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UCC27321-Q1 具有反相輸入和分離輸出的汽車類 9A/9A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-05-21 09:19 ? 次閱讀
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UCC2732x-Q1 系列高速驅(qū)動(dòng)器采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳布局,可提供 9A 的峰值驅(qū)動(dòng)電流。這些驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)大型 MOSFET,適用于由于高 dV/dt 轉(zhuǎn)換而需要極高米勒電流的系統(tǒng)。這消除了額外的外部電路,可以替換多個(gè)組件,以減少空間、設(shè)計(jì)復(fù)雜性和裝配成本。提供兩種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng):反相 (UCC27321-Q1) 和同相 (UCC27322-Q1)。
*附件:ucc27321-q1.pdf

這些器件采用最小化擊穿電流的設(shè)計(jì),在 MOSFET 開關(guān)轉(zhuǎn)換期間,可在米勒平臺(tái)區(qū)域最需要的地方提供高柵極驅(qū)動(dòng)電流。獨(dú)特的雙極和 MOSFET 晶體管并聯(lián)混合輸出級(jí) (TrueDrive) 可在低電源電壓下實(shí)現(xiàn)高效電流傳輸。借助這種驅(qū)動(dòng)器架構(gòu),UCC2732x-Q1 可用于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 6A、9A 和許多 12A 驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用。還包括閂鎖和 ESD 保護(hù)電路。最后,UCC2732x-Q1 提供使能 (ENBL) 功能,以更好地控制驅(qū)動(dòng)程序應(yīng)用的運(yùn)行。ENBL 在引腳 3 上實(shí)現(xiàn),該引腳以前在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳分配中未使用。它在內(nèi)部上拉至 VDD 以實(shí)現(xiàn)高電平有效邏輯,并且可以保持開路以進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)作。

除了 8 引腳 SOIC (D) 封裝產(chǎn)品外,UCC2732x-Q1 還采用熱增強(qiáng)型微型 8 引腳 MSOP-PowerPAD (DGN) 封裝。PowerPAD 封裝大大降低了熱阻,以擴(kuò)展溫度工作范圍并提高長(zhǎng)期可靠性。

特性

  • 適用于汽車應(yīng)用
  • 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),結(jié)果如下:
    • 器件溫度等級(jí) 1:-40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類 2 級(jí)
    • 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C6
  • 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳排列,增加使能功能
  • 使用 TrueDrive? 技術(shù)在 Miller Plateau 地區(qū)實(shí)現(xiàn) ±9 A 的高峰值電流驅(qū)動(dòng)能力
  • 使用獨(dú)特的雙極和 CMOS 輸出級(jí)實(shí)現(xiàn)高效的恒流源
  • TTL 和 CMOS 兼容輸入,不受電源電壓的影響
  • 10nF 負(fù)載時(shí),上升時(shí)間為 20ns(典型值),下降時(shí)間為 15ns(典型值)
  • 典型傳播延遲時(shí)間為 25 ns(輸入下降時(shí))和 35 ns(輸入上升時(shí))
  • 4V 至 15V 電源電壓
  • 采用耐熱性能增強(qiáng)型 MSOP PowerPAD? 封裝
  • TrueDrive 輸出架構(gòu)采用雙極和 CMOS 晶體管并聯(lián)

參數(shù)
image.png

方框圖
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一、產(chǎn)品概述

1. 基本信息

  • ?產(chǎn)品系列?:UCCx-Q
  • ?型號(hào)?:UCC-Q1
  • ?功能?:?jiǎn)瓮ǖ繟高速低端MOSFET驅(qū)動(dòng)器,帶使能功能,反相邏輯輸出
  • ?應(yīng)用領(lǐng)域?:開關(guān)模式電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器電機(jī)控制器、線路驅(qū)動(dòng)器、Class-D開關(guān)放大器、脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)器等

