近日，由陜西省半導體行業(yè)協(xié)會主辦的“2025西部半導體產業(yè)創(chuàng)新發(fā)展論壇暨陜西省半導體行業(yè)協(xié)會成立20周年大會”在西安舉辦。大會由省市相關領導、院士專家、相關省市行業(yè)協(xié)會和基地代表、國內外半導體相關企業(yè)及廠商、金融投資機構、產業(yè)園區(qū)代表、各界媒體等500余位業(yè)界嘉賓參會，紫光國芯總經理、董事江喜平博士及公司相關業(yè)務負責人出席大會。

開幕式上，協(xié)會對20年來為陜西半導體行業(yè)發(fā)展做出杰出貢獻的單位、產品和人物進行了頒獎。公司憑借長期深耕半導體存儲器領域，持續(xù)推動存儲技術創(chuàng)新，助力陜西半導體產業(yè)發(fā)展，榮膺20周年“突出貢獻單位獎”。其自主研發(fā)的低功耗256Mb DRAM KGD產品，具有自主可控、超低功耗等優(yōu)勢，在全球細分通訊市場占據領先地位，榮獲“突出貢獻產品獎”。

獲得此次獎項的紫光國芯低功耗256Mb DRAM KGD產品，是國內首款自主開發(fā)的KGD產品，擁有多項自主知識產權，為滿足蜂窩通信、在線支付、衛(wèi)星導航等領域的存儲需求而設計。該款KGD產品具有緊湊型設計和低功耗特性，助力客戶提升系統(tǒng)競爭力，累計出貨量數(shù)億顆。

在IC設計與半導體智能應用發(fā)展論壇上，紫光國芯業(yè)務總經理左豐國發(fā)表了題為“用三維堆疊DRAM技術賦能AI大模型算力芯片”的主旨演講，他指出：

當大模型推動AI進入普惠時代。采用創(chuàng)新的存儲架構，突破內存性能瓶頸，是釋放AI算力潛能的關鍵突破口。

針對AI算力芯片普遍面臨的‘內存墻’問題，紫光國芯自主研發(fā)的三維堆疊DRAM(SeDRAM)技術，秉承‘連的更密、挪的更近、疊的更高’的存算架構創(chuàng)新理念，憑借超大帶寬、超低功耗和超大容量的突出優(yōu)勢，助力AI算力芯片性能的極致釋放。

歷經十年技術沉淀，紫光國芯SeDRAM技術歷經多次迭代。如今已發(fā)展至第四代，可為算力芯片提供每秒高達數(shù)十TB的訪存帶寬，并支持高達數(shù)十GB的內存容量。目前，紫光國芯已成功助力包括行業(yè)頭部廠商在內的眾多企業(yè)客戶完成超30款芯片產品的研發(fā)或量產，技術實力獲業(yè)界高度認可。

大會開幕前夕，紫光國芯攜手陜西半導體行業(yè)協(xié)會舉辦“紫光國芯之夜”主題晚宴，公司總經理江喜平出席活動并致祝酒辭，行業(yè)專家、合作伙伴及企業(yè)代表等逾百人齊聚一堂，分享行業(yè)心得，交流寶貴經驗和見解。

作為陜西半導體產業(yè)發(fā)展的深度參與者和核心推動者，紫光國芯始終堅持創(chuàng)新驅動發(fā)展戰(zhàn)略，不斷推出具有市場競爭力的產品和服務解決方案。未來，公司將進一步深化與協(xié)會等行業(yè)組織的戰(zhàn)略協(xié)同，聯(lián)合產業(yè)鏈上下游企業(yè)，以創(chuàng)新驅動生態(tài)共建，打造開放協(xié)同的產業(yè)生態(tài)圈，為陜西半導體產業(yè)高質量發(fā)展貢獻力量。