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TPS22969 具有輸出放電的 5.5V、6A、4.4mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-12 14:19 ? 次閱讀
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TPS22969 是一個(gè)小的、超低的 R 、單通道負(fù)載 開關(guān)與受控打開。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 輸入電壓范圍為 0.8 V 至 5.5 V,可支持 6 A 的最大連續(xù)電流。

超低 R 的組合以及 該器件非常適合驅(qū)動具有非常嚴(yán)格的壓降容差的處理器軌。 該器件的受控上升時(shí)間大大降低了大批量負(fù)載引起的浪涌電流 電容,從而減少或消除電源上的電壓下降。開關(guān)可以是 通過 ON 引腳獨(dú)立控制,該引腳能夠直接與低壓連接 來自微控制器或低壓分立邏輯的控制信號。該設(shè)備進(jìn)一步 通過集成一個(gè) 224 Ω 下拉電阻器以實(shí)現(xiàn)快速輸出,減小了整體解決方案的尺寸 開關(guān)關(guān)閉時(shí)的放電 (QOD)。
*附件:tps22969.pdf

TPS22969采用小型 3.00 mm x 3.00 mm SON-8 封裝 (DNY)。The DNY 封裝集成了一個(gè)導(dǎo)熱墊,可在大電流和高電流下實(shí)現(xiàn)高功率耗散 溫度應(yīng)用。該設(shè)備的特點(diǎn)是在自然通風(fēng)溫度下運(yùn)行 溫度范圍為 –40°C 至 105°C。

特性

  • 集成單通道負(fù)載開關(guān)
  • VBIAS 電壓范圍:2.5 V 至 5.5 V
  • VIN 電壓范圍:0.8 V 至 5.5 V
  • 超低 R電阻
    • RV 時(shí) = 4.4 mΩ = 1.05 伏 (V 偏見 = 5 V)
  • 6 A 最大連續(xù)開關(guān)電流
  • 低靜態(tài)電流
    • (20 μA(典型值),對于 V 偏見 = 5 V)
  • 低關(guān)斷電流
    • (1 μA (典型值) for V 偏見 = 5 V)
  • 低控制輸入閾值允許使用 1.2 V 或更高的 GPIO
  • V寬的受控和固定轉(zhuǎn)換速率偏見和 V
    • tRV 時(shí) = 599 μs = 1.05 伏 (V 偏見 = 5 V)
  • 快速輸出放電 (QOD)
  • 帶導(dǎo)熱墊的 SON 8 引腳封裝
  • ESD 性能測試符合 JESD 22 標(biāo)準(zhǔn)
    • 2kV 人體模型 (HBM)
    • 1kV 充電器件模型 (CDM)

參數(shù)
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方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

TPS22969是一款小型、超低導(dǎo)通電阻(R_ON)的單通道負(fù)載開關(guān),適用于驅(qū)動具有嚴(yán)格電壓跌落容限的高電流核心軌,如處理器電源。該器件集成了一個(gè)N溝道MOSFET,支持高達(dá)6A的最大連續(xù)開關(guān)電流。

2. 主要特性

  • ?超低導(dǎo)通電阻?:R_ON = 4.4mΩ(在V_IN = 1.05V,V_BIAS = 5V時(shí))
  • ?高電流能力?:最大連續(xù)開關(guān)電流為6A
  • ?低靜態(tài)電流?:20μA(典型值,在V_BIAS = 5V時(shí))
  • ?低關(guān)斷電流?:1μA(典型值,在V_BIAS = 5V時(shí))
  • ?低控制輸入閾值?:支持1.2V或更高的GPIO邏輯電平
  • ?可控和固定斜率?:減少大容性負(fù)載引起的電源壓降
  • ?快速輸出放電?:集成224Ω下拉電阻,實(shí)現(xiàn)快速輸出放電
  • ?小型封裝?:3.00mm x 3.00mm的SON-8封裝,帶熱焊盤

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

  • 超極本/筆記本電腦
  • 臺式電腦
  • 工業(yè)電腦
  • 服務(wù)器
  • 機(jī)頂盒
  • 電信系統(tǒng)
  • 平板電腦

4. 功能描述

  • ?可控開啟?:通過ON引腳控制開關(guān)狀態(tài),ON引腳兼容低電壓控制信號。
  • ?固定斜率?:V_OUT的上升時(shí)間固定,有助于減少或消除由于大容性負(fù)載引起的電源壓降。
  • ?低泄漏電流?:在關(guān)斷狀態(tài)下,具有很低的泄漏電流,減少下游模塊的待機(jī)功耗。
  • ?集成功能?:包含控制邏輯、驅(qū)動器電荷泵和輸出放電FET,無需外部組件。

5. 電氣特性

  • ?工作電壓范圍?:V_IN = 0.8V至5.5V,V_BIAS = 2.5V至5.5V
  • ?R_ON變化?:隨V_IN和V_BIAS的變化而變化,具體值請參考數(shù)據(jù)表。
  • ?靜態(tài)電流?:I_Q,VBIAS在-40°C至105°C的溫度范圍內(nèi),典型值為9.9μA至12.7μA。
  • ?關(guān)斷電流?:I_SD,VBIAS和I_SD,VIN在-40°C至105°C的溫度范圍內(nèi),均低于1.6μA。

6. 熱特性

  • ?熱阻?:R_θJA = 44.6°C/W
  • ?最大結(jié)溫?:T_J(max) = 125°C

7. 封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:SON-8,帶熱焊盤
  • ?尺寸?:3.00mm x 3.00mm x 0.8mm(最大高度)

8. 布局指南

  • ?輸入和輸出電容?:建議在VIN和GND、VOUT和GND之間分別放置低ESR陶瓷旁路電容。
  • ?熱焊盤?:必須將熱焊盤焊接到電路板上,以實(shí)現(xiàn)最佳的熱性能和機(jī)械性能。
  • ?走線?:VIN和VOUT走線應(yīng)盡可能短且寬,以適應(yīng)高電流。

9. 應(yīng)用曲線與典型應(yīng)用

  • 提供了多種應(yīng)用曲線,包括R_ON與V_IN、V_BIAS的關(guān)系,以及不同條件下的開關(guān)特性。
  • 典型應(yīng)用示例展示了如何使用TPS22969為具有大容性負(fù)載的下游模塊供電。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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