)動電源路徑中的第一個 MOSFET。該器件允許使用 HGATE 控制在發(fā)生過流、過壓和欠壓事件時(shí)進(jìn)行負(fù)載斷開（ON 和 OFF 控制），同時(shí)理想二極管控制器 （DGATE） 驅(qū)動第二個 MOSFET 以取代肖特基二極管，通過阻止從輸出到輸入的反向電流來替代肖特基二極管，以實(shí)現(xiàn)輸入反極性保護(hù)和輸出電壓保持。該器件集成了電流感應(yīng)放大器，可提供可調(diào)節(jié)的過流和短路保護(hù)，并具有斷路器功能。該器件具有可調(diào)節(jié)的過壓和欠壓保護(hù)功能，可防止電源瞬變。LM74930-Q1 具有 MODE 引腳，可用于選擇性地啟用或禁用反向電流阻斷功能。
*附件：lm74930-q1.pdf

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車應(yīng)用
  • 器件溫度等級 1：-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
• 4V 至 65V 輸入范圍
• 低至 –65 V 的反向輸入保護(hù)
• 在共源配置中驅(qū)動外部背靠背 N 溝道 MOSFET
• 具有 10.5mV A 至 C 正向壓降調(diào)節(jié)的理想二極管作
• 低反向檢測閾值 （–10.5 mV），具有快速 DGATE 關(guān)斷響應(yīng) （0.5 μs）
• 18mA 峰值柵極 （DGATE） 導(dǎo)通電流
• 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
• 可調(diào)過流和短路保護(hù)
• 精度為 10% 的模擬電流監(jiān)視器輸出 （IMON）
• 可調(diào)的過壓和欠壓保護(hù)
• 2.5μA 的低關(guān)斷電流 （EN=Low）
• MODE 引腳允許雙向電流流動 （MODE=Low）
• 通過合適的 TVS 二極管滿足汽車ISO7637瞬態(tài)要求
• 采用節(jié)省空間的 24 引腳 VQFN 封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

LM74930-Q1是一款專為汽車電子應(yīng)用設(shè)計(jì)的理想二極管浪涌抑制器，集成了電路斷路器、過電壓保護(hù)及故障輸出功能。該器件符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，適用于12V/24V汽車電子系統(tǒng)，提供反向輸入保護(hù)、過電流與過電壓保護(hù)以及雙向電流流動控制。

2. 關(guān)鍵特性

• ?AEC-Q100認(rèn)證?：適用于汽車電子應(yīng)用。
• ?寬輸入范圍?：4V至65V，反向輸入保護(hù)低至-65V。
• ?理想二極管操作?：正向電壓降調(diào)節(jié)至10.5mV。
• ?低反向檢測閾值?：-10.5mV，快速DGATE關(guān)斷響應(yīng)（0.5μs）。
• ?可調(diào)過電流與短路保護(hù)?。
• ?可調(diào)過電壓與欠電壓保護(hù)?。
• ?低關(guān)斷電流?：2.5μA（EN=Low）。
• ?MODE引腳?：允許雙向電流流動（MODE=Low）。
• ?空間節(jié)省的24引腳VQFN封裝?。

3. 功能描述

• ?雙柵極控制?：DGATE和HGATE分別控制理想二極管和負(fù)載斷開開關(guān)。
• ?電荷泵?：為外部N溝道MOSFET提供必要的柵極驅(qū)動電壓。
• ?過電流保護(hù)?：包括具有自動重試功能的電路斷路器保護(hù)和閂鎖關(guān)斷功能。
• ?短路保護(hù)?：快速響應(yīng)輸出短路事件。
• ?模擬電流監(jiān)控輸出?：提供10%精度的電流監(jiān)控。
• ?過電壓與欠電壓保護(hù)?：通過可編程閾值實(shí)現(xiàn)。
• ?反向電流阻斷功能?：可通過MODE引腳啟用或禁用。

4. 應(yīng)用領(lǐng)域

• ?12V/24V汽車電子反向電池保護(hù)?。
• ?工業(yè)運(yùn)輸?。
• ?冗余電源ORing?。

5. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：24引腳VQFN。
• ?尺寸?：4.0mm × 4.0mm。

6. 電氣特性

• ?工作結(jié)溫范圍?：-40°C至+125°C。
• ?總系統(tǒng)靜態(tài)電流?：典型值665μA至780μA（V(EN/UVLO) = 2V）。
• ?DGATE峰值柵極源電流?：18.5mA。
• ?HGATE峰值柵極漏電流?：180mA。

7. 開關(guān)特性

• ?DGATE關(guān)斷延遲?：典型值0.5μs（反向電壓檢測期間）。
• ?DGATE開啟延遲?：典型值2μs至3.8μs（正向電壓檢測期間）。
• ?過電流保護(hù)關(guān)斷延遲?：取決于TMR引腳連接的電容值。

8. 典型應(yīng)用電路

文檔提供了200V無抑制負(fù)載轉(zhuǎn)儲保護(hù)應(yīng)用的典型應(yīng)用電路，包括關(guān)鍵組件的選型建議和詳細(xì)設(shè)計(jì)步驟。

9. 布局指南

• ?最小化寄生電感?：通過短而寬的走線連接關(guān)鍵引腳。
• ?熱管理?：確保散熱路徑暢通無阻。
• ?瞬態(tài)保護(hù)?：在輸入和輸出端添加適當(dāng)?shù)乃矐B(tài)抑制組件。

10. 文檔與支持

• ?數(shù)據(jù)手冊?：提供詳細(xì)的電氣特性、開關(guān)特性和應(yīng)用信息。
• ?應(yīng)用指南?：包括最佳設(shè)計(jì)實(shí)踐和布局建議。
• ?TI E2E?支持論壇?：提供設(shè)計(jì)幫助和快速驗(yàn)證答案。