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派恩杰半導體亮相PCIM Europe 2025

派恩杰半導體 ? 來源:派恩杰半導體 ? 2025-05-09 16:42 ? 次閱讀
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近日,PNJ(PNJunction)亮相PCIM Europe 2025,在德國紐倫堡迎來展會首日盛況。本屆展會聚焦電力電子智能運動、可再生能源與能源管理,吸引了來自全球30多個國家的行業(yè)專家、整車廠、Tier1與系統(tǒng)集成商。

我們圍繞高性能碳化硅平臺的構(gòu)建,在展會上重點展示了:

更大尺寸碳化硅光刻晶圓:

具備量產(chǎn)能力,引發(fā)廣泛關(guān)注;

車規(guī)級功率模塊與分立器件:

適配新能源汽車及高壓工業(yè)應(yīng)用;

從設(shè)計到驗證的測試能力:

全面支持客戶開發(fā)需求;

未來產(chǎn)品布局:

展示我們在封裝、散熱與高壓拓撲等方面的探索。

我們深感榮幸的是,許多行業(yè)伙伴對PNJ展出的更大尺寸碳化硅晶圓表現(xiàn)出極大興趣??蛻舨粌H對PNJ產(chǎn)品本身表示關(guān)注,也對PNJ展現(xiàn)出的研發(fā)與工程能力給予了高度評價。這種來自世界各地、不同領(lǐng)域的專業(yè)反饋,讓我們備受鼓舞。

在與整車廠、功率模組廠、工業(yè)客戶的深入交流中,我們不僅收獲了明確的市場需求,也更加堅定了產(chǎn)品優(yōu)化與技術(shù)迭代的方向。這些寶貴的對話,對于我們持續(xù)推進碳化硅技術(shù)走進實際應(yīng)用場景,有著重要意義。

派恩杰半導體

成立于2018年9月的第三代半導體功率器件設(shè)計和方案商,國際標準委員會JC-70會議的主要成員之一,參與制定寬禁帶半導體功率器件國際標準。發(fā)布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件,其中SiC MOSFET芯片已大規(guī)模導入國產(chǎn)新能源整車廠和Tier 1,其余產(chǎn)品廣泛用于大數(shù)據(jù)中心、超級計算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、儲能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機驅(qū)動等領(lǐng)域。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:派恩杰攜新產(chǎn)品亮相PCIM|首日精彩回顧

文章出處:【微信號:派恩杰半導體,微信公眾號:派恩杰半導體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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