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LM2105系列 具有5V UVLO和集成自舉二極管的 107V 0.5A/0.8A 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-05-16 13:37 ? 次閱讀
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LM2105 是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。集成的自舉二極管無需外部分立二極管,從而節(jié)省了電路板空間并降低了系統(tǒng)成本。
*附件:lm2105.pdf

SH 引腳上的 –1V DC 和 –19.5V 瞬態(tài)負(fù)電壓處理提高了高噪聲應(yīng)用中的系統(tǒng)穩(wěn)健性。小型熱增強(qiáng)型 8 引腳 WSON 封裝允許將驅(qū)動(dòng)器放置在更靠近電機(jī)相位的位置,從而改善了 PCB 布局。LM2105 還采用與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳布局兼容的 8 引腳 SOIC 封裝。低側(cè)和高側(cè)電源軌均提供欠壓鎖定 (UVLO),用于在上電和斷電期間提供保護(hù)。

特性

  • 在半橋配置中驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET
  • 集成自舉二極管
  • GVDD 上的典型欠壓鎖定為 5V
  • BST 上的最大電壓為 107V
  • SH 上的最大絕對(duì)負(fù)瞬態(tài)電壓處理電壓為 –19.5V
  • 0.5A/0.8A 峰值拉電流/灌電流
  • 115ns 典型傳播延遲

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

一、產(chǎn)品概述

LM5是一款高電壓半橋驅(qū)動(dòng)器,專為驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET設(shè)計(jì),適用于同步降壓或半橋配置。該驅(qū)動(dòng)器集成了自舉二極管,并具備V欠壓鎖定(UVLO)保護(hù)功能。

二、主要特性

  • ?驅(qū)動(dòng)能力?:支持.A/0.8A的峰值源/漏電流。
  • ?高電壓處理?:絕對(duì)最大電壓可達(dá)V(BST引腳),-.V的負(fù)瞬態(tài)電壓處理能力(SH引腳)。
  • ?集成自舉二極管?:節(jié)省板級(jí)空間,降低系統(tǒng)成本。
  • ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:在GVDD和BST電源軌上均提供UVLO保護(hù),增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性。
  • ?緊湊封裝?:提供引腳SOIC和WSON封裝,適合高密度PCB布局。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

  • 無刷直流(BLDC)電機(jī)
  • 永磁同步電機(jī)(PMSM)
  • 無線吸塵器
  • 無線園林工具和電動(dòng)工具
  • 電動(dòng)自行車和電動(dòng)滑板車
  • 電池測(cè)試設(shè)備
  • 離線不間斷電源(UPS)
  • 通用MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)器

四、功能描述

1. 輸入與邏輯控制

  • INH(高側(cè)控制輸入)和INL(低側(cè)控制輸入)兼容TTL和CMOS邏輯電平。
  • 獨(dú)立的輸入控制信號(hào),允許兩個(gè)輸出獨(dú)立工作。

2. 輸出驅(qū)動(dòng)

  • GL(低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)輸出)和GH(高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)輸出)分別驅(qū)動(dòng)低側(cè)和高側(cè)MOSFET。
  • 高側(cè)驅(qū)動(dòng)通過自舉電容實(shí)現(xiàn)浮動(dòng)電源供電。

3. 保護(hù)功能

  • UVLO保護(hù):在GVDD和BST電壓低于閾值時(shí),禁止輸出,防止MOSFET不完全導(dǎo)通。
  • SH引腳負(fù)瞬態(tài)電壓處理:允許SH引腳電壓低于地電位,增強(qiáng)系統(tǒng)魯棒性。

4. 自舉電路

  • 集成自舉二極管,簡(jiǎn)化外部電路設(shè)計(jì)。
  • 需要外部自舉電容來維持高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電壓。

五、典型應(yīng)用

文檔提供了LM5在半橋轉(zhuǎn)換器中驅(qū)動(dòng)MOSFET的典型應(yīng)用電路,包括設(shè)計(jì)要求和詳細(xì)設(shè)計(jì)步驟,如自舉電容和GVDD電容的選型、外部柵極驅(qū)動(dòng)電阻的計(jì)算、驅(qū)動(dòng)功率損耗的估計(jì)等。

六、電源推薦

  • GVDD電源推薦電壓范圍為V至V,需考慮UVLO閾值和滯回電壓。
  • 建議在GVDD和GND之間、BST和SH之間放置低ESR/ESL的旁路電容,以減小電源噪聲和電壓波動(dòng)。

七、布局指南

  • 柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)盡量靠近被驅(qū)動(dòng)的MOSFET,以減小柵極驅(qū)動(dòng)回路的寄生電感。
  • 自舉電容應(yīng)盡可能靠近BST和SH引腳放置,提供低阻抗電源路徑。
  • 輸入控制信號(hào)應(yīng)保持良好的信號(hào)完整性,避免長距離傳輸和干擾。

八、文檔支持

文檔提供了詳細(xì)的規(guī)格表、特性曲線、應(yīng)用信息和布局指南,幫助用戶正確選擇和使用LM。此外,還提供了設(shè)備支持資源,包括TI EE支持論壇和相關(guān)文檔更新通知。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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