2. 特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

  • ?AEC-Q認(rèn)證?:適用于汽車應(yīng)用,滿足AEC-Q標(biāo)準(zhǔn)
  • ?高峰值電流驅(qū)動(dòng)能力?:在Miller平臺(tái)區(qū)域提供±A的峰值驅(qū)動(dòng)電流
  • ?TrueDrive輸出架構(gòu)?:采用雙極性和CMOS晶體管并行結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)高效電流輸出
  • ?TTL和CMOS兼容輸入?:輸入邏輯獨(dú)立于電源電壓
  • ?快速響應(yīng)?:典型上升時(shí)間為0ns,典型下降時(shí)間為ns
  • ?寬電壓范圍?:供電電壓范圍為4.5V至5V
  • ?熱增強(qiáng)型封裝?:提供MSOP PowerPAD封裝,降低熱阻,提高可靠性

二、引腳配置與功能

1. 引腳配置

  • ?VDD?(引腳1、8):電源電壓輸入
  • ?IN?(引腳2):反相輸入信號(hào)
  • ?ENBL?(引腳):使能輸入,內(nèi)部上拉至VDD
  • ?OUT?(引腳6、7):驅(qū)動(dòng)輸出,需外部連接
  • ?AGND?(引腳):模擬
  • ?PGND?(引腳):功率地
  • ?PowerPAD?(僅DGN封裝):熱焊盤,電氣和熱連接到設(shè)備基板

2. 功能描述

  • ?IN?:反相輸入,具有邏輯兼容的閾值和遲滯,當(dāng)IN為高電平時(shí),OUT為低電平(反相邏輯)
  • ?ENBL?:使能輸入,控制驅(qū)動(dòng)器輸出。當(dāng)ENBL為高電平時(shí),設(shè)備啟用;當(dāng)ENBL為低電平時(shí),設(shè)備禁用,輸出狀態(tài)為低
  • ?OUT?:驅(qū)動(dòng)輸出,能夠提供高達(dá)9A的峰值驅(qū)動(dòng)電流至MOSFET柵極

三、電氣特性

1. 靜態(tài)工作電流

  • 在不同條件下(如IN和ENBL的不同組合),靜態(tài)工作電流范圍為μA至μA

2. 輸入和輸出特性

  • ?輸入閾值電壓?:VIH為1.6V至.V,VIL為.V至2.0V
  • ?輸出峰值電流?:在VDD=V時(shí)可達(dá)A
  • ?傳播延遲時(shí)間?:輸入上升時(shí)為ns至ns,輸入下降時(shí)為5ns至5ns

3. 開關(guān)特性

  • ?上升時(shí)間?:典型值為ns,最大值為ns
  • ?下降時(shí)間?:典型值為ns,最大值為ns

四、應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)

1. 應(yīng)用信息

  • 高電流柵極驅(qū)動(dòng)器在開關(guān)電源應(yīng)用中可實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)、減少功率損失,并提供必要的電平轉(zhuǎn)換和緩沖驅(qū)動(dòng)功能

2. 典型應(yīng)用

  • 提供了UCC-Q1在典型應(yīng)用中的電路圖,包括輸入、使能、電源和輸出連接

3. 設(shè)計(jì)要求

  • 在選擇柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí),需考慮輸入到輸出配置、輸入閾值類型、電源電壓、峰值源電流和沉電流、使能功能、傳播延遲、功率耗散和封裝類型等設(shè)計(jì)參數(shù)

五、封裝與訂購(gòu)信息

1. 封裝選項(xiàng)

  • ? SOIC- ?:標(biāo)準(zhǔn)小外形集成電路封裝
  • ?MSOP-PowerPAD-8?:熱增強(qiáng)型微型小外形功率焊盤封裝

2. 訂購(gòu)信息

  • 提供了不同封裝選項(xiàng)的訂購(gòu)信息,包括狀態(tài)、材料類型、封裝尺寸、載帶和卷盤信息、RoHS狀態(tài)、引腳鍍層材料等
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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