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LM7481 具有 -55°C 至 125°C 高柵極驅(qū)動(dòng)的 3V 至 65V 背靠背 NFET理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-05-07 16:46 ? 次閱讀

LM74810 理想二極管控制器驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過(guò)壓保護(hù)的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源可保護(hù)和控制 12V 和 24V 輸入供電系統(tǒng)。該器件可以承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65V 的負(fù)電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 驅(qū)動(dòng)第一個(gè) MOSFET,以取代肖特基二極管,用于反向輸入保護(hù)和輸出電壓保持。該器件在電源路徑中具有第二個(gè) MOSFET,允許使用 HGATE 控制進(jìn)行負(fù)載斷開(ON/OFF 控制)和過(guò)壓保護(hù)。該器件具有可調(diào)節(jié)的過(guò)壓截止保護(hù)功能。LM74810采用線性調(diào)節(jié)和比較器方案的反向電流阻斷。對(duì)于功率 MOSFET 的共漏極配置,中點(diǎn)可用于使用另一個(gè)理想二極管的 OR-ing 設(shè)計(jì)。LM74810的最大額定電壓為 65V。通過(guò)在共源拓?fù)渲信渲闷骷耐獠?MOSFET,可以保護(hù)負(fù)載免受擴(kuò)展過(guò)壓瞬變的影響,例如 24 V 電池系統(tǒng)中的 200 V 非抑制負(fù)載突降。
*附件:lm7481.pdf

特性

  • 適用于寬溫應(yīng)用
    • 器件溫度:-55°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 3V 至 65V 輸入范圍
  • 低至 –65 V 的反向輸入保護(hù)
  • 驅(qū)動(dòng)外部背靠背 N 溝道 MOSFET
  • 具有 9.1mV A 至 C 正向壓降調(diào)節(jié)的理想二極管作
  • 低反向檢測(cè)閾值 (–4 mV),具有快速響應(yīng) (0.5 μs)
  • 高達(dá) 200KHz 的有源整流
  • 60mA 峰值柵極 (DGATE) 導(dǎo)通電流
  • 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
  • 集成 3.8mA 電荷泵
  • 可調(diào)過(guò)壓保護(hù)
  • 2.87μA 的低關(guān)斷電流 (EN/UVLO=Low)
  • 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
  • 通過(guò)合適的 TVS 二極管滿足汽車ISO7637瞬態(tài)要求
  • 采用節(jié)省空間的 12 引腳 WSON 封裝

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

LM7481 是一款理想二極管控制器,適用于3V至65V的寬輸入電壓范圍,特別適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用中的反向極性保護(hù)、冗余電源ORing等場(chǎng)景。它通過(guò)驅(qū)動(dòng)外部背對(duì)背N-Channel MOSFETs來(lái)模擬理想二極管的行為,提供低正向壓降、快速反向阻斷和過(guò)壓保護(hù)等功能。

2. 主要特性

  • ?寬輸入電壓范圍?:3V至65V,支持12V和24V電池系統(tǒng)。
  • ?反向輸入保護(hù)?:可承受高達(dá)-65V的反向輸入電壓。
  • ?低正向壓降?:9.1mV的A到C正向電壓降。
  • ?快速反向阻斷?:-4mV的反向檢測(cè)閾值,0.5μs快速響應(yīng)。
  • ?過(guò)壓保護(hù)?:可調(diào)過(guò)壓保護(hù)閾值。
  • ?低關(guān)機(jī)電流?:2.87μA(EN/UVLO=Low)。
  • ?高溫應(yīng)用?:支持-55°C至+125°C的工作溫度范圍。

3. 電氣規(guī)格

3.1 絕對(duì)最大額定值

  • 輸入引腳電壓(相對(duì)于GND):-65V至70V
  • 輸出引腳電壓(相對(duì)于VS):-65V至16.5V
  • 結(jié)溫:-55°C至150°C

3.2 推薦操作條件

  • 輸入電壓范圍:3V至65V
  • 結(jié)溫:-55°C至125°C(長(zhǎng)期),150°C(短期)

3.3 電氣特性

  • 系統(tǒng)靜態(tài)電流:397μA(典型值,VS=24V,EN/UVLO=2V)
  • 反向輸入泄漏電流:10μA至112μA(0V≤VA≤-65V)
  • DGATE驅(qū)動(dòng)電壓:7V至13V(VS=3V至65V)
  • HGATE驅(qū)動(dòng)電壓:7V至14.5V(VS=3V至65V)

4. 功能描述

  • ?理想二極管控制?:通過(guò)集成的高精度電流感應(yīng)和線性調(diào)節(jié)器,實(shí)現(xiàn)低正向壓降和零反向電流。
  • ?負(fù)載斷開與過(guò)壓保護(hù)?:通過(guò)HGATE控制第二個(gè)MOSFET,實(shí)現(xiàn)負(fù)載斷開和過(guò)壓保護(hù)功能。
  • ?低Iq關(guān)機(jī)模式?:當(dāng)EN/UVLO引腳電壓低于閾值時(shí),設(shè)備進(jìn)入低Iq關(guān)機(jī)模式,降低功耗。
  • ?電荷泵?:內(nèi)置3.8mA峰值電流的電荷泵,為外部MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)提供所需電壓。

5. 應(yīng)用信息

  • ?典型應(yīng)用?:包括12V反向電池保護(hù)、冗余電源ORing等。
  • ?設(shè)計(jì)工具?:提供詳細(xì)的應(yīng)用電路圖和設(shè)計(jì)指南,幫助用戶快速實(shí)現(xiàn)所需功能。

6. 設(shè)計(jì)與實(shí)施

  • ?布局指南?:強(qiáng)調(diào)關(guān)鍵信號(hào)線的短距離連接、熱管理以及輸入/輸出電容的放置等。
  • ?TVS選擇?:針對(duì)不同的電池系統(tǒng)(12V或24V),提供TVS二極管的選擇建議。

7. 封裝與訂購(gòu)信息

  • ?封裝類型?:12引腳WSON封裝。
  • ?訂購(gòu)信息?:提供詳細(xì)的訂購(gòu)代碼和封裝尺寸圖。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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